專利名稱：電子裝置外殼及其制備方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種電子裝置外殼及其制備方法，尤其涉及一種具有皮革效果的電子裝置外殼及其制備方法。
背景技術(shù)：
真空鍍膜技術(shù)已經(jīng)廣泛應用于各種產(chǎn)品外觀裝飾用途。真空鍍膜工藝非常環(huán)保， 且可使鍍膜產(chǎn)品獲得高質(zhì)感的金屬外觀，因此可提升產(chǎn)品外觀競爭力。就具有通訊功能的電子裝置而言，一般金屬真空鍍膜會屏蔽電磁波，故而會影響電子裝置的通訊性能，所以目前金屬真空鍍膜還較少應用在具有通訊功能的電子裝置外觀件上。另一方面，現(xiàn)有的真空鍍膜技術(shù)還無法形成具有某種特定紋路效果的鍍膜層，使得真空鍍膜產(chǎn)品外觀較為單一。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種具有皮革效果，且具有良好的電磁波透過性的真空鍍膜電子裝置外殼。另外，還有必要提供一種上述電子裝置外殼的制備方法。一種電子裝置外殼，包括一基體及形成于該基體上的一不導電的真空鍍膜層，該真空鍍膜層上形成有皮革紋路。一種電子裝置外殼的制備方法，包括如下步驟(1)提供經(jīng)成型的基體，并使用離子風或超聲波等對基體表面進行清潔處理；(2)在真空條件下，使用等離子體源轟擊基體，以對基體表面進一步清潔；(3)對基體進行真空鍍膜處理，以在基體表面形成一不導電的真空鍍膜層，該真空鍍膜層具有皮革紋路；(4)鍍膜完成后，在真空環(huán)境下使用等離子體源轟擊該真空鍍膜層。相較于現(xiàn)有技術(shù)，上述電子裝置外殼的制備方法通過真空鍍膜技術(shù)在基材上形成一具有皮革紋路且不導電的真空鍍膜層，使得該電子裝置外殼在具有金屬的質(zhì)感及良好的電磁波透過性的同時，還具有特殊的皮革紋路效果，豐富了真空鍍膜產(chǎn)品的外觀。


圖1為本發(fā)明較佳實施例具有皮革效果的電子裝置外殼的平面示意圖。圖2為本發(fā)明較佳實施例具有皮革效果的電子裝置外殼的剖視示意圖。主要元件符號說明電子裝置外殼 10基體11真空鍍膜層13皮革紋路133面漆層1具體實施例方式請參閱圖1及圖2，本發(fā)明較佳實施例的具有皮革效果的電子裝置外殼10包括基體11、形成于基體11表面的真空鍍膜層13及形成于真空鍍膜層13表面的透明面漆層15。 該真空鍍膜層13上形成有皮革紋路133，使該電子裝置外殼10具有皮革效果外觀。所述基體可以為塑料、玻璃及陶瓷中的一種。所述塑料可以選用聚碳酸酯 (Polycarbonate, PC)、聚乙烯(Poltethylene, PE)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate, PMMA)及聚碳酸酯與丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABQ的混合物等。所述真空鍍膜層13由氧化鋁或氧化鋯組成，本實施例的真空鍍膜層13由氧化鋁組成。真空鍍膜層13厚度大約為10 200nm，其為不導電真空鍍膜層，所以具有良好的電磁波透過性。所述皮革紋路133由分布于真空鍍膜層13上的若干交織的線形凹痕形成。所述面漆層15的主要成分為丙烯酸，其厚度大約為10 50 μ m。該面漆層15可以為單層或多層透明油漆組成。所述油漆可以為普通熱固化漆，也可為紫外光固化漆。面漆層15對真空鍍膜層起保護作用，同時可以提供所需的顏色。上述電子裝置外殼10的制備方法主要包括如下步驟(1)提供經(jīng)成型的基體11，并使用離子風或超聲波等對基體11表面進行清潔處理。(2)在溫度為50 70°C、真空度為5 X 10_3 5 X IO^Pa的真空環(huán)境下，使用等離子體源轟擊基體11，以對基體11表面進行進一步清潔。本步驟中等離子體源的電壓為110 130V，電流為2. 5 3. 5A，轟擊時間為50 90s。本實施例等離子體源的電壓為120V，電流為3A，轟擊時間為60s。(3)對基體11進行真空鍍膜處理，以在基體11表面形成該具有皮革紋路133的真空鍍膜層13。該真空鍍膜層13為氧化鋁或氧化鋯。下面以該真空鍍膜層13為氧化鋁為例，對鍍膜工藝進行具體說明在溫度為50 70°C、真空度為5X10_3 lX10_2Pa的真空
環(huán)境下，使用電子束蒸發(fā)方式以2.0 4. 5埃每秒(A/s)的速率蒸發(fā)氧化鋁晶體材料，并
同時通入高純度的氧氣，以及使用等離子體源對基體11進行輔助轟擊。所述氧氣的分壓大約為1. 5X IO"3 9. 5Xl(T3Pa，等離子體源的電壓為140 160V，電流為4. 5 5. 5A。本實施例等離子體源的電壓優(yōu)選為150V，電流優(yōu)選為5A。所述等離子體源的輔助轟擊伴隨整個鍍膜過程，直至鍍膜結(jié)束。經(jīng)該步驟處理的基體11表面形成了具有皮革紋路133且不導電的真空鍍膜層13。(4)鍍膜完成后，在溫度為50 70°C、真空環(huán)境下使用等離子體源轟擊該真空鍍膜層13。該步驟所用等離子體源的電壓為140 160V，電流為3. 5 4. 5A，轟擊時間為3 10分鐘。本實施例等離子體源的電壓為150V，電流為4A。該步驟可以增強該真空鍍膜層 13的附著力，另一方面可以通過等離子體源轟擊突顯加深真空鍍膜層13的皮革紋路133。(5)在所述真空鍍膜層上形成該透明的面漆層15，以對真空鍍膜層13進行保護。 面漆層15可以通過常規(guī)噴漆方法形成。通過上述電子裝置外殼10的制備方法制備的真空鍍膜層13經(jīng)測試發(fā)現(xiàn)其具有良好的電磁波透過性，完全可以滿足通訊產(chǎn)品的通訊性能要求。上述電子裝置外殼10的制備方法主要通過對真空鍍膜條件的控制，以在基體11上形成一具有皮革紋路133且不導電的真空鍍膜層13，使得該電子裝置外殼10既具有金屬的質(zhì)感，還具有特殊的皮革紋路效果，而且具有良好的電磁波透過性。
權(quán)利要求
1.一種電子裝置外殼，包括一基體及形成于該基體上的一不導電的真空鍍膜層，其特征在于該真空鍍膜層上形成有皮革紋路。
2.如權(quán)利要求1所述的電子裝置外殼，其特征在于該皮革紋路由分布于真空鍍膜層上的若干交織的線形凹痕形成。
3.如權(quán)利要求1所述的電子裝置外殼，其特征在于該真空鍍膜層為氧化鋁或氧化鋯。
4.如權(quán)利要求3所述的電子裝置外殼，其特征在于該真空鍍膜層的厚度為10 200nm。
5.如權(quán)利要求3所述的電子裝置外殼，其特征在于該電子裝置外殼還包括一形成于該真空鍍膜層上的透明面漆層。
6.如權(quán)利要求3所述的電子裝置外殼，其特征在于所述基體為塑料、玻璃及陶瓷中的一種。
7.一種電子裝置外殼的制備方法，包括如下步驟(1)提供經(jīng)成型的基體，并使用離子風或超聲波對基體表面進行清潔處理；(2)在真空條件下，使用等離子體源轟擊基體，以對基體表面進一步清潔；(3)對基體進行真空鍍膜處理，以在基體表面形成一不導電的真空鍍膜層，該真空鍍膜層具有皮革紋路；(4)鍍膜完成后，在真空環(huán)境下使用等離子體源轟擊該真空鍍膜層。
8.如權(quán)利要求7所述的電子裝置外殼的制備方法，其特征在于所述真空鍍膜層為氧化鋁。
9.如權(quán)利要求8所述的電子裝置外殼的制備方法，其特征在于所述真空鍍膜處理是指在溫度為50 70°C、真空度為5 X 10_3 1 X lO^Pa的真空環(huán)境下，使用電子束蒸發(fā)方式以2. 0 4. 5埃每秒的速率蒸發(fā)氧化鋁晶體材料，并同時通入高純度的氧氣，以及使用等離子體源對基體進行輔助轟擊。
10.如權(quán)利要求9所述的電子裝置外殼的制備方法，其特征在于所述等離子體源的電壓為140 160V,電流為4. 5 5. 5A ；所述氧氣的分壓為1. 5 X IO"3 9. 5 X IO^3Pa0
11.如權(quán)利要求7所述的電子裝置外殼的制備方法，其特征在于所述步驟(2)是在如下條件下進行溫度為50 70°C，真空度為5X10—3 5X KT2Pa ；等離子體源的電壓為 110 130V，電流為2. 5 3. 5A ；轟擊時間為50 90s。
12.如權(quán)利要求7所述的電子裝置外殼的制備方法，其特征在于所述步驟(4)是在如下條件下進行溫度為50 70°C，等離子體源的電壓為140 160V，電流為3. 5 4. 5A， 轟擊時間為3 10分鐘。
13.如權(quán)利要求7所述的電子裝置外殼的制備方法，其特征在于該電子裝置外殼的制備方法還包括在所述真空鍍膜層上形成一面漆層。
14.如權(quán)利要求7所述的電子裝置外殼的制備方法，其特征在于該真空鍍膜層的厚度為 10 200nm。
15.如權(quán)利要求7所述的電子裝置外殼的制備方法，其特征在于所述基體為塑料、玻璃及陶瓷中的一種。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子裝置外殼及其制備方法。該電子裝置外殼包括一基體及形成于該基體上的一不導電的真空鍍膜層，該真空鍍膜層上形成有皮革紋路，使該電子裝置外殼具有皮革效果。上述電子裝置外殼的制備方法包括在真空條件下，使用等離子體源轟擊經(jīng)成型的基體，以對基體表面進行清潔；對基體進行真空鍍膜處理，以在基體表面形成一不導電的真空鍍膜層，該真空鍍膜層具有皮革紋路；鍍膜完成后，在真空環(huán)境下使用等離子體源轟擊該真空鍍膜層。
文檔編號C23C14/30GK102378510SQ20101025195
公開日2012年3月14日 申請日期2010年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月12日
發(fā)明者姜傳華, 杜琪健 申請人:深圳富泰宏精密工業(yè)有限公司