專利名稱：：一種導(dǎo)電玻璃的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本實用新型涉及一種導(dǎo)電玻璃。
背景技術(shù)：
：在液晶顯示器件和平板顯示器件中常將導(dǎo)電玻璃用作電極層，表面涂敷有導(dǎo)電薄膜的透明玻璃基板即為導(dǎo)電玻璃。評價導(dǎo)電玻璃的光電特性的兩個主要特征在于其可見光透過率與電阻率；而目前常用的導(dǎo)電玻璃為在透明的玻璃基板上直接涂敷一層ITO(氧化銦錫)層的導(dǎo)電玻璃，該導(dǎo)電玻璃的可見光的透過率較低，且ITO層越厚，可見光的透過率越低，影響了該導(dǎo)電玻璃在顯示和電磁屏蔽等方面的應(yīng)用效果。因此，在不影響電阻率的前提下，有待開發(fā)可見光的透過率較高的導(dǎo)電玻璃。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有的導(dǎo)電玻璃的可見光的透過率較低的缺陷，提供一種可見光的透過率較高的導(dǎo)電玻璃。本實用新型提供了一種導(dǎo)電玻璃，該導(dǎo)電玻璃包括玻璃基材1和鍍覆在玻璃基材表面上的薄膜，所述薄膜包括透明導(dǎo)電層，其中，所述薄膜還包括增透層，所述透明導(dǎo)電層和增透層互相層疊，增透層位于玻璃基材表面和透明導(dǎo)電層之間，并且所述增透層為三層結(jié)構(gòu)。從表1的數(shù)據(jù)可以看出，本實用新型提供的導(dǎo)電玻璃Al-A3的電阻率與對比例1的導(dǎo)電玻璃D1的電阻率相差不大，但是本實用新型提供的導(dǎo)電玻璃Al-A3的可見光的透過率在95%以上，明顯高于對比例1的導(dǎo)電玻璃Dl的90%的可見光的透過率，從而說明了本實用新型提供的導(dǎo)電玻璃在不影響電阻率的前提下，能明顯提高可見光的透過率。此外，本實用新型提供的導(dǎo)電玻璃可以用于光電顯示器中，特別適合用于平板顯示器中。圖1為本實用新型提供的導(dǎo)電玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式如圖1所示，本實用新型提供了一種導(dǎo)電玻璃，該導(dǎo)電玻璃包括玻璃基材1和鍍覆在玻璃基材1表面上的薄膜，所述薄膜包括透明導(dǎo)電層5，其中，所述薄膜還包括增透層2，所述透明導(dǎo)電層5和增透層2互相層疊，增透層2位于玻璃基材1表面和透明導(dǎo)電層5之間，并且所述增透層2為三層結(jié)構(gòu)。如圖1所示，所述增透層2為包括增透層21、增透層22和增透層23的三層結(jié)構(gòu)，其中，第一層為增透層21，其厚度可以為50-150納米、優(yōu)選為90-120納米，第二層為增透層22，其厚度可以為120-200納米、優(yōu)選為150-180納米，第三層為增透層23，其厚度可以為20-80納米、優(yōu)選為40-60納米，且第一層與玻璃基材1接觸，第三層與透明導(dǎo)電層5接觸。本實用新型中，所述三層結(jié)構(gòu)中的第一層與第三層可以為折射率為2-3的透明金屬氧化物層，例如，可以為Ti02(折射率一般為2.5-2.8)和/或Nb205(折射率一般為2.2-2.3)禾口/或Ta205(折射率一般為2.1-2.3)層，優(yōu)選為Ti02層，根據(jù)該優(yōu)選實施方式，可以進一步提高導(dǎo)電玻璃的可見光的透過率；第二層可以為折射率為1-1.8的透明氧化物層，優(yōu)選為Si02(折射率一般為1.1-1.6)層，根據(jù)該優(yōu)選實施方式，可以進一步提高導(dǎo)電玻璃的可見光的透過率。所述透明導(dǎo)電層5的厚度可以為20-100納米、優(yōu)選為40-80納米，所述透明導(dǎo)電層5優(yōu)選為透明導(dǎo)電金屬氧化物層。所述透明導(dǎo)電金屬氧化物可以為各種可以用于導(dǎo)電玻璃中的透明導(dǎo)電金屬氧化物，例如可以為氧化銦錫、4氧化錫、氧化錫摻銻、氧化鋅和氧化鋅摻鋁中的一種或幾種，更優(yōu)選為氧化銦錫。所述玻璃基材1可以為導(dǎo)電玻璃中常用的玻璃基材，例如可以為鈉鈣玻璃、硼硅玻璃或無堿鋁硅酸鹽玻璃等。所述玻璃基材1的厚度可以為0.5-1.2毫米，優(yōu)選為0.55-1.1毫米。本實用新型中，所述透明導(dǎo)電層5和增透層2均可以使用常規(guī)的方法制得，例如可以使用蒸鍍或離子鍍的方法制得。進一步優(yōu)選采用離子鍍的方法制得，更進一步優(yōu)選采用磁控濺射離子鍍的方法制得。所述磁控濺射的方法可以使用本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的方法，該方法包括在濺射條件下，在磁控靶上施加電源使磁控靶上的靶材物質(zhì)濺射并沉積到玻璃基材1上，形成透明導(dǎo)電層5，其中，該方法還包括在形成透明導(dǎo)電層5之前，在玻璃基材1上形成增透層2，所述透明導(dǎo)電層5和增透層2互相層疊，并且所述增透層2為三層結(jié)構(gòu)。本實用新型中，從成本方面考慮，更進一步優(yōu)選所述增透層2釆用中頻反應(yīng)磁控濺射方法制得，所述透明導(dǎo)電層5采用直流磁控濺射方法制得。采用單室設(shè)備鍍制增透層2和透明導(dǎo)電層5。以下將對磁控濺射方法作詳細的說明。所述中頻反應(yīng)磁控濺射和直流磁控濺射均可以使用磁控濺射離子鍍設(shè)備，所述磁控濺射離子鍍設(shè)備主要包括真空室、真空系統(tǒng)、加熱裝置、控制系統(tǒng)、陰極及電源，所述玻璃基材l放置在工件架上。所述靶材含有靶材物質(zhì)，可以為單元素靶(即一個靶材中只含有一種靶材物質(zhì))或多^素靶(即一個靶材中含有多種靶材物質(zhì))，優(yōu)選為單元素靶，靶材物質(zhì)的純度優(yōu)選為大于99.9%。可以根據(jù)膜層的組成來選擇靶材物質(zhì)的種類。例如，當在玻璃基材l上鍍鈦時，靶材物質(zhì)為鈦；當在玻璃基材l上鍍不銹鋼時，靶材物質(zhì)為不銹鋼；當在玻璃基材1上鍍鉻時，靶材物質(zhì)為鉻。5所述磁控靶優(yōu)選為對靶結(jié)構(gòu)，可以根據(jù)需要使用一對或幾對磁控耙；每對磁控靶由一個電源供電，兩個磁控耙各自與電源的一極相連，并與整個真空室相絕緣。對靶的兩個磁控靶之間的距離可以為10-25厘米，優(yōu)選為14-22厘米。工架件可以圍繞真空室的中心軸順時針或逆時針轉(zhuǎn)動，其轉(zhuǎn)速可以為0.5-10轉(zhuǎn)/分鐘，優(yōu)選為2-6轉(zhuǎn)/分鐘。所述電源可以為現(xiàn)有的各種用于磁控濺射離子鍍的電源，當進行中頻反應(yīng)磁控濺射時，所述電源優(yōu)選為中頻電源，中頻電源的頻率一般可以為10-150千赫，優(yōu)選為10-100千赫；在濺射的過程中，所述中頻電源的功率可以為8-20千瓦，優(yōu)選為12-18千瓦。當進行直流磁控濺射時，所述電源為直流電源，在濺射的過程中，所述直流電源的功率可以為2-10千瓦，優(yōu)選為2-6千瓦。而且，一般來講，為了防止后形成的膜層對先形成的膜層造成不良影響，優(yōu)選形成后一層膜層時的電源功率不高于形成相鄰的前一層膜層時的電源功率。所述濺射條件可以為常規(guī)的濺射條件，例如中頻反應(yīng)磁控濺射的濺射條件可以包括絕對壓力為0.1-1.0帕，優(yōu)選為0.3-0.8帕；溫度為20-200。C，優(yōu)選為50-15(TC。直流磁控濺射的濺射條件可以包括絕對壓力為0.1-1.0帕，優(yōu)選為0.3-0.6帕；溫度為100-300。C，優(yōu)選為150-250°C。所述濺射時間和電源的功率使得增透層2中的三層結(jié)構(gòu)以及透明導(dǎo)電層5的厚度分別在所述范圍內(nèi)。所述玻璃基材1可以為任何適用于進行磁控濺射離子鍍的玻璃基材，例如，可以為鈉鈣玻璃、硼硅玻璃或無堿鋁硅酸鹽玻璃等。根據(jù)本實用新型，形成增透層2中的第一層結(jié)構(gòu)，例如形成Ti02底層時，所述磁控靶為鈦靶，所述靶材物質(zhì)為鈦；濺射時間可以為5-15分鐘，優(yōu)選為9-12分鐘，形成的增透層2中的第一層的厚度為50-150納米，優(yōu)選為90-120納米。6形成增透層2中的第二層結(jié)構(gòu)，例如形成SK)2中間層時，所述磁控革巴為硅靶，所述靶材物質(zhì)為二氧化硅;濺射時間可以為12-20分鐘，優(yōu)選為15-18分鐘，形成的增透層2中的第二層的厚度為120-200納米，優(yōu)選為150-180納米。形成增透層2中的第三層結(jié)構(gòu)，例如形成Ti02中間層時，所述磁控靶為鈦靶，所述耙材物質(zhì)為鈦；濺射時間可以為2-8分鐘，優(yōu)選為4-6分鐘，形成的增透層2中的第三層的厚度為20-80納米，優(yōu)選為40-60納米。形成透明導(dǎo)電層5，例如形成透明導(dǎo)電金屬氧化物面層時，所述磁控靶為該透明導(dǎo)電金屬氧化物靶，所述靶材物質(zhì)為該透明導(dǎo)電金屬氧化物，例如，當所述透明導(dǎo)電金屬氧化物為氧化銦錫時，所述磁控靶為氧化銦錫靶，所述靶材物質(zhì)為氧化銦錫；濺射時間可以為2-10分鐘，優(yōu)選為4-8分鐘，形成的透明導(dǎo)電金屬氧化物面層的厚度為20-100納米，優(yōu)選為40-80納米。所述增透層2的氣氛均為氧化性氣氛，所述氧化性氣氛可以為惰性氣體與氧氣的混合氣體氣氛；所述惰性氣體可以為氦氣和/或氬氣。所述惰性氣體與氧氣的流量比可以為l:1-3，所述氧氣的流量可以為50-300標準毫升/分鐘(sccm)，優(yōu)選為100-250sccm。通過使惰性氣體與氧氣的流量比以及氧氣的流量在上述范圍內(nèi)，例如，可以保證所要鍍覆的膜層為二氧化鈦層或二氧化硅層，而非鈦層或硅層。形成所述透明導(dǎo)電層5的氣氛為惰性氣體氣氛，所述惰性氣體的流量只要使濺射時的絕對壓力達到0.1-1.0帕即可，優(yōu)選為0.3-0.6帕，所述惰性氣體可以為氦氣或氬氣。所述磁控濺射離子鍍設(shè)備還可以包括偏壓裝置，偏壓裝置可以為偏壓電源，偏壓電源的正極與真空室的殼體相連，負極與工件架相連。為了提高薄膜的附著力，可以在濺射過程中對形成的薄膜進行清洗，即通過在玻璃基材1上施加偏壓電源的方法實現(xiàn)。偏壓電源的偏壓可以為50-2000伏，優(yōu)選為100-1500伏;占空比為15-90%，優(yōu)選為30-80%。在進行濺射之前，還可以對磁控靶進行清洗。例如，可以通過在0.5-1.5帕的壓力下在磁控靶上施加電源而對磁控耙進行清洗，該電源的頻率可以為10-150千赫，優(yōu)選為10-100千赫；該電源的功率可以為1-100千瓦，優(yōu)選為2-60千瓦。其中，對磁控靶進行清洗的步驟可以在所述磁控濺射離子鍍設(shè)備中進行。下面采用具體實施例對本實用新型進行進一步詳細說明。實施例1該實施例用于說明本實用新型提供的導(dǎo)電玻璃。制備圖l所示的導(dǎo)電玻璃。采用磁控濺射離子鍍設(shè)備(磁控濺射離子鍍膜機，北京北儀創(chuàng)新真空技術(shù)有限責任公司制造，型號為JP-700)，該磁控濺射離子鍍設(shè)備包括真空室、加熱裝置、工件架、磁控靶和偏壓裝置，加熱裝置、工件架和磁控靶位于真空室中。磁控靶為對靶結(jié)構(gòu)，包括一對鈦靶、一對硅靶和一對氧化銦錫靶。一對鈦靶的兩個靶之間的距離為18厘米，兩個靶與一個頻率為40千赫的電源的正負極相連；硅靶的兩個靶之間的距離為18厘米，兩個靶與另一個頻率為40千赫的電源的正負極相連；氧化銦錫靶的兩個靶之間的距離為18厘米，兩個靶與一個直流電源的正負極相連。鈉鈣玻璃基材l(din8903型號，厚度為0.55毫米)固定在工件架上，鈉鈣玻璃基材1位于對靶之間，與一對靶的兩個靶之間的距離相等。偏壓裝置為偏壓電源，偏壓電源的正極與真空室的殼體相連，負極與工件架相連。先將真空室中絕對壓力調(diào)至4X10—3帕，然后往真空室中充入氬氣，直至壓力為0.5帕，溫度調(diào)至15(TC，啟動鈦靶(即打開與鈦靶連接的電源)進行磁控濺射離子鍍，與鈦靶連接的電源的功率為15千瓦，同時打開所述偏壓電源，偏壓電源的偏壓為200伏，占空比為55%，工件架的轉(zhuǎn)速為2轉(zhuǎn)/分鐘，同時通入氧氣，維持真空室內(nèi)壓強不變，調(diào)整氬氣與氧氣的流量比為1:2，時間為10分鐘，在鈉鈣玻璃基材l表面形成Ti02底層21。然后，關(guān)閉鈦靶，啟動硅靶(即打開與硅靶連接的電源)，與硅靶連接的電源的功率為15千瓦，時間為17分鐘，在Ti02底層表面上形成Si02中間層22。再關(guān)閉硅靶，啟動鈦靶(即打開與鈦靶連接的電源)，與鈦靶連接的電源的功率為15千瓦，時間為5分鐘，在Si02中間層表面上形成Ti02中間層23。再關(guān)閉鈦靶，啟動氧化銦錫靶(即打開與氧化銦錫靶連接的直流電源)，同時停止通入氧氣，調(diào)節(jié)與氧化銦錫靶連接的直流電源的功率為4千瓦，時間為6分鐘，在Si02中間層表面上形成氧化銦錫面層5。最后，關(guān)閉氧化銦錫靶、偏壓電源，自然冷卻至8(TC時，取出鈉鈣玻璃基材1，用上海蔡康儀器有限公司DMM-660D型號的顯微鏡測得鈉鈣玻璃基材1表面的Ti02底層21、Si02中間層22、Ti02中間層23和氧化銦錫面層5的膜層厚度分別為100納米、170納米、55納米和60納米，記作導(dǎo)電玻璃Al。對比例1該對比例用于說明現(xiàn)有的導(dǎo)電玻璃。按照與實施例1相同的方法制備導(dǎo)電玻璃D1，不同的是，僅在鈉鈣玻璃基材上形成60納米厚的氧化銦錫面層。實施例2制備圖1所示的導(dǎo)電玻璃。該實施例用于說明本實用新型提供的導(dǎo)電玻璃。采用磁控濺射離子鍍設(shè)備(磁控濺射離子鍍膜機，北京北儀創(chuàng)新真空技術(shù)有限責任公司制造，型號為JP-700)，該磁控濺射離子鍍設(shè)備包括真空室、加熱裝置、工件架、磁控靶和偏壓裝置，加熱裝置、工件架和磁控靶位于真空室中。磁控靶為對靶結(jié)構(gòu)，包括一對鈦靶、一對硅靶和一對AZO(氧化鋅摻鋁)靶。一對鈦靶的兩個靶之間的距離為18厘米，兩個靶與一個頻率為40千赫的電源的正負極相連；硅靶的兩個靶之間的距離為18厘米，兩個靶與另一個頻率為40千赫的電源的正負極相連；AZO靶的兩個靶之間的距離為18厘米，兩個靶與一個直流電源的正負極相連。硼硅玻璃基材l(7059型號，厚度為U毫米)固定在工件架上，硼硅玻璃基材l位于對靶之間，與一對靶的兩個靶之間的距離相等。偏壓裝置為偏壓電源，偏壓電源的正極與真空室的殼體相連，負極與工件架相連。先將真空室中絕對壓力調(diào)至4X10^帕，然后往真空室中充入氬氣，直至壓力為0.5帕，溫度調(diào)至150°C，啟動鈦靶(即打開與鈦靶連接的電源)進行磁控濺射離子鍍，與鈦靶連接的電源的功率為15千瓦，同時打開所述偏壓電源，偏壓電源的偏壓為200伏，占空比為55%，工件架的轉(zhuǎn)速為2轉(zhuǎn)/分鐘，同時通入氧氣，維持真空室內(nèi)壓強不變，調(diào)整氬氣與氧氣的流量比為1:1，時間為9分鐘，在硼硅玻璃基材1表面形成Ti02底層21。然后，關(guān)閉鈦靶，啟動硅靶(即打開與硅靶連接的電源)，與硅靶連接的電源的功率為15千瓦，時間為15分鐘，在Ti02底層表面上形成Si02中間層22。再關(guān)閉硅靶，啟動鈦靶(即打開與鈦靶連接的電源)，與鈦靶連接的電源的功率為15千瓦，時間為4分鐘，在Si02中間層表面上形成Ti02中間層23。再關(guān)閉鈦靶，啟動AZO靶(即打開與AZO靶連接的直流電源)，同時停止通入氧氣，調(diào)節(jié)與AZO靶連接的直流電源的功率為4千瓦，時間為4分鐘，在Si02中間層表面上形成AZO面層5。最后，關(guān)閉AZO靶、偏壓電源，自然冷卻至8(TC時，取出硼硅玻璃基材1，用上海蔡康儀器有限公司DMM-660D型號的顯微鏡測得硼硅玻璃基材1表面的Ti02底層21、Si02中間層22、Ti02中間層23和AZO面層5的膜層厚度分別為90納米、150納米、40納米和40納米，記作導(dǎo)電玻璃A2。實施例3制備圖l所示的導(dǎo)電玻璃。該實施例用于說明本實用新型提供的導(dǎo)電玻璃。采用磁控濺射離子鍍設(shè)備(磁控濺射離子鍍膜機，北京北儀創(chuàng)新真空技術(shù)有限責任公司制造，型號為JP-700)，該磁控濺射離子鍍設(shè)備包括真空室、加熱裝置、工件架、磁控靶和偏壓裝置，加熱裝置、工件架和磁控靶位于真空室中。磁控靶為對靶結(jié)構(gòu)，包括一對鈮靶、一對硅靶和一對ATO(氧化錫摻銻)靶。一對鈮靶的兩個靶之間的距離為18厘米，兩個靶與一個頻率為40千赫的電源的正負極相連；硅靶的兩個靶之間的距離為18厘米，兩個靶與另一個頻率為40千赫的電源的正負極相連；ATO靶的兩個靶之間的距離為18厘米，兩個靶與一個直流電源的正負極相連。無堿鋁硅酸鹽玻璃基材1(88412型號，厚度為0.8毫米)固定在工件架上，無堿鋁硅酸鹽玻璃基材l位于對靶之間，與一對靶的兩個靶之間的距離相等。偏壓裝置為偏壓電源，偏壓電源的正極與真空室的殼體相連，負極與工件架相連。先將真空室中絕對壓力調(diào)至4X10—帕，然后往真空室中充入氬氣，直至壓力為0.5帕，溫度調(diào)至150°C，啟動鈮靶(即打開與鈮靶連接的電源)進行磁控濺射離子鍍，與鈮靶連接的電源的功率為15千瓦，同時打開所述偏壓電源，偏壓電源的偏壓為200伏，占空比為55%，工件架的轉(zhuǎn)速為2轉(zhuǎn)ii/分鐘，同時通入氧氣，維持真空室內(nèi)壓強不變，調(diào)整氬氣與氧氣的流量比為1:3，時間為12分鐘，在無堿鋁硅酸鹽玻璃基材1表面形成Nb20s底層21。然后，關(guān)閉鈮靶，啟動硅靶(即打開與硅靶連接的電源)，與硅靶連接的電源的功率為15千瓦，時間為18分鐘，在Nb20s底層表面上形成Si02中間層22。再關(guān)閉硅耙，啟動鈮耙(即打開與鈮耙連接的電源)，與鈮靶連接的電源的功率為15千瓦，時間為6分鐘，在Si02中間層表面上形成Nb20s中間層23。再關(guān)閉鈮靶，啟動ATO靶(即打開與ATO靶連接的直流電源)，同時停止通入氧氣，調(diào)節(jié)與ATO靶連接的直流電源的功率為4千瓦，時間為8分鐘，在Nb20s中間層表面上形成ATO面層5。最后，關(guān)閉ATO靶、偏壓電源，自然冷卻至80。C時，取出無堿鋁硅酸鹽玻璃基材1，用上海蔡康儀器有限公司DMM-660D型號的顯微鏡測得無堿鋁硅酸鹽玻璃基材1表面的Nb205底層21、Si02中間層22、Nb2Os中間層23和ATO面層5的膜層厚度分別為120納米、180納米、60納米和80納米，記作導(dǎo)電玻璃A3。下面測試導(dǎo)電玻璃的光電特性。<可見光的透過率測試>導(dǎo)電玻璃的可見光的透過率可以用優(yōu)尼科公司W(wǎng)FJ2100型號的分光光度計儀器測得。<電阻率測試〉導(dǎo)電玻璃的電阻率可通過型號為SZ-82S的數(shù)字式四探針測試儀測量。按照上述方法分別測試由實施例1-3以及對比例1制得的導(dǎo)電玻璃的光電特性，結(jié)果如表l所示。12表1<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>從表1的數(shù)據(jù)可以看出，本實用新型提供的導(dǎo)電玻璃Al-A3的電阻率與對比例1的導(dǎo)電玻璃D1的電阻率相差不大，但是本實用新型提供的導(dǎo)電玻璃A1-A3的可見光的透過率在95%以上，明顯高于對比例1的導(dǎo)電玻璃Dl的90%的可見光的透過率，從而說明了本實用新型提供的導(dǎo)電玻璃在不影響電阻率的前提下，能明顯提高可見光的透過率。權(quán)利要求1、一種導(dǎo)電玻璃，該導(dǎo)電玻璃包括玻璃基材和鍍覆在玻璃基材表面上的薄膜，所述薄膜包括透明導(dǎo)電層，其特征在于，所述薄膜還包括增透層，所述透明導(dǎo)電層和增透層互相層疊，增透層位于玻璃基材表面和透明導(dǎo)電層之間，并且所述增透層為三層結(jié)構(gòu)。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述三層結(jié)構(gòu)中，第一層的厚度為50-150納米，第二層的厚度為120-200納米，第三層的厚度為20-80納米，且第一層與玻璃基材接觸，第三層與透明導(dǎo)電層接觸。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述三層結(jié)構(gòu)中，第一層的厚度為90-120納米，第二層的厚度為150-180納米，第三層的厚度為40-60納米。4、根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項所述的導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述三層結(jié)構(gòu)中的第一層與第三層為折射率為2-3的透明金屬氧化物層，第二層為折射率為1-1.8的透明氧化物層。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層的厚度為20-100納米。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層的厚度為40-80納米。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述玻璃基材的厚度為0.5-1.2毫米。專利摘要本實用新型提供了一種導(dǎo)電玻璃，該導(dǎo)電玻璃包括玻璃基材和鍍覆在玻璃基材表面上的薄膜，所述薄膜包括透明導(dǎo)電層，其中，所述薄膜還包括增透層，所述透明導(dǎo)電層和增透層互相層疊，增透層位于玻璃基材表面和透明導(dǎo)電層之間，并且所述增透層為三層結(jié)構(gòu)。本實用新型提供的導(dǎo)電玻璃在不影響電阻率的前提下，能明顯提高可見光的透過率。此外，本實用新型提供的導(dǎo)電玻璃可以用于光電顯示器中，特別適合用于平板顯示器中。文檔編號C03C17/34GK201264966SQ20082011649公開日2009年7月1日申請日期2008年6月30日優(yōu)先權(quán)日2008年6月30日發(fā)明者胡宏健申請人:比亞迪股份有限公司