一種攜帶式電子裝置外殼的制造方法
【專利摘要】本申請公開了一種攜帶式電子裝置外殼的制造方法,包括步驟,提供一成型的鋁基材;將該鋁基材放入陽極處理液中進行陽極處理,形成一氧化鋁膜層;于該氧化鋁膜層表面沉積一層類鉆石薄膜層,該類鉆石薄膜層的材料為非結(jié)晶碳氮或非結(jié)晶碳氫氮,由此,具有良好的耐磨性能及耐腐蝕性能,可防止外界的水氣、灰塵及鹽等成份的腐蝕,也可抵制尖物或硬物的刻劃及磨損。
【專利說明】一種攜帶式電子裝置外殼的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子裝置外殼,尤其涉及一種攜帶式電子裝置外殼的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,攜帶式電子裝置等許多具有金屬殼體的產(chǎn)品一般通過電鍍、烤漆制程提高表面質(zhì)量。但是,上述電鍍、烤漆等制程處理后,攜帶式電子裝置外殼表面品質(zhì)雖有所改善,但是這些產(chǎn)品多為日常用品,與人體經(jīng)常接觸,特別是與手指接觸時會在表面留下清晰的指紋。眾所周知,指紋中含有水、灰塵、鹽等腐蝕性物質(zhì),不僅影響美觀,久而久之,會加速表面的銹蝕,而且在使用過程中需要定期對表面進行擦拭、清洗等工作來清除指紋,造成不便。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目的是在于提供一種攜帶式電子裝置外殼的制造方法,制造較為簡單、具有良好耐磨性能及耐腐蝕性能。
[0004]根據(jù)本發(fā)明的一個方面,提供一種攜帶式電子裝置外殼的制造方法,包括以下步驟:
[0005]提供一成型的鋁基材;
[0006]將該鋁基材放入陽極處理液中進行陽極處理,形成一氧化鋁膜層;
[0007]于該氧化鋁膜層表面沉積一層類鉆石薄膜層,該類鉆石薄膜層的材料為非結(jié)晶碳氮或非結(jié)晶碳氫氮。
[0008]在一些實施方式中:其中陽極處理時采用果酸為陽極處理液。
[0009]在一些實施方式中:其中陽極處理時采用檸檬酸、酒石酸及蘋果酸的混合溶液作為陽極處理液。
[0010]在一些實施方式中:類鉆石薄膜采用反應(yīng)性濺鍍及化學(xué)氣相沉積法所沉積。
[0011]在一些實施方式中:反應(yīng)性濺鍍?yōu)橹绷?、交流或射頻反應(yīng)性濺鍍。
[0012]在一些實施方式中:其中當(dāng)類鉆石薄膜的材料為非結(jié)晶碳氮時,反應(yīng)性濺鍍采用的濺鍍氣體為氬氣與氮氣的混合氣,濺鍍靶材為石墨。
[0013]本發(fā)明制造較為簡單、具有良好耐磨性能及耐腐蝕性能。
【具體實施方式】
[0014]一種攜帶式電子裝置外殼的制造方法,包括鋁基材10、氧化鋁膜層20及類鉆石薄膜層30,其中該氧化鋁膜層20形成于鋁基材10表面,且該氧化鋁膜層20表面形成有一類鉆石薄膜層30,該氧化 鋁膜層20的較佳厚度為10-200納米,更佳的厚度應(yīng)為50-100納米。該類鉆石薄膜層30的材料可為非結(jié)晶碳氫(a-C:H)、非結(jié)晶碳氮(a-C:N)或非結(jié)晶碳氫氮(a-CNH),該三種材料均具有類鉆石結(jié)構(gòu)D原子結(jié)合方式。該類鉆石薄膜層30D較佳厚度為10-100納米,更佳的厚度應(yīng)為20-60納米。[0015]該攜帶式電子裝置外殼的制造方法包括以下步驟:
[0016]提供一成型的招基材10 ;
[0017]將該鋁基材10放入陽極處理液中進行陽極處理,形成一氧化鋁膜層20 ;
[0018]于該氧化鋁膜層20表面沉積一層類鉆石薄膜層30。
[0019]其中該成型的鋁基材10是由重壓成型等技術(shù)所成型,其具有攜帶式電子裝置外殼的形狀。
[0020]該鋁基材10進行陽極處理的陽極處理液可為果酸電解液,也可為檸檬酸、酒石酸及蘋果酸的混合電解液,當(dāng)然也可為其他熟知的陽極處理液。
[0021]該類鉆石薄膜層30的材料可為非結(jié)晶碳氫、非結(jié)晶碳氮或非結(jié)晶碳氫氮。
[0022]當(dāng)該類鉆石薄膜層30的材料為非結(jié)晶碳氫時,其可由反應(yīng)性濺鍍或化學(xué)氣相沉積法所沉積,該反應(yīng)性濺鍍指熟知的直流、交流或射頻反應(yīng)性濺鍍。反應(yīng)性濺鍍采用的濺鍍氣體為氬氣與氫氣的混合氣、氬氣與甲燒的混合氣或氬氣與乙燒的混合氣,派鍍祀材為石墨。在氬氣與氫氣的混合氣中,氫氣含量為20%左右,在氬氣與甲燒的混合氣中,甲燒含量為20%左右,在氬氣與乙烷的混合氣中,乙烷含量為20%左右。其中上述濺鍍氣體中的氬氣亦可為其他惰性氣體所代替,如氪氣等。
[0023]當(dāng)該類鉆石薄膜層30的材料為非結(jié)晶碳氮時,其也可由反應(yīng)性濺鍍或化學(xué)氣相沉積法所沉積,該反應(yīng)性濺鍍指熟知的直流、交流或射頻反應(yīng)性濺鍍。反應(yīng)性濺鍍采用的濺鍍氣體為氬氣與氮氣的混合氣,濺鍍靶材為石墨。其中所述濺鍍氣體中的氬氣也可為其他惰性氣體所代替,如氪氣等。
[0024]當(dāng)該類鉆石薄膜層30的材料為非結(jié)晶碳氫氮時,其也可由反應(yīng)性濺鍍或化學(xué)氣相沉積法所沉積,該反應(yīng)性濺鍍 指熟知的直流、交流或射頻反應(yīng)性濺鍍。反應(yīng)性濺鍍采用的濺鍍氣體為氬氣與氮氣的混合氣,濺鍍靶材為石墨。
[0025]該攜帶式電子裝置外殼具有良好的耐磨性能及耐腐蝕性能,可防止外界的水氣、灰塵及鹽等成份的腐蝕,也可抵制尖物或硬物的刻劃及磨損。
[0026]以上所述僅是本發(fā)明的一種實施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下,還可以做出若干相似的變形和改進,這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種攜帶式電子裝置外殼的制造方法,其特征在于:包括以下步驟: 提供一成型的鋁基材; 將該鋁基材放入陽極處理液中進行陽極處理,形成一氧化鋁膜層; 于該氧化鋁膜層表面沉積一層類鉆石薄膜層,該類鉆石薄膜層的材料為非結(jié)晶碳氮或非結(jié)晶碳氫氮。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種攜帶式電子裝置外殼的制造方法,其特征在于:其中陽極處理時采用果酸為陽極處理液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種攜帶式電子裝置外殼的制造方法,其特征在于:其中陽極處理時采用檸檬酸、酒石酸及蘋果酸的混合溶液作為陽極處理液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種攜帶式電子裝置外殼的制造方法,其特征在于:所述類鉆石薄膜采用反應(yīng)性濺鍍及化學(xué)氣相沉積法所沉積。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種攜帶式電子裝置外殼的制造方法,其特征在于:所述反應(yīng)性濺鍍?yōu)橹绷?、交流或射頻反應(yīng)性濺鍍。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種攜帶式電子裝置外殼的制造方法,其特征在于:其中當(dāng)所述類鉆石薄膜的材料為非結(jié)晶碳氮時,所述反應(yīng)性濺鍍采用的濺鍍氣體為氬氣與氮氣的混合氣,濺鍍靶材為石墨。`
【文檔編號】C23C28/04GK103726053SQ201310638416
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年12月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月4日
【發(fā)明者】任保林 申請人:任保林