專利名稱：：電介質(zhì)陶瓷組合物及電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及例如作為^jl陶瓷電容器的電介質(zhì)層等使用的電介質(zhì)陶瓷組合物和將該電介質(zhì)陶瓷組合物作為電介質(zhì)層使用的電子部件。作為電子部件的一例的疊層陶瓷電容器例如是將生芯片(歹U—y于、_y7s)進(jìn)行燒成(焼成)而制造的，所述生芯片是交^^疊包含規(guī)定的電介質(zhì)陶瓷組合物的陶瓷生片(歹!J一y^—卜)和規(guī)定圖案的內(nèi)部電極層，其后進(jìn)4亍一體化而得到的。疊層陶瓷電容器的內(nèi)部電極層為了通過(guò)燒成與陶瓷電介質(zhì)一體化，需要選擇不與陶瓷電介質(zhì)反應(yīng)的材料。因此，作為構(gòu)成內(nèi)部電極層的材料，以往不得已4OT鉑、鈀等高^(guò)m金屬。另一方面，蹄開(kāi)發(fā)了可以4頓鎳、銅等廉價(jià)的賤金屬的電介質(zhì)陶瓷組合物，實(shí)現(xiàn)了成本的大幅斷氏。作為這種電介質(zhì)陶瓷組合物，例如在日本特開(kāi)平11—92220號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了一種電介質(zhì)陶瓷組合物，其含有{BaO}mTi02+M203+R203+BaZr03+MgOMnO(M203是SczOs和/或Y203、R203是Eu203、Gd203、Tb203、Dy203的至少一種)類的主成分100重量份和Li20-(Si，Ti)02—M0(MO是Ab03禾口/或Zr02)或Si02—Ti02—X0(X0是BaO、CaO、SiO、MgO、ZnO、MnO的至少一種)類的副成分0.23.0重量份。在，日本特開(kāi)平11—92220號(hào)公報(bào)中，其目的是提供一種在高電場(chǎng)販下CR積良好，且DC偏壓特性(/W77特性)、耐氣候性能優(yōu)異的疊層陶瓷電容器。但是，在該日本特開(kāi)平11—92220號(hào)公報(bào)中，電容器的電容率(比誘電率)低至1500左右，除了不育,小型，大容量化的問(wèn)題，還由于具體的實(shí)施例中的電介質(zhì)層的層間厚度為30拜，而存在不能艦電介質(zhì)層的薄層化的問(wèn)題。,來(lái)，隨著電子設(shè)備的小型化、高功能化及高性能化的進(jìn)展，進(jìn)一步增大了疊層陶瓷電容器向更小型、更大容量的方向發(fā)展的要求。對(duì)此，多采用通過(guò)電介質(zhì)材料的改良實(shí)現(xiàn)高電容率、薄化電介質(zhì)層的厚度增加層疊數(shù)等的對(duì)策，但是隨著電介質(zhì)的薄層化的進(jìn)展確l^命等的可靠性變得困難。而且，由于小型化、高功能化使電子電路高密度化，因此f頓時(shí)的發(fā)熱導(dǎo)致的鵬上升也變大，另外便攜設(shè)備等在室外4頓的機(jī)會(huì)增大，比以往更嚴(yán)格要求相對(duì)于、鵬變化的特性變化小。因此，即使在薄層化時(shí)也要求維持高的電容率(例如3500以上)且提高靜電容量的纟鵬特性。但是，如上所述在日本特開(kāi)平11—92220號(hào)公報(bào)的電容器中沒(méi)有考慮電介質(zhì)層的薄層化，在薄層化的情況下維持高電容率的同時(shí)實(shí)現(xiàn)良好的溫度特性是困難的。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為解決以上的現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題而提出的，其目的在于衛(wèi)共一種即使在薄層化盼膚況下，也顯示高電容率、同時(shí)具有良好的溫度特性，且CR積、破壞電壓、DC偏壓特性、高M(jìn)jJP聽(tīng)綺特性良好的電介質(zhì)陶瓷組合物。另外，本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有用該電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成的電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層的疊層陶瓷電容器等的電子部件。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明人進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)Mil使用特定組成的電介質(zhì)陶瓷組合物能夠超U戰(zhàn)目的，從而完成了本發(fā)明。艮P，解決J^課題的本發(fā)明的第一觀點(diǎn)的電介質(zhì)陶瓷組合物，作為主成分具有BaTiCb，相對(duì)于主成分100摩爾，作為副成分，以各氧化物或復(fù)賴化物換算，含有MgO:0.503.0摩爾、MnO:0.050.5摩爾、選自Sm、Eu、Gd中的元素的氧化物(RE1203)、選自Tb、Dy中的元素的氧化物(RE2203)、選自Y、Ho、Er、Yb、Tm、Lu中的元素的氧化物(RE3203)，BaZr03:0.201.0摩爾、和選自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物0.050.25摩爾，，RE1203、1^2203及11￡3203的含量滿足賦03<賦03和(RE、03+RE2203)《RE3203。在第一觀點(diǎn)中怖先，相對(duì)于主成分100摩爾，J^RE、03、RE2203和RE3203的含量滿足0.30摩爾《(REV)3+RE2203+RE3203)《1.50摩爾。在第一觀點(diǎn)中tt^相對(duì)于主成分100摩爾還含有0.40~2.0摩爾燒結(jié)助劑作為副成分。在第一觀點(diǎn)中imi:述R^是Gd，上述RE2是Dy，戰(zhàn)RE3是Y。艮P，解決J^課題的本發(fā)明的第二觀點(diǎn)的電介質(zhì)陶瓷組合物，作為主成分具有BaTi03，相對(duì)于主成分100摩爾，作為副成分，以各氧化物或復(fù)賴化物換算，含有MgO:0.502.50摩爾、MnO:0.050.35摩爾、RE4^(其中，RE4是Gd以外的稀土類元素)0.401.50摩爾、Gd203:0.030.10摩爾(不包括0.10摩爾)、BaZr03:0.200.70摩爾、和選自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物0.020.15摩爾。在第二觀點(diǎn)中雌，上述RE4魏自Y、Ho、Dy、Er、Yb中的至少一種。在第二觀點(diǎn)中優(yōu)選，相對(duì)于主成分100摩爾，還含有燒結(jié)助劑0.401.50摩爾作為副成分。更imi^燒結(jié)助劑由選自Si、B、Li中的至少一種元素的氧化鵬成。另外，本發(fā)明的第一觀點(diǎn)和第二觀點(diǎn)的電介質(zhì)陶瓷組合物都雌標(biāo)戰(zhàn)BaTi03中的Ba和Ti的摩爾比的Ba/Ti為0.9971.003，ifc^g，BaTi03的晶格的c軸的晶格常數(shù)和a軸的晶格常數(shù)的比c/a為1.0095以上。本發(fā)明的電子部件具有用，任一項(xiàng)所述的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成的電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層。作為電子部件沒(méi)有特別的限定，可以列舉疊層陶瓷電容器、壓電元件、片式電感、片式壓敏電阻、片式熱敏電阻、片式電阻、其它表面安裝(SMD)片型電子部件。根據(jù)本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物，即4吏層厚設(shè)為0.52.0pm時(shí)也肖,實(shí)現(xiàn)高電容率(例如，3500以上)，同時(shí)育,滿足容量^^特性(例如，EIA規(guī)格的X5R特艦X6S特性)，且CR積、IR壽命、破壞電壓、DC偏壓特性也良好。因此，在具有由上述電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成的電介質(zhì)層的電子部件、尤其是疊層陶瓷電容器中，電介質(zhì)層被薄層化，而且由于電介質(zhì)的優(yōu)異特性在實(shí)現(xiàn)大容量的同時(shí)，即使在嚴(yán)酷的使用環(huán)境下也會(huì),保證高可靠性。以下根據(jù)圖所示的實(shí)施方式說(shuō)明本發(fā)明。圖1是本發(fā)明一實(shí)船式的4M陶瓷電容器的剖面圖2是本發(fā)明的一實(shí)施方式的ftM陶瓷電容器的制造工序的淑呈圖。具體實(shí)施方式第一實(shí)施方式第一實(shí)施方式涉及本發(fā)明的第一觀點(diǎn)。如圖1所示，本發(fā)明一實(shí)"式的疊層陶瓷電容器1具有將電介質(zhì)層2和內(nèi)部電極層3交替層疊而構(gòu)成的電容器元件本體10。在該電容器元件本體10的兩端部形成有與在元件本體10的內(nèi)部交替隨的內(nèi)部電極層3分別導(dǎo)通的一對(duì)外部電極4。對(duì)電容器元件本體10的Wt沒(méi)有特別限制，但是，通常制成長(zhǎng)方體微。另外，對(duì)其尺寸也沒(méi)有特別的限制，根據(jù)用途制成適當(dāng)?shù)某叽缂纯?。?nèi)部電極層3以各端面在電容器元件本體10的相對(duì)的2端部的表面交替露出的方式層疊。一對(duì)外部電極4形成在電容器元件本體10的兩端部，與交替配置的內(nèi)部電極層3的露出端面連接，構(gòu)成電容器電路。電介質(zhì)層2含有本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組，。本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物含有作為主成分的BaTi03，作為副成分的MgO、MnO、選自Sm、Eu、Gd中的元素的氧化物(RE^O^選自Tb、Dy中的元素的氧化物(RE2203)、選自Y、Ho、Er、Yb、Tm、Lu中的元素的氧化物(RE3203)、BaZi03、及選自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物。這時(shí)，氧(0)量也可以與上式的化學(xué)itl:組成有^T偏差。作為主成分的BaTi03具有藥鈦礦型晶體結(jié)構(gòu)，Ba占有A位，Ti占有B位。在本實(shí)施方式中，g該Ba和Ti的摩爾比的Ba/Ti,為0.9971.003，更優(yōu)選為0.9981.002，進(jìn)一步,為0.9981.001。Ba/Ti過(guò)小時(shí)，在燒結(jié)時(shí)容易產(chǎn)生電介質(zhì)層的異常晶粒成長(zhǎng)(異常粒成長(zhǎng))，并且，有容量^S特性、DC偏壓特'MIR^^惡化的傾向。另一方面，Ba/Ti過(guò)大時(shí)，不僅有電容率斷氐的傾向，而且有燒結(jié)性附氏，燒成溫度增高的傾向，成為構(gòu)造缺陷(分層皿紋)的原因。另外，戰(zhàn)的鈣鈦礦型晶體結(jié)構(gòu)根據(jù)纟鵬而變化，在居里點(diǎn)以下的常溫為正方晶系，在居里點(diǎn)以上時(shí)為立方晶系。在立方晶系中，各結(jié)晶軸(a軸、b軸、c軸)的晶格常數(shù)相等，但是在正方晶系中，一個(gè)軸(c軸)的晶格常數(shù)比其它軸(a軸^b軸))的晶格常數(shù)長(zhǎng)。因此，在正方晶系中，構(gòu)成結(jié)晶的各離子(Ba"、T產(chǎn)、O2—)離位，正負(fù)電荷的重'lM扁移，產(chǎn)生自發(fā)極化。結(jié)果是正方晶系的BaTiOs顯示比立方晶系的BaTi03更高的電容率。在本實(shí)施方式中，gc軸的晶格常數(shù)和a軸的晶格常數(shù)的比的c/a雌為1.0095以上，更雌為1.0097以上，進(jìn)一步，為1.0098以上。c/a過(guò)小時(shí)，有得不到高電容率的傾向，同時(shí)難以抑制BaTi03與副成分的反應(yīng)，因此，燒成后的電介質(zhì)粒子有難以形成明確的核殼構(gòu)造的傾向。要說(shuō)明的是，不必所有的BaTi03粒子的c/a滿足戰(zhàn)的范圍。艮P，例如在BaTi03的原料粉末中，正方晶系的BaTi03粒子和立方晶系的BaTi03粒子也可以共存，原料粉末的BaTi03鄉(xiāng)的正方晶性高，c/a在i^范圍即可。作為副成分的MgO具有使容量^m特性平坦化的效果，相對(duì)于主成分100摩爾，以MgO換算含有0.503.0摩爾，^i^含有1.03.0摩爾，更雌含有1.52.5摩爾。MgO的含量過(guò)少時(shí)，燒結(jié)時(shí)產(chǎn)生急劇的晶粒成長(zhǎng)，不能得到所希望的容量鵬特性和DC偏壓特性。另一方面，MgO的含量過(guò)多時(shí)，有電容率斷氐，容量離特性惡化的傾向。MnO具有，燒結(jié)的，、提高絕緣電阻IR的效果和延長(zhǎng)IRa的效果。相對(duì)于主成分100摩爾，以MnO換算含有0.050.5摩爾，,含有0.050.4摩爾，更雌含有0.100.35摩爾。她0的含量過(guò)少時(shí)，絕緣電阻大幅度斷氐，同時(shí)CR積、可靠性也斷氏。另外，MnO的含量過(guò)多時(shí)，絕緣電阻OR)降低，同時(shí)有電容斜口燒結(jié)性陶氐的傾向。RE1、RE2和RE3是將稀土元素按離子半徑分類，R^是選自Sm、Eu、Gd中的元素，RE2魏自Tb、Dy中的元素，RE3魏自Y、Ho、Er、Yb、Tm、Lu中的元素。本發(fā)明中，以將選自RE1、RE2和RE3的各分類中的3種稀土類的氧化物進(jìn)fi^且合作為特征，其特征為其含量RE、03〈RE2203，且(RE、03十RE2203)《RE3203。另外，相對(duì)于主成分100摩爾，RE、03、RE2203、RE3203的^i十含量iM為0.30摩爾1.50摩爾，更,為0.30摩爾1.25摩爾。Mil滿足J^含量的關(guān)系，可抑制稀土類向核的擴(kuò)散，同時(shí)可提高可靠性。即使改變?cè)赗E1、RE2、RE3的稀土類素的氧化物的組內(nèi)選定的元素也顯示大致相同的特性，但雌R^為Gd、RE2為Dy、虹3為丫。RE、03的添加M3lRE2203時(shí)，高溫側(cè)的容動(dòng)鵬變化率惡化。另外，由于RE、03向核的擴(kuò)散，有電容率下降的傾向。RE1203和RE2203的^i十含M3！RE3203的含量時(shí)，容易引起晶粒成長(zhǎng)，并且IR壽命、容量^^特性也惡化。RE203、RE2203和RE3203的總量相對(duì)于主成分100摩爾不足0.30摩爾時(shí)，對(duì)IR壽命的提高沒(méi)有^媒，艦1.50摩爾時(shí)燒結(jié)性陶氏，有燒淑鵬提高的傾向。另外，有電容率降低、IR壽命、CR積也惡化的傾向。BaZr03具有改善電容率、介質(zhì)損耗和容獻(xiàn)^特性的效果。通3U^的Gd固溶于BaTi03粒子內(nèi)，BaZr03中的Zr不會(huì)擴(kuò)散到BaTiO3粒子內(nèi)部，有在BaTi03粒子的外側(cè)部分形成含有Zr的殼層的傾向。結(jié)果能夠發(fā)揮Jd悉的效果。另外，在本實(shí)施方式中，雌以復(fù)賴化物即BaZi03的條作為副成分原料^頓。在以Ba0和ZrO2的^j乍為副成分原料f頓時(shí)，Zr向BaTi03粒子內(nèi)過(guò)多擴(kuò)散，IR壽，的特性惡化。BaZrO3相對(duì)于主成分100摩爾，以BaZK)3換算含有0.201.0摩爾，含有0.200.70摩爾，進(jìn)一步，含有0.200.50摩爾。BaZr03的含量過(guò)少時(shí)，有電容率降低，并且絕緣電阻(IR)和IR壽命惡化的傾向。另一方面，BaZrOs的含量過(guò)多時(shí)，有容量驗(yàn)特性和DC偏壓特性惡化的傾向。要說(shuō)明的是，BaZi03在燒結(jié)后不是作為BaZr03檢出，而是作為Zr檢出。選自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物具有提高IRM的效果。在這些氧化物中，優(yōu)i^^用V的氧化物，尤其^t^采用V205。V、Ta、Mo、Nb、W的氧化物相對(duì)于主成分100摩爾，分別以V20s、Ta205、Mo03、N^05、W03換算，含量為0.050.25摩爾，雌含量為0.050.20摩爾，更tti^含量為0.050.15摩爾。這些氧化物的含量過(guò)少時(shí)，得不到可靠性(IR壽命)提高的艦。另外，這些氧化物的含量過(guò)多時(shí)，有絕緣電阻大幅度斷氐的傾向。在本實(shí)施方式中，本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物還含有燒結(jié)助劑。作為含有的燒結(jié)助劑，可以使用作為燒結(jié)助劑起作用的各種化合物。作為這種化合物，例如，可列舉Si02、Li20和B203等，但是在本發(fā)明中{頓Si02。相對(duì)于主成分100摩爾，燒結(jié)助劑，含有0.40摩爾2.0摩爾，更iti^含有0.401.75摩爾，進(jìn)一步^^含有0.401.50摩爾。燒結(jié)助齊啲含量過(guò)少時(shí)，電介質(zhì)陶瓷組合物的燒結(jié)不充分，有電容率降低，并且絕緣電阻、破壞電壓及取絲大大斷氐的傾向。另一方面，燒結(jié)助劑的含量過(guò)多時(shí)，有電容率降低的傾向。在本說(shuō)明書(shū)中，用化學(xué)計(jì)量組成表示構(gòu)成主成分禾咯副成分的各氧化物或復(fù)^化物，但是，各氧化物或復(fù)^化物的氧化狀態(tài)也可以是化學(xué)計(jì)量組成之外的組成。各副成分的上述比率從構(gòu)成各副成分的氧化物或復(fù)^化物中含有的金屬量換算成，化學(xué)計(jì)量組成的氧化物或復(fù)合氧化物而求出。對(duì)電介質(zhì)層2的厚度沒(méi)有特別的限定，每一層為2.0叫以下，更雌為1.0nm以下。對(duì)厚度的下限沒(méi)有特另啲限定，例如為0.5Mm左右。根據(jù)本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物，即使將層間厚度設(shè)定為0.52.0拜盼瞎況下，也育,形成如下這樣的電介質(zhì)層，艮P，電容率為3500以上，在高的電場(chǎng)弓雖(4V/nm)下的CR積在20。C為1500aF以上，破壞電壓也為lOOV/^un以上非常高，施加2V4im的靜電電容斷氐率為35%以下，在150°C以lOV/pm施加電壓的加3W^逸驗(yàn)中的絕緣阻癡逸到104Q的時(shí)間為5小時(shí)以上。對(duì)電介質(zhì)層2的層纖沒(méi)有特別的限定，但是雌為200以上，更為400以上。對(duì)電介質(zhì)層2中含有的電介質(zhì)粒子的平均結(jié)晶粒徑?jīng)]有特別限定，根據(jù)電介質(zhì)層2的厚度等，例如只要從0.10.5拜的范圍適當(dāng)決定即可，雌為0.203拜。另外，電介質(zhì)層中含有的電介質(zhì)粒子的平均結(jié)晶粒徑如下測(cè)定。首先，將得到的電容器i辦用與內(nèi)部電極垂直的面進(jìn)，ft刀斷，研磨其切斷面。然后，對(duì)其研磨面實(shí)施化學(xué)浸蝕，之后，通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)進(jìn)行觀察，利用編碼法(-一K法)將電介質(zhì)粒子的形狀假設(shè)為球算出平均結(jié)晶粒徑。對(duì)內(nèi)部電極層3中含有的導(dǎo)電材料沒(méi)有特別的限定，但是由于電介質(zhì)層2的構(gòu)成材料具有耐還原性，因此可^ffl賤金屬。作為導(dǎo)電材料使用的賤金屬優(yōu)選Ni或M合金。作為Ni合金，i^選自Mn、Cr、Co和Al中的一種以上元素與Ni的合金，，合金中的Ni含量為95重量％以上。對(duì)外部電極4中含有的導(dǎo)電材料沒(méi)有特另啲限定，但是，在本發(fā)明中可使用廉價(jià)的M、Cu或它們的合金。外部電極4的厚度只要根據(jù)用途等適當(dāng)決定即可，通常,為1050拜左右。應(yīng)用了本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物的SJ1陶瓷電容器和現(xiàn)有的4M陶瓷電容器同樣，通過(guò)使用糊料的通常的印刷法、片材法(9一卜法)制造生芯片，對(duì)其進(jìn)行燒成后，印刷或轉(zhuǎn)印外部電極并進(jìn)行燒棘制造。下面，對(duì)制造方法進(jìn)行具體說(shuō)明。首先，準(zhǔn)備電介質(zhì)層用糊料中含有的電介質(zhì)陶瓷組合物粉末。如圖2所示，將主成分原料和副成分原料il3i^磨機(jī)等進(jìn)行混合，得到電介質(zhì)陶瓷組^l粉末。作為主成分的原料使用BaTi03。作為該主成分的原料的制造方法沒(méi)有特別限定，可以將通過(guò)共沉淀法、溶膠々鵬法、^角雜、沉淀混合法等得到的沉淀物和副成分原料的混，進(jìn)行煅曉(仮焼)。作為副成分原料，可以4柳Jd^的氧化物、其混^t/、復(fù)賴化物，但是，也可從通過(guò)燒成成為上述氧化物、復(fù)^ft化物的各種化合物，例如碳酸鹽、草酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、有機(jī)金屬化合物等中適當(dāng)選擇，混合使用。對(duì)上述的電介質(zhì)陶瓷組合物粉末的制造方法沒(méi)有特另啲限定，作為戰(zhàn)方法以外的方法，在制it^成分原料時(shí)，在主成分的初始原料中混合副成分原料，通過(guò)固相法、液相法等制造主成分原料的同時(shí)得到電介質(zhì)陶瓷組合物粉末也可以。確定得到的電介質(zhì)陶瓷組合物粉末中的各化合物的含量，使得燒成后成為，的電介質(zhì)陶瓷組合物的組成即可。主成分原料即BaTi03的平均粒徑在涂料化(塗料化)前的狀態(tài)下，優(yōu)選為0.25拜以下，更im為0.150.25nm。通過(guò)i頓這種平均粒徑小的原料，在BaTi03的原料粉末中，比立方晶系的BaTi03粒子穩(wěn)定的正方晶系的BaTi03粒子增多。因此，原料粉末的正方晶性提高，可以將原料粉末的BaTi03辦的c軸的晶格常數(shù)和a軸的晶格常數(shù)的比即c/a設(shè)定為所需的范圍。另外，副成分原料的平均粒徑優(yōu)選為0.050.20Mm，更優(yōu)選為0.050.15拜。ffiil混合戰(zhàn)的主成分原料及副成分原料，在燒成時(shí)可進(jìn)行均勻的燒結(jié)，因此，不易產(chǎn)紋或分層，也有提高元件的耐熱性的媒。另外，iM:使電介質(zhì)陶瓷組^/粉末的粒度分布的下限值雌為0.05拜以上，更為0.050.10nm，育,抑制異常晶粒成長(zhǎng)，防止容量的溫度特性惡化。根據(jù)上述的電介質(zhì)陶瓷組合物粉末，由于粒度分布窄，因此，能夠制腿于薄層的生片，且在將層厚薄層化為0.52.0拜時(shí)，也能夠得到穩(wěn)定的電特性。要說(shuō)明的是，原料粉體的平均粒徑和粒度分布可如下確定，將粉末拍攝30000倍的SEM照片，算出其中的任意的1000個(gè)粒子的面積，計(jì)割每那些粒子看成球時(shí)的直徑，從得到的直徑可以決定平均粒徑和粒度分布。上述的主成分和副成分的原料也可以進(jìn)一步進(jìn)行煅燒等。要說(shuō)明的是，作為煅燒斜牛，例如，^i^射鵬^g設(shè)定為800110(TC，雌將'/鵬時(shí)間設(shè)定為14小時(shí)。如圖2所示，將得到的電介質(zhì)陶瓷組合物粉末制,料(塗料化)，調(diào)制電介質(zhì)層用糊料。電介質(zhì)層用糊料可以是混合了電介質(zhì)陶瓷組合物粉末和有機(jī)連接料(有機(jī)匕、't夕^)的有豐幾系:^料，也可以勘JC系涂料。所謂有+腿接料是在有機(jī)翻忡溶解粘合齊幌到的。對(duì)用于有t;ui接料的粘合劑沒(méi)有特別的限定，可以從乙基纖維素、聚乙烯醇縮丁醛等通常的各種粘合劑中適當(dāng)選擇即可。另外，對(duì)所4頓的有機(jī)翻他不特另服定，根據(jù)印刷法、片材法等所利用的方法，從松油醇、丁基卡必醇、丙酮、甲苯等各種有機(jī)翻J中適當(dāng)選擇即可。另外，將電介質(zhì)層用糊料制成水系涂料時(shí)，只要將在水中溶解了7K溶性的粘合劑、分散劑等的水系連接料和電介質(zhì)原料混煉即可。對(duì)水系連接料中使用的水溶性粘合劑沒(méi)有特別的限定，例如，可以{柳聚乙烯醇、纖維素、tK溶性丙烯麟樹(shù)月縛。內(nèi)部電極層用糊料il51將包含上述的各種導(dǎo)電性金屬、合金的導(dǎo)電材料、或燒成后成為上述導(dǎo)電材料的各種氧化物、有機(jī)金屬化合物、樹(shù)脂酸鹽(^:^卑一卜)等與上述的有機(jī)連接料混煉而調(diào)制。夕卜部電極用糊料可以與戰(zhàn)內(nèi)部電極層用糊料同樣地調(diào)制。對(duì)上述各糊料中的有m^接料的含量沒(méi)有特別限制，只要，常的含量例如，粘合劑15重1%左右、蹄IJ1050重*%左右即可。另夕卜，各糊料中根據(jù)需要也可以含有選自各種分散劑、增塑劑、電介質(zhì)、絕緣體等的添加物。它們的總含量為10重量％以下。使用印刷法時(shí)，在PET等上層疊印刷電介質(zhì)層用糊料及內(nèi)部電極層用糊料，切斷成規(guī)定皿后，從上剝離制成生芯片。另外，f頓片林法時(shí)，i頓電介質(zhì)層用糊料形成生片，在其上印刷內(nèi)部電極層用糊料后，將它們進(jìn)行層疊制成生芯片。在燒成前對(duì)生芯片實(shí)施脫粘合劑處理。脫粘合劑處理只要根據(jù)內(nèi)部電極層用糊料中的導(dǎo)電材料的種凝當(dāng)決定即可，作為導(dǎo)電材料f頓Ni、Ni合金等賤金屬時(shí)，將脫粘合劑氛圍氣中的氧分壓設(shè)定為10:105pa。氧分壓不足上述范圍時(shí)，脫粘合劑效果低。另外，氧分壓超iUd悉范圍時(shí)，內(nèi)部電極層有氧化的傾向。另外，作為其它的脫粘合劑條件，ttil將升^3M設(shè)定為530(TC/小時(shí)，到繼設(shè)定為10100。C/小時(shí)，伏選將保持^^設(shè)定為180400°C，更優(yōu)選設(shè)定為200350。C，^it將^Jt保持時(shí)間設(shè)定為0.524小時(shí)，更iM設(shè)定為220小時(shí)。另外，燒結(jié)氛圍氣設(shè)定為空氣或還原性氛圍氣，作為還原性氛圍氣的氛圍氣氣體，im例如將N2和H2的混^加濕使用。生芯片燒成時(shí)的氛圍氣只要根據(jù)內(nèi)部電極層用糊料中的導(dǎo)電材料的種^S當(dāng)決定即可，但是，作為導(dǎo)電材料f頓Ni、Ni合金等賤金屬時(shí)，燒成氛圍氣中的氧分壓設(shè)定為10-9l(^Pa。氧分壓不足，范圍時(shí)，內(nèi)部電極層的導(dǎo)電材料發(fā)生異常燒結(jié)，有時(shí)導(dǎo)電不良(途切tO。另外，氧分壓超肚述范圍時(shí)，內(nèi)部電極層有氧化的傾向。另外，燒成時(shí)的保溫鵬雌為iiooi4oo°c，更<繼為i2ooi3oo°c。在本發(fā)明中，將作為副成分的稀土類魏化物的含量設(shè)定的比較少，因此，育,將燒淑鵬設(shè)定成較低溫。保持驗(yàn)不足上述范圍時(shí)致密化不充分，超過(guò)上述范圍時(shí)，容易產(chǎn)生內(nèi)部電極層的異常燒結(jié)導(dǎo)致的電極的導(dǎo)電不良，或內(nèi)部電豐腺構(gòu)淑才料的擴(kuò)散導(dǎo)致的容量鵬特性惡化、電介質(zhì)陶瓷組合物的還原。作為其它的'^{牛，im將升^3I度設(shè)定為5050(TC/小時(shí)，更優(yōu)選設(shè)定為20030(TC/小時(shí)，雌將驗(yàn)保持時(shí)間設(shè)定為0.58小時(shí)，更優(yōu)選設(shè)定為13小時(shí)，優(yōu)選^7賴口M設(shè)定為50500'C/小時(shí)，更優(yōu)選設(shè)定為20030(TC/小時(shí)。另外，燒成氛圍氣im設(shè)定為還原性氛圍氣，作為氛圍氣氣體，例如優(yōu)選將N2和H2的混^H加濕使用。在還原性氛圍氣中燒成時(shí)，i^t電容器元件本體實(shí)施退火。退火是用于將電介質(zhì)層進(jìn)行再氧化的艦，由此倉(cāng),顯著延長(zhǎng)IR壽命，因此，可靠性提高。退火氛圍氣中的氧分壓設(shè)定為10—3Pa以上，尤其雌設(shè)定為10—210Pa。氧分壓不足上述范圍時(shí)，電介質(zhì)層的再氧化困難，超iii:述范圍時(shí)內(nèi)部電極層有氧化的傾向。退火時(shí)的保持，，設(shè)為IIOO'C以下，尤其優(yōu)選設(shè)為500n00。C。保持、離不>￡±^范圍時(shí)電介質(zhì)層的氧化不充分，因此IR低，另外，IR壽命容易變短。另一方面，保持皿liMJ:述范圍時(shí)，不僅內(nèi)部電^M氧化，容量斷氐，而且內(nèi)部電極層和電介質(zhì)本身反應(yīng)，容易產(chǎn)生容量》鵬特性的惡化、IR陶氐、IR壽命降低。另外，退火也可以只由升溫i^呈和降MMf呈構(gòu)成。艮P，也可以將《m保持時(shí)間設(shè)定為零。這時(shí)，保持^^和最高纟顯度是同義。作為其它的退火^#，ifci^l欲鵬保持時(shí)間設(shè)定為020小時(shí)，更設(shè)定為210小時(shí)，優(yōu)選^l紛令卻速度設(shè)定為5050(TC/小時(shí)，更4腿設(shè)定為10030(TC/小時(shí)。另外，作為退火的氛圍氣氣體，例如，tt^f頓力鵬了的N2氣等。在戰(zhàn)的脫粘合劑鵬、燒戯Q退火中，為了加濕N2氣、混仏體等，可以^ffi例如加濕器。該情況下，^7jC溫為575。C左右。脫粘合劑M、皿和退火可以連續(xù)進(jìn)行，也可以獨(dú)立進(jìn)行。對(duì)如上得到的電容器元件本體，例如利用滾筒拋光、噴砂等實(shí)施端面研磨，印刷或轉(zhuǎn)印外部電極用糊料后進(jìn)行燒成，形成外部電極4。夕卜部電極用糊料的燒成^f牛例如雌在加濕了的N2和H2的混^體中以600800。C保持10射中l(wèi)小時(shí)左右。而且，根據(jù)需要，在外部電極4表面ffi31鍍敷等形成被,。這樣制造的本發(fā)明的疊層陶瓷電容器通過(guò)軟釬焊等安裝于印刷上等，應(yīng)用于各種電子設(shè)備等。第二實(shí)施方式第二實(shí)施方式涉及本發(fā)明的第二觀點(diǎn)。在本實(shí)施方式中，除如下所示的之外，和第一實(shí)施方式同樣地構(gòu)成疊層陶瓷電容器。本實(shí)施方式的電介質(zhì)層2含有本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物。本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物含有作為主成分的BaTi03，作為副成分的MgO、MnO、Gd以外的稀土類元素的氧化物(1^203)、Gd203、BaZr03、選自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物。這時(shí)，氧(0)量也可以與上式的化學(xué)計(jì)量組成有若干偏差。作為副成分的MgO有使容量^J^特性平坦化的效果，相對(duì)于主成分100摩爾，以MgO換算含有0.502.50摩爾，tt^含有0.752,25摩爾，更ifei^含有1.002.00摩爾。MgO的含量過(guò)少時(shí)，燒結(jié)時(shí)產(chǎn)生急劇的晶粒成長(zhǎng)，不能得至斷希望的容量^^特[4SDC偏壓特性。另一方面，MgO的含量過(guò)多時(shí)，有電容率降低、容量^H特性惡化的傾向。MnO有皿燒結(jié)的效果、提高絕緣電阻IR的效果和延長(zhǎng)IR壽命的效果。相對(duì)于主成分100摩爾，以MnO換算含有0.050.35摩爾，,含有0.100.325摩爾，更雌含有0.150.30摩爾。MnO的含量過(guò)少時(shí)，絕緣電阻大幅度降低，同時(shí)CR積、可靠性也降低。另外，MnO的含量過(guò)多時(shí)，有絕緣電阻(IR)降低，同時(shí)電容率和燒結(jié)性降低的傾向。Gd以外的稀土類元素的氧化物(RE4203)具有提高IR壽命的效果。作為RE^CV沒(méi)有特別的限定，可以是各種稀土類元素的氧化物，雌Y、Dy、Ho、Er或Yb的各元素的至少一種的氧化物，特另iK^Y元素的氧化物。這些稀土^素可以單獨(dú)^^一種，另外也可以組合使用，可得到同樣的效果。Gd以外的稀土類元素的氧化物相對(duì)于主成分100摩爾，以RE^203換算，含有0.401.50摩爾，優(yōu)選含有0.501.20摩爾，更^^含有0.601.00摩爾。REV)3的含量過(guò)少時(shí)，IR絲降低。另外，RE^03的含量過(guò)多時(shí)有燒結(jié)性斷氐，燒淑破提高的傾向，另外，難以得到足夠的電容率，其它的特性也有惡化的傾向。Gd203具有提高IR壽命的效果，尤其是使電介質(zhì)層薄層化(例如2.0nm以下)時(shí)更顯著。相對(duì)于主成分100摩爾，以G403換算含有0.03摩爾以上不足0.10摩爾、優(yōu)選含有0.050.09摩爾、更^^含有0.060.08摩爾Gd203。Gd203的含量過(guò)少時(shí)IR絲有斷氐的傾向。另外，Gd203的含量過(guò)多時(shí)容量溫度特性有惡化的傾向。在本發(fā)明中，如上所述，將作為副成分的稀土,素分為Gd元素、Gd以外的元素(RE4)，它們分別以特定的量含有。Gd比其它的稀土貌素(例如Y元素)更容易固溶于主成分BaTi03粒子內(nèi)。因此，即使使Gd203的含量為驢也育,使Gd幾乎都存在于BaTi03粒子內(nèi)，倉(cāng)灘充分發(fā)揮戰(zhàn)的^媒。另外，S^使RE^03的含量比Gd203的含量多，R^不僅存在于BaTi03粒子內(nèi)，而且也存在于晶界，肖^夠充分發(fā)揮，效果。結(jié)果是育,使(Gd203+R^203)的總計(jì)含量比^1>，不僅可顯示高特性，而且也育,陶氐:^鵬。BaZi03具有改善電容率、介質(zhì)損耗及容量^g特性的皿。通iU^的Gd固溶于BaTi03粒子內(nèi)，有BaZr03中的Zr不擴(kuò)散到BaTi03粒子內(nèi)部，而在BaTi03粒子的外側(cè)部分形成含有Zr的，的傾向。結(jié)果會(huì)嫩發(fā)揮，效果。另外，在本實(shí)施方式中，以復(fù)賴化物即BaZr03的條作為副成分原料使用。在以BaO及Zr02的形態(tài)作為副成分原料使用時(shí)，Zr過(guò)于向BaTi03粒子內(nèi)擴(kuò)散，IR^^的特性惡化。BaZrO3相對(duì)于主成分100摩爾，以BaZrO3換算含有0,200.70摩爾，雌含有0.300.65摩爾，更，含有0.400.60摩爾。BaZr03的含量過(guò)少時(shí)，有電容率降低，同時(shí)絕緣電阻(IR)和IR壽命惡化的傾向。另一方面，BaZr03的含量過(guò)多時(shí)，有容量驢特性和DC偏壓特性惡化的傾向。另外，BaZr03在燒結(jié)后不作為BaZr03檢出，而是作為Zr被檢出。選自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物具有提高IR壽命的^媒。在這些氧化物中，tt^f柳V的氧化物，尤其^iK頓V205。V、Ta、Mo、Nb、W的氧化物相對(duì)于主成分100摩爾，分別以V20s、Ta205、Mo03、Nbz05、W03換算，含有0.020.15摩爾，優(yōu)選含有0.040.12摩爾，更ife^含有0.050.10摩爾。這些氧化物的含Kl少時(shí)，不能得到可靠性(IR壽命)提高的$媒。另外，這些氧化物的含量過(guò)多時(shí)，有絕緣電阻大大降低的傾向。在本實(shí)施方式中，本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物還tt^含有燒結(jié)助劑。作為含有的燒結(jié)助劑，可以使用作為燒結(jié)助劑起作用的各種化合物。作為這種化合物，例如，可列舉Si02、Li20和B20s等，但是，在本發(fā)明中^i^f頓Si02。相對(duì)于主成分100摩爾，燒結(jié)助齊im^含有S310.30摩爾且為1.50摩爾以下，更ttit含有0.401.25摩爾，特別優(yōu)選含有0.501.00摩爾。燒結(jié)助劑的含量過(guò)少時(shí)，電介質(zhì)陶瓷組合物的燒結(jié)不充分，有電容率附氐的同時(shí)絕緣電阻、破壞電壓和IR壽命大大斷氐的傾向。另一方面，燒結(jié)助齊啲含量過(guò)多時(shí)，有電容率斷氐的傾向。如上所述，除改變了副成分的組成以外，禾,和第一實(shí)施方式同樣的制法育,得到SJ1陶瓷電容器。本實(shí)式也能達(dá)到和第一實(shí)施方式同樣的效果。以上對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但是，本發(fā)明不被上述實(shí)施方式限定，在不脫離本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)4亍種種變更。例如，在上述實(shí)施方式中，例示了作為本發(fā)明的電子部件的疊層陶瓷電容器，作為本發(fā)明的電子部件不限于疊層陶瓷電容器，只要具有用上述組成的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成的電介質(zhì)層的部件都可以。實(shí)施例下面，根據(jù)更詳細(xì)的實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明，但是，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。另外，在以下的實(shí)施例和比較例中，各種物性刑介如下進(jìn)行。(電容率s)對(duì)于電容器的試樣，在溫度20"下，用數(shù)字LCR儀(橫河電機(jī)(株)制YHP4274A)在頻率120Hz、輸入信號(hào)水平(測(cè)定電壓)0.5Vrms4im的條件下測(cè)定靜電容量C。由得到的靜電容量、疊層陶瓷電容器的電介質(zhì)厚度和內(nèi)部電極彼此的重合面積算出電容率(無(wú)單位)。電容率越高越好。(CR積)對(duì)于電容器i辦，用絕緣電阻計(jì)(7卜"o于7卜社制R8340A)，測(cè)定在20。C將5V/Mm的直流電壓施加于電容器i辦一^H中后的絕緣電阻IR。CR積應(yīng)誠(chéng)由上述測(cè)定的靜電容量C(單位是nF)和絕緣電阻IR(單位是MH)的積來(lái)測(cè)定。,電壓)對(duì)于電容^i辦施加電壓，將皿10mA以上的電流的^ffi作為破壞,。測(cè)定數(shù)為各組成50個(gè)，將中心值作為^懐值。(靜電容量的i^特性)容量的、鵬特性是研究是否滿足EIA規(guī)格的X5R及X6S。具體而言，對(duì)于X5R，禾傭LCR儀在、鵬—5585°C、測(cè)定電壓為0.5Vrms下測(cè)定容量，研究容量變化率是否滿足±15%以內(nèi)(^^25°C)。對(duì)于X6S，利用LCR儀在溫度一55105°C、測(cè)定電壓為0.5Vrms下測(cè)定容量，研究容量變化率是否滿足±22%以內(nèi)(難》鵬25°(:)。(DC偏壓特性)首先測(cè)定施加了120Hz、0.5Vnns的AC電壓時(shí)的靜電容量后，測(cè)定同時(shí)施加DC2.0V(2V/Mm)、及120Hz、0.5Vrms的AC電壓時(shí)的靜電容量。利用得到的測(cè)定值算出靜電容量的斷氐率。(IR^H式驗(yàn))作為加速壽^H式驗(yàn)，在溫度15(TC施加10V(10V4im)的直流電壓，測(cè)定其絕緣電阻的經(jīng)時(shí)變化。另外，在加聽(tīng)^i式驗(yàn)中，將各試樣的絕緣電阻(no值為104Q以下時(shí)的時(shí)間作為IR壽命時(shí)間，對(duì)多1^#求平均壽命時(shí)間。實(shí)施例1作為主成分的原料選擇BaTi03，作為副成分的原料準(zhǔn)備MgO，MnO，作為RE、03、REV)3和RE3203的所選擇的各元素的氧化物，BaZiOs,選自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物及作為燒結(jié)助劑的Si02，調(diào)制電介質(zhì)漿料。另外，《頓Ba/Ti是1.000、c/a是1.0098的BaTi03。另夕卜，MgO，MnO，作為RE1203、1^2203和肪3203的所選擇的各元素的氧化物、BaZr03、選自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物〗OT預(yù)先'煅燒的。表1表3表示調(diào)制的電介質(zhì)原料的組成。副成分的含量是相對(duì)于主成分(BaTi03)100摩爾的量。在i辦編號(hào)A1A5中改變了Ba/Ti。在i辦編號(hào)A6A9中改變了c/a。在i辦編號(hào)A10A16中改變了副成分即MgO的含量。在試樣編號(hào)A17A23中改變了MnO的含量。在i辦編號(hào)A24A28中改變了BaZrOs的含量。在i辦編號(hào)A29A34中改變了V205的含量，在試樣編號(hào)A35A38中將V變更為Ta、Mo、Nb、W。在i辦編號(hào)A39A44中改變了Si02的含量。在試樣編號(hào)A45A52中設(shè)定REV)3^RE2203，在i，編號(hào)A53A57中設(shè)定(RE、03+RE2203)〉RE3203，在試樣編號(hào)A58中設(shè)定(RE^Os+REV^+RE^Os)<0.3，在i辦編號(hào)A59A64中設(shè)定0.3《(RE、03十RE2203+RE3203)《1.5，在i辦編號(hào)A65中設(shè)定(RE、03十RE2203+RE3203)〉0.3。在i^f編號(hào)A66A69中不改變RE1203、RE2203、1^3203的各含量，而只改頓素。表中帶""符號(hào)的i辦標(biāo)本發(fā)明權(quán)利要求l的比較例。另外，表中的斜體的數(shù)值表示本發(fā)明范圍以外的數(shù)值。<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>4頓如上所述得到的電介質(zhì)漿料，在PET膜上成形具有1.2拜厚度的生片,在該生片上以l.OMm厚度印刷內(nèi)部電極用糊料，制造具有電豐媳的生片。要說(shuō)明的是，作為內(nèi)部電極用糊料采用使用Ni粒子和有機(jī)連接料帝喊的糊料。接著，將具有電極層的生片層疊多張，通過(guò)加壓粘接制作生SM體，通過(guò)將該生疊層體切斷成規(guī)定的尺寸，得到生芯片。接著，對(duì)得到的生芯片在下述斜牛下進(jìn)行脫粘合劑處理、燒成和退火，得到SJ1陶瓷皿體。脫粘合劑鵬條件設(shè)定為升^3I度6(TC/小時(shí)，保持溫度300"，溫度保持時(shí)間8小時(shí)，氛圍氣空氣中。燒成條件設(shè)定為升溫速度20(TC/小時(shí)，保持溫度1150。C1250。C，f驢保持時(shí)間2小時(shí)，^4卩速度30(TC/小時(shí)，氛圍氣力卩濕的1^和112的混仏。退火條件設(shè)定為保持溫度1000110(TC，纟，保持時(shí)間2小時(shí)，升溫、降iyi!^:20(TC/小時(shí)，氛圍氣加濕的N2氣。接著，將得至啲層疊陶瓷燒成體的端面經(jīng)過(guò)噴沙鵬研磨后，作為外部電極涂敷In—Ga，得到圖1所示的疊層陶瓷電容器的試樣。得到的電容^i式樣的尺寸是2.0xl.25xl.25mm，電介質(zhì)層的厚度，數(shù)為l.O^mxloO層，內(nèi)部電極層的厚度為約0.8Mm。對(duì)各i辦進(jìn)行上述的特性刑介。結(jié)果如表35所示。另外，表中的斜體表示的數(shù)值表示本發(fā)明的目標(biāo)物性范圍以外的數(shù)值。[表4〗<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>"*"表示權(quán)利要求l的比較例[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>"*"表示權(quán)利要求1的比較例<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>"*"表示權(quán)利要求l的比較例"**"表示權(quán)利要求2的比較例如表35所示，通過(guò)將電介質(zhì)原料的組成設(shè)定為本申請(qǐng)規(guī)定的范圍，會(huì),得到電容率e、CR積、破壞電壓、靜電容量的纟鵬特性、DC偏壓特性、IR壽^H式驗(yàn)優(yōu)異的電容器。另一方面，脫離本發(fā)明規(guī)定的組成范圍時(shí)，上述物性值都沒(méi)有滿足目的值。實(shí)施例2分別準(zhǔn)備作為主成分原料的BaTi03，作為副成分原料的MgO、MnO、作為11￡4203的丫203、Gd203、BaZr03、選自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物、及作為燒結(jié)助劑的Si〇2，調(diào)制電介質(zhì)漿料。另外，^f頓Ba/Ti是1.000、c/a是1.0098的BaTi03。另夕卜，MgO、MnO、作為RE4203的Y203、Gd203、BaZrO3、選自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物4OT預(yù)先煅燒的。表7所示為調(diào)制的電介質(zhì)原料的組成。副成分的含量是相對(duì)于主成分(BaTi03)100摩爾的量。在試樣編號(hào)BlB7中改變了副成分即MgO的含量。在i辦編號(hào)B8B13中改變了MnO的含量。在試樣編號(hào)B14B18中改變了作為RE4203的Y203的含量。在試樣編號(hào)B19B23中改變了Gd203的含量，在i辦編號(hào)B24B28中改變了BaZr03的含量。在i辦編號(hào)B29B34改變了V205的含量，在試樣編號(hào)B35B38中將V變更為Ta、Mo、Nb、W。在表中標(biāo)注符號(hào)"*"的^#表示本發(fā)明權(quán)利要求8的比較例。另外，表中用斜體標(biāo)的數(shù)值^^本發(fā)明范圍以外的數(shù)值。<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>使用如上所述得到的電介質(zhì)漿料，與實(shí)施例1同樣地得到圖i所示的SM陶瓷電容器的試樣。對(duì)各i辦進(jìn)行上述的特性i啊介。結(jié)果如表8所示。另外，表中用斜體標(biāo)的數(shù)值表示本發(fā)明的目標(biāo)物性范圍以外的數(shù)值。<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>"*"表示權(quán)利要求8的比較例如表8所示，Mil將電介質(zhì)原料的艦設(shè)定為本申請(qǐng)規(guī)定的范圍，獸,得到電容率￡、CR私破壞電壓、靜電容量的^^特性、DC偏壓特性、IR絲試驗(yàn)優(yōu)異的電容器。另一方面，脫離本發(fā)明規(guī)定的組成范圍時(shí)，上述物性值都沒(méi)有滿足目的值。實(shí)施例3除了將電介質(zhì)原料的組成設(shè)定為表9所示的量以外，和實(shí)施例2同樣制作SM陶瓷電容器的i辦，進(jìn)fi^寺性評(píng)價(jià)。在i辦編號(hào)B39B43中改變了主成分原料的BaTi03的Ba/Ti。在試樣編號(hào)B44B47中改變了主成分原料的BaTi03的c/a。在試樣編號(hào)B48B55中改變了RE4203的種類。在試樣編號(hào)B56B60中改變了作為燒結(jié)助劑的Si02的含量。結(jié)果如表10所示。另外，表中的斜體表示的數(shù)值標(biāo)本發(fā)明的目標(biāo)物性范圍以夕卜的數(shù)值。<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>"**"表示權(quán)利要求12的比較例如表10所示，通過(guò)將主成分原料的Ba/Ti及c/a、燒結(jié)助劑即Si02的含量設(shè)定為本申請(qǐng)的雌的范圍，會(huì)嫩得到電容率s、CR積、破壞電壓、靜電容量盼^Jt特性、DC偏壓特性、IR壽^^^優(yōu)異的電容器。另外，即^f校更RE4203種類、或組合兩種時(shí)也肯,得至洞樣的特性。權(quán)利要求1、一種電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，作為主成分具有BaTiO3，相對(duì)于主成分100摩爾，作為副成分，以各氧化物或復(fù)合氧化物換算，含有MgO0.50～3.0摩爾、MnO0.05～0.5摩爾、選自Sm、Eu、Gd中的元素的氧化物(RE12O3)、選自Tb、Dy中的元素的氧化物(RE22O3)、選自Y、Ho、Er、Yb、Tm、Lu中的元素的氧化物(RE32O3)、BaZrO30.20～1.0摩爾、及選自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物0.05～0.25摩爾，上述RE12O3、RE22O3及RE32O3的含量滿足RE12O3<RE22O3，及(RE12O3+RE22O3)≤RE32O3。2、如權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)陶瓷組，，其中，相對(duì)于主成分100摩爾，Jl^RE1203、1^2203和虹3203的含量滿足0.30摩爾《(R^A+RE^+RE3;^)《1.50摩爾。3、如權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，相對(duì)于主成分100摩爾，還含有燒結(jié)助劑0.402.0摩爾作為副成分。4、如權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)陶瓷組，，其中，Jd^RE!是Gd，戰(zhàn)RE2是Dy，戰(zhàn)RE3是Y。5、如權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，標(biāo)戰(zhàn)BaH03中的Ba和Ti的摩爾比的Ba/Ti為0.9971.003。6、如權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)陶瓷組，，其中，標(biāo)上述BaTi03的晶格的c軸的晶格常數(shù)和a軸的晶格常數(shù)的比的c/a為1.0095以上。7、一種電子部件，其具有由權(quán)利要求l所述的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成的電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層。8、一種電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，作為主成分具有BaTi03，相對(duì)于主成分100摩爾，作為副成分，以各氧化物救賴化物換算，含有MgO:0.502.50摩爾、MnO:0.050.35摩爾、RE4203(其中，R^是Gd以外的稀土類元素)0.401.50摩爾、Gd203:0.030.10摩爾(不包括0.10摩爾)、BaZr03:0.200.70摩爾、及選自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物0.020.15摩爾。9、如權(quán)禾腰求8所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，上述R^題自Y、Ho、Dy、Er、Yb中的至少一種。10、如權(quán)利要求8所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，相對(duì)于主成分100摩爾，還含有燒結(jié)助劑0.401.50摩爾作為副成分。11、如權(quán)利要求8所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，戰(zhàn)燒結(jié)助劑由選自Si、B、Li中的至少一種元素的氧化^I成。12、如權(quán)利要求8所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，標(biāo)上述BaTi03中的Ba和Ti的摩爾比的Ba/Ti為0.9971.003。13、如權(quán)利要求8所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，標(biāo)上述BaTi03的晶格的c軸的晶格常數(shù)和a軸的晶格常數(shù)的比的c/a為1.0095以上。14、一種電子部件，其具有由權(quán)利要求8所述的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成的電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層。全文摘要本發(fā)明涉及電介質(zhì)陶瓷組合物及電子部件。本發(fā)明提供一種電介質(zhì)陶瓷組合物，其作為主成分具有BaTiO₃，相對(duì)于主成分100摩爾，作為副成分，以各氧化物或復(fù)合氧化物換算，含有MgO0.50～3.0摩爾、MnO0.05～0.5摩爾、選自Sm、Eu、Gd中的元素的氧化物(RE¹₂O₃)、選自Tb、Dy中的元素的氧化物(RE²₂O₃)、選自Y、Ho、Er、Yb、Tm、Lu中的元素的氧化物(RE³₂O₃)、BaZrO₃0.20～1.0摩爾、及選自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物0.05～0.25摩爾，上述RE¹₂O₃、RE²₂O₃和RE³₂O₃的含量滿足RE¹₂O₃＜RE²₂O₃，及(RE¹₂O₃+RE²₂O₃)≤RE³₂O₃。文檔編號(hào)C04B35/46GK101419865SQ20081017563公開(kāi)日2009年4月29日申請(qǐng)日期2008年9月26日優(yōu)先權(quán)日2007年9月28日發(fā)明者兼子俊彥,武田早織,渡邊康夫,益子泰輔,石井辰也,細(xì)野雅和,高橋哲弘申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社