專利名稱：一種三銀低輻射鍍膜玻璃及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種玻璃，具體涉及一種三銀低輻射鍍膜玻璃及其制備方法。
背景技術(shù)：
低輻射鍍膜玻璃(又稱LOW-E玻璃)，是在玻璃表面鍍上多層金屬或其他化合物組成的膜系產(chǎn)品。低輻射鍍膜玻璃是一種既能像普通玻璃一樣讓室外的太陽能、可見光透過，又能像紅外反射鏡一樣(尤其對(duì)中遠(yuǎn)紅外線具有很高的反射率)，將物體二次輻射熱反射回去的新一代鍍膜玻璃。在任何氣候環(huán)境下使用，均能達(dá)到控制陽光、節(jié)約能源熱量控制調(diào)節(jié)及改善環(huán)境的作用。三銀低輻射玻璃(即Triple-silver L0W-E)，作為低輻射鍍膜玻璃中的高端產(chǎn)品，由多達(dá)三層的銀層和多層金屬氧化或氮化化合物組成，具有較高的可見光透過率、很高的 紅外線反射率，可以獲得極佳的隔熱保溫效果。然而，傳統(tǒng)的以Ag作為紅外反射膜層的低輻射鍍膜玻璃，通常在Ag層前后增加金屬阻擋層，以防止Ag層被侵蝕，然而由于金屬阻擋層的加入使得光透過率明顯降低，特別是三銀低輻射鍍膜玻璃，傳統(tǒng)的低輻射玻璃為了獲得更低的U值(傳熱系數(shù))、SC (遮陽系數(shù))和良好的光熱比(LSG)，就必須通過增加銀層的厚度來降低膜層的輻射率，以得到理想的LSG，但是隨著銀層的增加，就意味著可見光透過率的降低、外觀顏色呈現(xiàn)干擾色、顏色選擇受限，無法滿足客戶日益增長的需求。因此，一種可見光透過率較高、成本較低、顏色可選范圍較廣的鍍膜玻璃亟待出現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有的三銀低輻射鍍膜玻璃在增加銀層改善鍍膜玻璃性能時(shí)產(chǎn)生的銀層過厚，可見光透過率較低，外觀顏色呈現(xiàn)干擾色、顏色選擇受限等問題，本發(fā)明公開了一種三銀低輻射鍍膜玻璃，以達(dá)到提高可見光透過率、提升產(chǎn)品性能、擴(kuò)大顏色可選范圍的目的。本發(fā)明的技術(shù)方案如下
一種三銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃本體以及涂布于所述玻璃本體上的鍍膜，所述鍍膜包括兩層電介質(zhì)組合層、三層銀層以及兩層間隔層電介質(zhì)組合層；
所述兩層電介質(zhì)組合層分別位于所述鍍膜層的上下兩層，所述三層銀層以及所述兩層間隔層電介質(zhì)組合層依次相間設(shè)置于所述兩層電介質(zhì)組合層之間；
所述電介質(zhì)組合層、間隔層電介質(zhì)組合層均由SSTOx、CrNx> CdO> MnO2> InSbOx> TxO、SnO2λ ZnO、ZnSnOx、ZnSnPbOx、ZrO2Λ AZOΛ Si3N4' Si02、SiOxNy Λ BiO2Λ Al2O3λ Nb2O5' Ta2O5' In2O3'MoO3中的一種或多種膜層組成，且所述每種膜層可設(shè)置I層或多層。優(yōu)選的，所述電介質(zhì)組合層的厚度為10_80nm。優(yōu)選的，所述間隔層電介質(zhì)組合層的厚度為10_200nm。
優(yōu)選的，所述銀層的厚度為5_40nm。一種三銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，采用真空磁控濺射鍍膜方式，具體工藝步驟如下
(1)、玻璃本體清洗干燥后，將其置于真空濺射區(qū)；
(2)、在所述玻璃本體上沉積形成第一電介質(zhì)組合層；
(3)、在所述第一電介質(zhì)組合層沉積形成第一銀層；
(4)、在所述第一銀層上沉積形成第一間隔層電介質(zhì)組合層；
(5)、在所述第一間隔層電介質(zhì)組合層上沉積形成第二銀層；
(6)、在所述第二銀層上沉積形成第二間隔層電介質(zhì)組合層；
(7)、在所述第二間隔層電介質(zhì)組合層上沉積形成第三銀層；
(8)、在所述第三銀層上沉積形成第二電介質(zhì)組合層；
(9)、形成產(chǎn)品。優(yōu)選的，所述電介質(zhì)組合層與間隔層電介質(zhì)組合層均采用交流雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射方式或平面陰極、直流磁控濺射方式沉積。優(yōu)選的，所述銀層采用平面陰極、直流磁控濺射方式沉積。優(yōu)選的，所述交流雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射方式是在氬氧、氬氮或氬氧氮氛圍中進(jìn)行。優(yōu)選的，所述平面陰極、直流磁控濺射方式是在純氬、氬氧或氬氮氛圍中進(jìn)行。本發(fā)明公開的三銀低輻射鍍膜玻璃，與傳統(tǒng)的鍍膜玻璃相比取消了三銀低輻射膜層中的金屬阻擋層，采用新型材料的電介質(zhì)組合層對(duì)銀層進(jìn)行保護(hù)，這樣便可以有效降低膜層對(duì)可見光透過率的影響，從而得到較高的可見光透過率、低輻射率、及良好的光熱比，提高產(chǎn)品的性能；而且在一定程度上避免了干擾色的產(chǎn)生；采用和玻璃材質(zhì)相近的高硬度材料作為間隔層電介質(zhì)組合層不僅可以在玻璃本體和銀層之間起到很好的粘接作用，并且可以抵消復(fù)合膜層的內(nèi)部應(yīng)力，特別是在抗劃傷、耐磨和抗腐蝕方面效果更加明顯，且顏色選擇多樣化，適用范圍較廣。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明公開的一種三銀低輻射鍍膜玻璃的結(jié)構(gòu)示意 圖2為本發(fā)明公開的一種三銀低輻射鍍膜玻璃制備工藝的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
本發(fā)明公開了一種三銀低輻射鍍膜玻璃，以達(dá)到提高可見光透過率、提升產(chǎn)品性能、擴(kuò)大顏色可選范圍的目的。如圖1、2所示，一種三銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃本體I以及涂布于玻璃本體上鍍膜，該鍍膜包括兩層電介質(zhì)組合層1-1與1-2、三層銀層2-1、2-2、2-3以及兩層間隔層電介質(zhì)組合層3-1、3-2，電介質(zhì)組合層、間隔層電介質(zhì)組合層均由SSTOx、CrNx> CdO> MnO2>InSbOx、TxO、SnO2、ZnO、ZnSnOx、ZnSnPbOx、ZrO2、AZ0、Si3N4、SiO2、SiOxNy、BiO2、Al2O3、Nb2O5'Ta2O5, In2O3^MoO3中的一種或多種膜層組成的組合層，且每種膜層可設(shè)置I層或多層。電介質(zhì)組合層1-1、1_2分別位于鍍膜層的上、下兩層，銀層2-1、2-2、2_3以及間隔層電介質(zhì)組合層3-1、3-2依次相間設(shè)置于兩層電介質(zhì)組合層之間。電介質(zhì)組合層的厚度為10-80nm,間隔層電介質(zhì)組合層的厚度為10_200nm,銀層的厚度為5_40nm。電介質(zhì)組合層與間隔層電介質(zhì)組合層均采用交流雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射方式或平面陰極、直流磁控濺射方式沉積形成膜層，銀層采用平面陰極、直流磁控濺射方式沉積形成膜層。其中電介質(zhì)組合層的厚度還可為15、20、30、50、70等，間隔層電介質(zhì)組合層的厚度為25、40、60、80、120、160nm等，銀層的厚度為5、10、16、20、26、8、35nm等。具體膜層厚度均視具體情況而定， 在此不做限制。交流雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射方式是在氬氧、氬氮或氬氧氮氛圍中進(jìn)行，平面陰極、直流磁控濺射方式是在純氬、氬氧或氬氮氛圍中進(jìn)行，中頻頻率可為20-40KHZ。一種三銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，采用真空磁控濺射鍍膜方式，具體工藝步驟如下
(1)、玻璃本體清洗干燥后，將其置于真空濺射區(qū)；
(2)、采用交流雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射方式或平面陰極、直流磁控濺射方式在玻璃本體上沉積形成第一電介質(zhì)組合層；
(3)、采用平面陰極、直流磁控濺射方式在所述第一電介質(zhì)組合層沉積形成第一銀層；
(4)、采用交流雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射方式或平面陰極、直流磁控濺射方式在所述第一銀層上沉積形成第一間隔層電介質(zhì)組合層；
(5)、采用平面陰極、直流磁控濺射方式在所述第一間隔層電介質(zhì)組合層上沉積形成第二銀層；
(6)、采用交流雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射方式或平面陰極、直流磁控濺射方式在所述第二銀層上沉積形成第二間隔層電介質(zhì)組合層；
(7)、采用平面陰極、直流磁控濺射方式在所述第二間隔層電介質(zhì)組合層上沉積形成第三銀層；
(8)、采用交流雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射方式或平面陰極、直流磁控濺射方式在所述第三銀層上沉積形成第二電介質(zhì)組合層；
(9)、形成產(chǎn)品。實(shí)施例I
本發(fā)明具體實(shí)施使用磁控濺射鍍膜機(jī)，包括23個(gè)交流旋轉(zhuǎn)雙陰極，8個(gè)直流平面陰極，采用下表列出的工藝參數(shù)，使用14個(gè)交流旋轉(zhuǎn)雙陰極，3個(gè)直流平面陰極，制出本發(fā)明三銀低輻射鍍膜玻璃，其工藝參數(shù)和靶的位置列表如下
三銀低輻射鍍膜玻璃靶位及工藝參數(shù)
權(quán)利要求
1.一種三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，包括玻璃本體以及涂布于所述玻璃本體上的鍍膜，所述鍍膜包括兩層電介質(zhì)組合層、三層銀層以及兩層間隔層電介質(zhì)組合層； 所述兩層電介質(zhì)組合層分別位于所述鍍膜層的上下兩層，所述三層銀層以及所述兩層間隔層電介質(zhì)組合層依次相間設(shè)置于所述兩層電介質(zhì)組合層之間； 所述電介質(zhì)組合層、間隔層電介質(zhì)組合層均由SSTOx、CrNx> CdO> MnO2> InSbOx> TxO、SnO2> ZnO> ZnSnOx> ZnSnPbOx> ZrO2> AZO> Si3N4、Si02、SiOxNy > BiO2>A1203> Nb2O5> Ta2O5> ln203、MoO3中的一層或多層膜層組成，且所述每種膜層可設(shè)置I層或多層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述電介質(zhì)組合層的厚度為 10_80nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述間隔層電介質(zhì)組合層的厚度為10-200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述銀層的厚度為5_40nmo
5.一種三銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，采用真空磁控濺射鍍膜方式，其特征在于，具體工藝步驟如下 (1)、玻璃本體清洗干燥后，將其置于真空濺射區(qū)； (2)、在所述玻璃本體上沉積形成第一電介質(zhì)組合層； (3)、在所述第一電介質(zhì)組合層沉積形成第一銀層； (4)、在所述第一銀層上沉積形成第一間隔層電介質(zhì)組合層； (5)、在所述第一間隔層電介質(zhì)組合層上沉積形成第二銀層； (6)、在所述第二銀層上沉積形成第二間隔層電介質(zhì)組合層； (7)、在所述第二間隔層電介質(zhì)組合層上沉積形成第三銀層； (8)、在所述第三銀層上沉積形成第二電介質(zhì)組合層； (9)、形成產(chǎn)品。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述電介質(zhì)組合層與間隔層電介質(zhì)組合層均采用交流雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射方式或平面陰極、直流磁控濺射方式沉積。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述銀層采用平面陰極、直流磁控濺射方式沉積。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的三銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述交流雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射方式是在氬氧、氬氮或氬氧氮氛圍中進(jìn)行。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的三銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述平面陰極、直流磁控濺射方式是在純氬、氬氧或氬氮氛圍中進(jìn)行。
全文摘要
一種三銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃本體以及涂布于所述玻璃本體上的鍍膜，所述鍍膜包括兩層電介質(zhì)組合層、三層銀層以及兩層間隔層電介質(zhì)組合層；所述兩層電介質(zhì)組合層分別位于所述鍍膜層的上下兩層，所述三層銀層以及所述兩層間隔層電介質(zhì)組合層依次相間設(shè)置于所述兩層電介質(zhì)組合層之間；所述電介質(zhì)組合層、間隔層電介質(zhì)組合層均由SSTOx、CrNx、CdO、MnO2、InSbOx、TxO、SnO2、ZnO、ZnSnOx、ZnSnPbOx、ZrO2、AZO、Si3N4、SiO2、SiOxNy、BiO2、Al2O3、Nb2O5、Ta2O5、In2O3、MoO3中的一種或多種膜層組成。本發(fā)明公開的三銀低輻射鍍膜玻璃，取消了傳統(tǒng)膜層結(jié)構(gòu)中的金屬阻擋層，采用新型材料的電介質(zhì)組合層對(duì)銀層進(jìn)行保護(hù)，這樣便可以有效降低膜層對(duì)可見光透過率的影響，從而得到較高的可見光透過率、低輻射率、及良好的光熱比；且顏色選擇多樣化，適用范圍較廣。
文檔編號(hào)C03C17/36GK102898040SQ20111021208
公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2011年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月27日
發(fā)明者林嘉宏 申請(qǐng)人:林嘉宏