專利名稱：一種高Tc無鉛PTC熱敏陶瓷材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明設(shè)計(jì)一種半導(dǎo)體陶瓷材料，尤其是符合無鉛高居里點(diǎn)鐵電陶瓷材料實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)化，制備具有正的電阻溫度系數(shù)(PTC)效應(yīng)的無鉛高居里點(diǎn)熱敏陶瓷材料。
背景技術(shù)：
PTC熱敏陶瓷是一種半導(dǎo)體化的、具有電阻正溫度系數(shù)(Positive Temperature Coefficient，簡(jiǎn)稱PTC)的電子陶瓷材料。這種具有PTC特性的電子陶瓷元件集發(fā)熱與溫控于一體，具有自動(dòng)溫控、安全節(jié)能、自動(dòng)恢復(fù)、無觸點(diǎn)動(dòng)作、無明火、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。產(chǎn)品可用于發(fā)熱元器件、溫度控制、過流保護(hù)、過熱保護(hù)、熱感應(yīng)與溫度報(bào)警等系統(tǒng)，廣泛應(yīng)用于汽車、電子、通訊、輸變電工程、空調(diào)暖風(fēng)機(jī)工程、低能耗安全型家用電器以及消磁、過流保護(hù)、 過熱保護(hù)和溫度報(bào)警等領(lǐng)域。最常見的PTC熱敏陶瓷是ABO3型的BaTiO3基材料，其居里點(diǎn)是120°C。為了提高陶瓷元件的工作溫度，當(dāng)前實(shí)際生產(chǎn)與商業(yè)應(yīng)用的PTC熱敏陶瓷電阻均以添加氧化鉛或含鉛化合物為居里點(diǎn)移動(dòng)劑、以Pb置換Ba的晶格位置來實(shí)現(xiàn)。此類熱敏陶瓷元件為含鉛量較高的(Bai_xPbx) TiO3體系或(Sri_x_yBayPbx) TiO3，其中χ或y可在0至1之間取值。如，中國(guó)發(fā)明專利ZL97100777. 2號(hào)公開的熱敏電阻材料的主要成分為(Sr1TyBayPbx)TizC^wPbSinO2lrtl, 其中 χ = 0. 1 0. 9，y = 0 0. 9，z = 0. 8 1. 2，w = 0. 001 l，m/n = 0. 1 10 ；此發(fā)明配方及工藝能獲得性能可調(diào)、穩(wěn)定性和重復(fù)再現(xiàn)性良好的PTC熱敏電阻材料。另外，中國(guó)發(fā)明專利ZL96106337. 8號(hào)公開了一種方程式為(SivxPbx)TiyO3的PTC陶瓷材料體系，其中 χ = 0. 1 0. 9，y = 0. 8 1. 2 ；半導(dǎo)化元素含量為0. 012 2mol%，添加劑含量為0. 2 3mol%，此發(fā)明能獲得綜合性能較好的PTC熱敏陶瓷電阻器。上述發(fā)明專利配方中均含鉛。鉛是一種具有毒性的重金屬元素，在含鉛PTC熱敏陶瓷材料的生產(chǎn)過程中，含鉛氧化物不可避免地會(huì)因各種原因流入生活環(huán)境和大自然，如清洗每一批次生產(chǎn)產(chǎn)品后的球磨罐的廢水、清洗其它生產(chǎn)用器的廢水、煅燒和燒結(jié)過程中發(fā)生鉛揮發(fā)的氣氛充滿生產(chǎn)車間甚至擴(kuò)散到周圍很大范圍的自然環(huán)境，從而造成對(duì)自然環(huán)境的污染、對(duì)人類特別是生產(chǎn)者和使用者的身體健康的危害。近年來，許多發(fā)達(dá)國(guó)家已經(jīng)開始嚴(yán)格控制含鉛產(chǎn)品的使用，如歐盟發(fā)布的《關(guān)于在電氣設(shè)備中禁止使用含鉛等某些有害物質(zhì)指令》(R0HS指令)已明確提出將禁止含鉛電子產(chǎn)品進(jìn)入歐洲市場(chǎng)。另一方面，隨著科技進(jìn)步和社會(huì)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，電子產(chǎn)品的應(yīng)用越來越廣泛和普及、人們的環(huán)保意識(shí)也逐漸增強(qiáng)，環(huán)境友好型的綠色產(chǎn)品正越來越受青睞，環(huán)保型產(chǎn)品將是未來社會(huì)產(chǎn)品的唯一選擇。目前，我國(guó)PTC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展正面臨著嚴(yán)重的考驗(yàn)和挑戰(zhàn)。環(huán)保型的無鉛PTC熱敏陶瓷材料的開發(fā)已經(jīng)成了一個(gè)迫在眉睫的課題。無鉛材料的開發(fā)成果將會(huì)立即得到社會(huì)的肯定和歡迎， 產(chǎn)品及時(shí)應(yīng)用推廣、完全取代含鉛產(chǎn)品將成為必然。近年來，國(guó)內(nèi)外許多科研人員以及生產(chǎn)工作者已經(jīng)著手高居里點(diǎn)(大于120°C ) 的無鉛PTC熱敏陶瓷材料的開發(fā)與研究工作。利用BaTi03-(Bi，Na)Ti03系為研究對(duì)象獲得了居里點(diǎn)為170°C左右的PTC熱敏陶瓷材料。中國(guó)專利公開號(hào)CN101013618A和CNlO 1188156A 說明了成分體系為(NEv2Bi1Z2)BaTiO3 基的 PTC 陶瓷材料，以 Y、La、Sb、Nb、 Ta等為半導(dǎo)化添加元素和少量Sr或Ca為Ba位置換元素，并添加Mn元素含量占材料總量0.019 0.0199mOl%，此發(fā)明能實(shí)現(xiàn)居里點(diǎn)高于120°C的熱敏陶瓷。中國(guó)專利公開號(hào) CN1426072A說明了成分體系為(BiixSryQiz) TiuO3的一種無鉛PTC陶瓷材料，其中χ = 0. 6 0. 9，y = 0 0. 3，z = 0. 02 0. 2，u = 0. 98 1. 02。但該專利提出的居里點(diǎn)范圍只能在 50-120°C，未能實(shí)現(xiàn)更高居里點(diǎn)。中國(guó)發(fā)明專利ZL200810143548.6號(hào)公開了一種主成分為 (Bil72Kl72)Ti1^xCexO3的無鉛PTC陶瓷材料體系，其中0. 2彡χ彡0. 5 ；半導(dǎo)化元素含量占基體化合物的0. 1 0. 4m0l%，添加物含量為0 3m0l% ；此發(fā)明能獲得居里點(diǎn)為60_250°C 的無鉛PTC熱敏陶瓷電阻器。中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)?zhí)枮?010101021134報(bào)道了主成分組成為 (Bil72Kl72^2Naa72)Ce1O3的無鉛PTC陶瓷材料體系，其中0彡a彡1 ；此發(fā)明能獲得居里點(diǎn)為 165 205°C的無鉛PTC熱敏陶瓷電阻器。也有研究者利用KNbO3系材料研究高居里點(diǎn)的正溫度系數(shù)鐵電陶瓷材料(Journal of Materials Research，17 (2002) 2989)，這類材料也表現(xiàn)出了正溫度系數(shù)現(xiàn)象，但性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。
由此看出，雖然環(huán)境友好型的PTC熱敏陶瓷材料具有深遠(yuǎn)的社會(huì)意義和經(jīng)濟(jì)效益，但從已發(fā)表的文獻(xiàn)資料和專利來看，居里溫度在120 300°C、性能良好、具有正溫度系數(shù)的系列熱敏陶瓷溫控材料的成果報(bào)道相當(dāng)少。因此，開發(fā)無鉛PTC熱敏陶瓷材料已經(jīng)成了一個(gè)十分重要的課題，具有重要的社會(huì)意義，并將產(chǎn)生極大經(jīng)濟(jì)效益。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能夠制造居里點(diǎn)溫度大于120°C的無鉛高居里點(diǎn)PTC熱敏陶瓷電阻材料。
一種高Tc無鉛PTC熱敏陶瓷材料的基體成分組成為(Bi1^2Ig2) (D1/2-x/2Sn1/2_x/2Tix)03，其中 0. 01 彡 χ 彡 0. 95，D 為過渡族金屬元素 Cu、Zn、Ni、Co、Fe 中的至少一種。
形成所述材料的基體成分的原材料為含Bi、K、Sn和Ti元素的氧化物、無機(jī)鹽或有機(jī)鹽，以及Cu、Zn、Ni、Co、!^e中至少一種金屬元素的氧化物、無機(jī)鹽或有機(jī)鹽。
所述的高Tc無鉛PTC熱敏陶瓷材料還含有半導(dǎo)化元素，半導(dǎo)化元素為Sb、Nb、Ta、 V、Mo、W元素中的至少一種；半導(dǎo)化元素占D、SruTi的摩爾總量的的摩爾百分?jǐn)?shù)為0.01 0. 55%。
形成所述的半導(dǎo)化元素的原材料為含Sb、Nb、Ta、V、Mo、W元素中的至少一種的氧化物、無機(jī)鹽或有機(jī)鹽。
所述的高"Tc無鉛PTC熱敏陶瓷材料中還含有B、Na、Li、Si、Cu、Si、Al、Mn、P元素中的至少一種的氧化物，其原材料為用作助燒和改善電阻溫度特性的含B、Na、Li、Zn、Cu、 Si、Al、Mn、P元素中的至少一種的氧化物、無機(jī)鹽或有機(jī)鹽。
本發(fā)明實(shí)施例的初始原材料選自氧化鉍Bi2O3、碳酸鉀K2CO3、氧化鋅&10、金屬錫粉Sn、鈦酸丁酯[CH3(CH2)30]4Ti、鶴酸&W04。按本發(fā)明實(shí)施例所述制備方法能獲得高純相組成、性能穩(wěn)定、可靠性高的無鉛高居里點(diǎn)PTC熱敏陶瓷電阻元件。本發(fā)明的重點(diǎn)在于無鉛PTC陶瓷材料的成分配方，應(yīng)用過程中的材料合成方法及制備工藝可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)需要進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整，靈活性大。如原材料可選用含有配方主成分中Bi、K、ai、Sn、Ti元素以及Sb、Nb、Ta、V、Mo、W元素中的金屬元素的氧化物、無機(jī)鹽或有機(jī)鹽等化合物；材料合成方法可選用傳統(tǒng)固態(tài)反應(yīng)的方法，也可采用化學(xué)合成方法。本發(fā)明的熱敏電阻材料特性的檢測(cè)是采用涂覆銀漿為電極，測(cè)量材料的室溫電阻及電阻-溫度特性。實(shí)際生產(chǎn)可以選用其它電極材料(如鋁電極、In-fei合金電極、鎳電極等)。
本發(fā)明實(shí)施例中的主成分組成為(Biw2Ig2) (D1/2_x/2Sn1/2_x/2Tix)03, D為過渡族金屬元素CU、Zn、Ni、C0、!^中至少一種金屬元素。但本發(fā)明涉及的PTC熱敏陶瓷電阻材料的主成分組成并不是(Bi1/2K1/2) TiO3和Bi (D1/2Sn1/2) O3的兩相復(fù)合材料，而是所有原材料混合、 經(jīng)煅燒和燒結(jié)后形成的以(Biw2Ig2) (D1/2_x/2Sn1/2_x/2Tix)03為化學(xué)組成的固溶體，固溶體的室溫晶體結(jié)構(gòu)可以是四方晶系、也可以是正交晶系的結(jié)構(gòu)特征。
本發(fā)明的PTC熱敏陶瓷電阻材料的新穎性和創(chuàng)造性表現(xiàn)在①采用一價(jià)和三價(jià)元素Bi和K復(fù)合作為ABO3型鈣鈦礦結(jié)構(gòu)中的A晶格位置元素，采用二價(jià)過渡金屬元素Cu、 Zn.Ni.Co.Fe和四價(jià)元素Sn和Ti復(fù)合作為ABO3型鈣鈦礦結(jié)構(gòu)中的B晶格位置元素；②通過調(diào)節(jié)主成分組成中各元素的含量來調(diào)節(jié)熱敏陶瓷材料的居里溫度；③通過微量施主摻雜實(shí)現(xiàn)無鉛陶瓷材料的半導(dǎo)化；④配方成分中不含鉛，實(shí)現(xiàn)了高居里點(diǎn)PTC熱敏陶瓷材料的無鉛化。
本發(fā)明PTC熱敏陶瓷電阻材料的電性能可實(shí)現(xiàn)居里點(diǎn)范圍在120 300°C調(diào)整。 與目前現(xiàn)有同類產(chǎn)品相比，本發(fā)明的高居里點(diǎn)PTC熱敏陶瓷電阻材料中不含鉛，并且解決了無鉛高居里點(diǎn)PTC熱敏陶瓷電阻材料實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)化的技術(shù)難題，避免了該類熱敏電阻制造和使用過程中鉛對(duì)環(huán)境和人體的危害。
本發(fā)明的內(nèi)容結(jié)合以下實(shí)施例作更進(jìn)一步的說明。以下實(shí)施例只是符合本發(fā)明技術(shù)內(nèi)容的幾個(gè)實(shí)例，并不說明本發(fā)明僅限于下述實(shí)例所述的內(nèi)容。本發(fā)明的重點(diǎn)在于成分配方，所述原材料、工藝方法和步驟可以根據(jù)生產(chǎn)條件進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整，靈活性大。


圖1為實(shí)施例1中熱敏陶瓷電阻材料在室溫時(shí)的X-射線衍射(XRD)圖譜，圖中標(biāo)示了各衍射峰對(duì)應(yīng)的晶面指數(shù)。該XRD圖譜與XRD數(shù)據(jù)庫(kù)卡片(35-07%)所示的晶體結(jié)構(gòu)一致，為正交晶體結(jié)構(gòu)，空間群為Cmmm(60，晶格常數(shù)為a=5.449A、b=32.815A、 c=5.410A。這說明所制備的材料為純相固溶體，具有ABO3S鈣鈦礦類型正交晶體結(jié)構(gòu)特征。
圖2是實(shí)施例中熱敏陶瓷電阻材料的電阻-溫度特性曲線。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1
本實(shí)施例主成分按分子式(Biw2Ig2) (Zn1/2_x/2Sn1/2_x/2Tix)03進(jìn)行配料，其中x = 0. 8，即主成分按分子式可簡(jiǎn)化為(Bi0.6K0.4) (ZnaiSnaiTia8)O3 ；半導(dǎo)化元素選用具有+6化合價(jià)的W+6，目的是使其對(duì)ABO3型鈣鈦礦結(jié)構(gòu)B晶格位置進(jìn)行半導(dǎo)化摻雜，W+6離子含量占 Zn,Sn 和 Ti 摩爾總量的 0. Imol% 初始原材料選自 Bi203、K2C03、ai0、Sn、[CH3(CH2)3Oj4Ti, H2W04。材料制備按以下實(shí)驗(yàn)的工藝步驟進(jìn)行
①將初始原料按(Bia6Ka4)(ZnaiSnaiTia8)O^O. OOlH2WO4 配方配料，稱取 23. 022gBi203、4. 507g K2C03、1. 328g Ζη0、1· 986g Sn,44. 394g[CH3 (CH2)3Oj4Ti 和 0. 043g H2WO4 ；
②將上一步驟稱取的Bi203、K2C03、Zn0和[CH3 (CH2) 30]4Ti放入玻璃燒杯中，并加入適當(dāng)?shù)恼麴s水和硝酸，攪拌使原材料溶解成溶液；
③將步驟①稱取的金屬錫粉放入玻璃燒杯中，并加入適當(dāng)?shù)恼麴s水和濃硝酸，攪拌使原材料溶解成溶液；
④將步驟①稱取的放入玻璃燒杯中，并加入適當(dāng)?shù)恼麴s水和氨水，攪拌使原材料溶解成溶液；
⑤將步驟②、③和④配制的溶液混合，在攪拌過程中加熱干燥；
⑥將上一步驟制得的粉末進(jìn)行煅燒，溫度為820°C，保溫2小時(shí)；
⑦將上一步驟合成的粉體進(jìn)行造粒、成型坯體；坯體為圓片型，圓片直徑為15毫米，厚度為3. 5 4.0毫米；
⑧將上一步驟得到的坯體進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)溫度為980°C，保溫4小時(shí)，升溫和冷卻速率均為每分鐘5°C ；這樣就獲得無鉛PTC熱敏陶瓷電阻坯體；
⑨將上一步驟制得的無鉛PTC熱敏陶瓷電阻坯體兩面磨平后，涂以銀漿并經(jīng) 600°C固化制作電極，獲得熱敏電阻元件；
⑩將上一步驟制得的無鉛PTC熱敏電阻元件進(jìn)行電阻-溫度特性測(cè)量。
所制備的材料的物相組成X-射線圖譜如圖1所示。所制備的材料性能如表1和圖2所示。
實(shí)施例2
本實(shí)施例主成分按分子式(Biw2Ig2) (Zn1/2_x/2Sn1/2_x/2Tix)03進(jìn)行配料，其中x = 0. 7 ；半導(dǎo)化元素選W，其占SuSn和Ti摩爾總量的0. lmol%。初始原材料選自Bi203、K2C03、 ZnO, Sn, [CH3 (CH2) 30]4Ti、H2WO4。材料制備按以下實(shí)驗(yàn)的工藝步驟進(jìn)行
①將初始原料按(Bia65Ka35) (Zn0.15Sn0.15Ti0.7) 03+0. OOlH2WO4 配方配料，稱取 25. 829g Bi203、4. 085g K2C03、2. 062g Zn0、3. 007g Sn,40. 229g[CH3 (CH2)3Oj4Ti 和 0. 044g H2WO4 ；
②制備工藝過程與實(shí)施例1中的步驟② ⑩相同。
所制備的材料性能如表1和圖2所示。
實(shí)施例3
本實(shí)施例主成分按分子式(Biw2Ig2) (Zn1/2_x/2Sn1/2_x/2Tix)03進(jìn)行配料，其中x = 0. 6 ；半導(dǎo)化元素選W，其占Zn、Sn和Ti摩爾總量的0. Imol %。初始原材料選自Bi203、K2C03、 ZnO, Sn, [CH3 (CH2) 30]4Ti、H2WO4。材料制備按以下實(shí)驗(yàn)的工藝步驟進(jìn)行
①將初始原料按(Bia7Ka3)(Zn0.2Sn0.2Ti0.6)03+0. OOlH2WO4 配方配料，稱取 28. 844g Bi203、3. 635g K2C03、2. 851g Ζη0、4· 157gSn,35. 707g[CH3 (CH2)3Oj4Ti 和 0. 046g H2WO4 ；
②制備工藝過程與實(shí)施例1中的步驟② ⑩相同。
所制備的材料性能如表1和圖2所示。
實(shí)施例4
本實(shí)施例主成分按分子式(Biw2Ig2) (Zn1/2_x/2Sn1/2_x/2Tix)03進(jìn)行配料，其中x = 0. 5 ；半導(dǎo)化元素選W，其占SuSn和Ti摩爾總量的0. lmol%。初始原材料選自Bi203、K2C03、 ZnO, Sn, [CH3 (CH2) 30]4Ti、H2WO4。材料制備按以下實(shí)驗(yàn)的工藝步驟進(jìn)行
①將初始原料按(Bia75Ka25)(Zn0.25Sn0.25Ti0.5)03+0· OOlH2WO4 配方配料，稱取 32. 095g Bi203、3. 142g K2CO3、3· 20Ig Ζη0、5· 392g Sn,32. 091g[CH3(CH2)3Oj4Ti 和 0· 048g H2WO4 ；
②制備工藝過程與實(shí)施例1中的步驟② ⑩相同。
所制備的材料性能如表1和圖2所示。
實(shí)施例5
本實(shí)施例主成分按分子式(Biw2I^2)(Zn1/4_x/4Ni1/4_x/4Sn1/2_x/2Tix) O3 進(jìn)行配料，其中X = 0. 6 ；半導(dǎo)化元素選Nb，其占Zn、Ni、Sn和Ti摩爾總量的0. Imol %。初始原材料選自 Bi203、K2C03、ai0、Ni0、Sn、[CH3(CH2)30]4Ti、草酸鈮(CltlH5NbO2tl)。材料制備按以下實(shí)驗(yàn)的工藝步驟進(jìn)行
①將初始原料按(Bia7Ka3)(ZnaiNiaiSna2Tia6)OJO. OOlC10H5NbO20 配方配料，稱取 19. 056g Bi203、2.422g K2C03、0. 951g Ζη0、0· 873g Ni0、2. 774g Sn,23. 860g[CH3 (CH2) 30]4Ti 和 0. 063g C10H5NbO20 ；
②將上一步驟稱取的Bi203、K2C03、Zn0、Ni0和[CH3 (CH2) 30]4Ti放入玻璃燒杯中，并加入適當(dāng)?shù)恼麴s水和硝酸，攪拌使原材料溶解成溶液；
③將步驟①稱取的金屬錫粉放入玻璃燒杯中，并加入適當(dāng)?shù)恼麴s水和濃硝酸，攪拌使原材料溶解成溶液；
④將步驟①稱取的CltlH5NbO^1放入玻璃燒杯中，并加入適當(dāng)?shù)恼麴s水和檸檬酸，攪拌使原材料溶解成溶液；
⑤制備工藝過程與實(shí)施例1中的步驟⑤ ⑩相同。
所制備的材料性能如表1和圖2所示。
表1實(shí)施例材料性能指標(biāo)
權(quán)利要求
1. 一種高Tc無鉛PTC熱敏陶瓷材料，其特征是，該材料的基體成分組成為=(Bi1^2Ig2) (D1/2-x/2Sn1/2_x/2Tix)03，其中 0. 01 彡 χ 彡 0. 95，D 為過渡族金屬元素 Cu、Zn、Ni、Co、Fe 中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高Tc無鉛PTC熱敏陶瓷材料，其特征是，形成所述材料的基體成分的原材料為含Bi、K、Sn和Ti元素的氧化物、無機(jī)鹽或有機(jī)鹽，以及Cu、Zn、Ni、Co、 Fe中至少一種金屬元素的氧化物、無機(jī)鹽或有機(jī)鹽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高Tc無鉛PTC熱敏陶瓷材料，其特征是還含有半導(dǎo)化元素， 半導(dǎo)化元素為Sb、Nb、Ta、V、Mo、W元素中的至少一種；半導(dǎo)化元素占D、Sn、Ti的摩爾總量的摩爾百分?jǐn)?shù)為0. 01 0. 55%。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高Tc無鉛PTC熱敏陶瓷材料，其特征是形成所述的半導(dǎo)化元素的原材料為含Sb、Nb、Ta、V、Mo、W元素中的至少一種的氧化物、無機(jī)鹽或有機(jī)鹽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高Tc無鉛PTC熱敏陶瓷材料，其特征是，所述的材料中還含有B、Na、Li、Zn、Cu、Si、Al、Mn、P元素中的至少一種的氧化物，其原材料為用作助燒和改善電阻溫度特性的含B、Na、Li、Zn、Cu、Si、Al、Mn、P元素中的至少一種的氧化物、無機(jī)鹽或有機(jī)鹽。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種高Tc無鉛PTC熱敏陶瓷材料。本發(fā)明的高居里點(diǎn)PTC熱敏陶瓷材料的基體組成為(Bi1-x/2Kx/2)(D1/2-x/2Sn1/2-x/2Tix)O3，其中0.01≤x≤0.95，D為過渡族金屬元素Cu、Zn、Ni、Co、Fe中至少一種金屬元素。本發(fā)明的高居里點(diǎn)PTC熱敏陶瓷材料中不含鉛，適合普通陶瓷制備工藝，且煅燒和燒結(jié)溫度均低于1000℃。該發(fā)明避免了電阻元器件制造和使用過程中鉛對(duì)環(huán)境與人體的危害。本發(fā)明解決了高居里點(diǎn)無鉛PTC熱敏陶瓷電阻材料的成分設(shè)計(jì)和材料半導(dǎo)化的技術(shù)難題，并能通過調(diào)節(jié)主成分配方實(shí)現(xiàn)120℃至300℃居里點(diǎn)溫度范圍的可調(diào)性。
文檔編號(hào)C04B35/475GK102503414SQ20111035204
公開日2012年6月20日 申請(qǐng)日期2011年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月9日
發(fā)明者劉玉龍, 張鴻, 李志成 申請(qǐng)人:中南大學(xué)