專利名稱：：制作透明的多晶氮氧化鋁的方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明總體上涉及一種制作氮氧化鋁陶瓷的方法，并且更具體地，涉及一種制作具有較高透光度的多晶氮氧化鋁的方法。
背景技術(shù)：
：氧化鋁(A1203)中的光擴散以這樣一種方式被降低，通過大氣燒結(jié)高純度的粉末來消除多孔并且通過擴大晶粒將晶界縮短。U.S.專利3，026,210公開了一種產(chǎn)生透明的氧化鋁的方法，為了燒結(jié)氧化鋁，該方法通過使用低于0.5wt。/。的MgO或固溶度極限中的MgO作為助燒劑。然而，雖然在制作氧化鋁中所有的多孔被消除了，但是氧化鋁的晶體變成了各向異性的六方相。因此，由于通過氧化鋁的透射光受到晶粒的定向的影響并且在該晶界的光擴散很大，所以存在氧化鋁的透光度較低的缺點。相反，同樣被稱為"ALON，'的氮氧化鋁(Alp+"03Nx)是具有良好的燒結(jié)性的各向同性的立方相。這有利于消除多孔并通過經(jīng)濟的無壓燒結(jié)提高它的透光度。出于這個原因，已經(jīng)通過使用氮氧化鋁在制作透明的多晶陶瓷上進行了許多嘗試。U.S.專利4，141,OOO公開了一種制作透明的多晶氮氧化鋁的方法，該方法以適當比例混合八1203和A1N粉末，在1200。C的氮氣氣氛下熱處理24小時，并在高于1.800°C無壓燒結(jié)。U.S.專利4，481，300和4,520，116公開了一種透明的多晶氮氧化鋁，其通過添加少量的硼(B)、釔(Y)或鑭(La)的化合物來制作。U.S.專利4，686,070公開了一種使用B、Y或La的化合物作為助燒劑的制作工藝。在這一工藝中，八1203粉末和炭黑粉末以適當比例被混合并且這一混合物在1600。C被煅燒變成八1203和A1N。隨后，它在1800'C被熱處理變成氮氧化鋁并且它通過球磨研磨變成細小的氮氧化鋁粉末。隨后，通過成型并將它在190(TC至2140。C無壓燒結(jié)24至48小時變成透明的氮氧化鋁來制作透明的氮氧化鋁。此外，U.S.專利4，720,36公開了一種制作工藝(類似于U.S.專利4，686,070),該工藝包括將低于0.5wt。/。的B和Y或其化合物添加到氮氧化鋁粉末并將它在高于190(TC燒結(jié)20至100小時。U.S.專利5，688,730公開了通過混合的八1203和A1N粉末的反應制作氮氧化鋁粉末，并通過使用被制作的氮氧化鋁粉來制作透明的氮氧化鋁。U.S.專利4，983,555公開了通過高溫熱壓燒結(jié)制作的具有高紫外線透射率的透明的多晶MgO-Al203尖晶石(MgAl204)陶資。U.S.專利5,231,062公開了包括大于0.5wt%(優(yōu)選4至9wt%)的MgO、11至16wt。/。的A1N和Al203作為平衡劑的透明的氮氧化鋁鎂陶瓷的制作。關于U.S.專利5,231，062,不僅只是添加氧化鎂(MgO),而是將它作為陶瓷的主要成分。U.S.專利7，045，091教導了透明氮氧化鋁的制作，其特征在于，通過液相的幫助，在1950。C至2025°C(在此溫度下固相和液相共存)的溫度燒結(jié)A1203和A1N,并且通過在至少降低5(TC(在此溫度下僅存在固相)的溫度再次燒結(jié)它們將液相轉(zhuǎn)變?yōu)楣滔?。然而，根?jù)本發(fā)明人進行的實驗，通過上面討論的現(xiàn)有技術(shù)所制作透明的氮氧化鋁晶體存在一個問題。這個問題就是，由于在氮氧化鋁中間存在很多孔，從而降低了它們的透光度。此外，很多現(xiàn)有技術(shù)是以通過A1203和A1N粉末的反應來單獨制作氮氧化鋁粉末的方式制作透明的氮氧化鋁晶體。隨后，它們被再次燒結(jié)。因此，就存在工藝復雜并且制作成本變得較高的問題
發(fā)明內(nèi)容技術(shù)問題本發(fā)明涉及解決現(xiàn)有技術(shù)中的前述問題。本發(fā)明的一個目的是提供一種制作透明的氮氧化鋁陶瓷的方法，其中所有孔在燒結(jié)體中被消除。本發(fā)明的另一個目的是使用簡單的工藝制作透明的氮氧化鋁陶瓷。技術(shù)方案為了實現(xiàn)才艮據(jù)本發(fā)明的上述目的，添加了少量的氧化《美(MgO)作為助燒劑(而不是作為陶瓷的主要成分)。此外，在相對低的溫度進行預燒結(jié)，從而改進該燒結(jié)工藝。本發(fā)明將通過具體的實施方式被描述。沖艮據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，助燒劑被添加到原料粉末中。隨后，它們被燒結(jié)來制作透明的氮氧化鋁。該助燒劑包括低于0.5wt。/。的MgO(優(yōu)選高于0.05wt。/。且低于0.3wt%,較優(yōu)選0.1wtQ/。至0.2wt%)。根據(jù)本發(fā)明人進行的實驗，當適當少量的MgO作為助燒劑使用時，與以高重量比使用MgO的情況不同的是，氮氧化鋁陶瓷的透光度被顯著地提高了。從而，本發(fā)明的MgO的作用與現(xiàn)有的基于氮氧化鋁的陶瓷中的MgO的作用是不同的，現(xiàn)有的陶瓷中MgO是作為主要成分的。為了制作透明的氧化鋁，將MgO作為助燒劑添加是必要的。然而，大家不知道MgO在燒結(jié)氮氧化鋁中同樣起了相似的作用。僅僅預測了在氧化鋁中發(fā)生的與MgO相關的效果在氮氧化鋁不能實現(xiàn)。事實上，根據(jù)本發(fā)明人進行的實驗，可以確定的是，僅僅在制作氮氧化鋁中添加MgO而沒有添加任和的Y2OJt,該燒結(jié)密度有些降低。因此，可以認為氮氧化鋁中的MgO作為助燒劑所起的作用與純的氧化鋁中的MgO所起的作用是不同的。此外，該助燒劑還可以包括已知作為助燒劑在制作氮氧化鋁中使用的B、Y、La、B的化合物、Y的化合物或La的化合物。優(yōu)選地，該助燒劑還可以包括一種或多種的0.5wtQ/?；蛞韵碌腨203和BN。根據(jù)本發(fā)明人進行的實驗，當所述已知的助燒劑和MgO一起作為助燒劑使用時，氮氧化鋁的透光度顯著地提高了。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案，制作透明的氮氧化鋁陶瓷的方法包括在1550。C至175(TC預燒結(jié)添加有助燒劑的原料粉末，使得相對密度變成95%或更高；并且1卯0。C或更高溫度再次燒結(jié)它，以便得到更高的相對密度。在此使用的相對密度是指相對密度與理論密度的相對值的比例。多孔率通過從100中減去相對密度獲得。相對密度可以使用阿基米德原理通過液浸法來測定。預燒結(jié)在155(TC至170(TC進行，這低于再次燒結(jié)的溫度。這是因為隨著反應生成ALON相燒結(jié)要盡可能快的進行，原因是燒結(jié)最好在ALON相而不是在混合的A1203和A1N中進行。如果溫度在充分反應前升高，晶粒變得很大，并且生成ALON相的反應會有很大的延遲并且從而降低了致密速度。以低于再次燒結(jié)溫度的155(TC至1700°C進行預燒結(jié)的另一個原因是，以相對低的溫度(在此溫度晶粒生長最小)可以盡可能多的消除多孔。通常，由于多孔的生長與晶粒生長同步，因此在較高溫度的燒結(jié)使得完全消除多孔變得困難。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案，Al203和A1N粉末作為原料粉末。根據(jù)本發(fā)明，燒結(jié)性被極大地提高了。因此，可以通過直接將A1203和A1N粉末和助燒劑(取代類似于現(xiàn)有技術(shù)中所使用的由A1203、A1N或類似物作為燒結(jié)材料合成的氮氧化鋁粉末)混合在一起并成型和燒結(jié)它來制作高密度的透明的氮氧化鋁陶瓷。圖1是出于比較樣品的透光度的目的所安排的拍攝氮氧化鋁陶瓷樣品的照片。圖2是顯示樣品的線性透光率的圖表，其根據(jù)波長被測定。圖3至圖6是樣品的斷裂面的電子顯微照片。圖7是出于比較樣品的透光度的目的所安排的拍攝氮氧化鋁陶瓷樣品的照片。圖8是顯示樣品的線性透光率的圖表，其根據(jù)波長被測定。圖9和圖10是樣品的斷裂面的電子顯微照片。圖11是出于比較樣品的透光度的目的所安排的拍攝氮氧化鋁陶瓷樣品的照片。圖12是顯示樣品的線性透光率的圖表，其根據(jù)波長被測定。圖13是顯示樣品的X射線衍射(XRD)分析結(jié)果的圖表。圖14至圖21是在表面研磨后通過磷酸蝕刻的樣品的電子顯微圖片。圖22至圖27是其表面被研磨的樣品的電子顯微圖片。圖28至圖31是樣品的斷裂面的電子顯微照片。優(yōu)選實施方式現(xiàn)在，通過參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明在各種工藝條件下所制作的氮氧化鋁陶瓷的實施例。五種氮氧化鋁陶瓷樣品在下面的條件下被制作，其中Y203和BN(其量分別被設定為0.08wt。/o和0.02wt%)和MgO(其量在0、0,05、0.1、0.2和0.3wt。/o下變化)作為助燒劑被添加到Ah03和A1N(65:35摩爾比)原料粉末中。被混合的原料粉末和助燒劑在聚亞安酯容器中和乙醇溶劑一起通過高純度的Al203球狀物碾磨48小時，并且隨后使用旋轉(zhuǎn)式蒸發(fā)器干燥。該千燥的粉末使用單軸干壓法成型為20mm直徑和3mm寬度的圓盤，并且隨后對它進行了冷等靜壓。該圓盤狀樣品被放入石墨坩堝中并在1個大氣壓力的氮氣氣氛中在具有石墨加熱元件的高溫電爐中被燒結(jié)。隨后，它在1675。C保持10小時并在2000。C保持5小時。升溫速度以每分鐘20。C達到1500°C,并在超過1500°C后升溫速度是每分鐘10°C。冷卻速度是每分鐘20°C。圖1是拍攝的如此制作的氮氧化鋁陶瓷樣品的圖片，這樣放置這些樣品以便比較它們的透光度。樣品中的MgO的添加量從左到右分別是O、0.05、0.1、0.2和0.3wt%。如果沒有添加MgO,透光度非常低。如果添加了0.05wt。/。的MgO,該透光度極大地提高了。如果添加了0.1wt。/?；?.2wt。/。的MgO,該透光度變得非常高。再過多的添加反而將減少該透光度。圖2是顯示樣品的線性透光率的圖表，其根據(jù)波長被測定。每種樣品的MgO成分在下面的表l中顯示。用lmm金剛石研磨膏對每個被燒結(jié)的樣品的表面進行研磨后，使用Varian分光光度計(Carry500)在0.3^im至0.8|im的波長范圍測定每個樣品的線性透光率。在這個例子中，樣品的寬度是1.9mm。在本說明書中每次提到的"線性透光率"以上述方式被測定。表1YBMYB-1MYB-2MYB-3MYB-4MgO00.050.10.20,3透光率(平均)11.3844.1279.8976.7727.47表1顯示了每種樣品的平均線性透光率，每種樣品具有不同的MgO的添加量。添加有0.1wt。/o的MgO的樣品的平均線性透光率高達79.89%。線性透光率是指在沒有考慮表面反射(折射率的函數(shù))的情況下由真實的透光率獲得的數(shù)值。例如，如果氮氧化鋁具有1.79的折射率，獲得的理論線性透光率可以達到82%。同樣，當通過抗反射(AR)涂層消除表面反射時，獲得的實際透光率接近100%。因此，在考慮這種表面反射時，添加0.1wt。/。的MgO的情況下，實際透光率是(79.89/82%)。如果考慮表面反射誤差，那么它可能高于95%。圖3至圖6是所制作的樣品的斷裂面的電子顯微圖片。在每張圖片的右下側(cè)看到的數(shù)值(例如30(Vm、60(xm)表示對應于總共IO倍比例的長度，該數(shù)值可以在每張圖片的每個數(shù)值上面看到。此外，電子顯微鏡的放大倍率(例如，xl00、x500)可以在該數(shù)值的左側(cè)看到。上述內(nèi)容在其它附圖中同樣適用。參看圖3至4，這是電子顯微圖片的例子，在此僅僅0.08wt。/。的Y203和0.02wt。/。的BN作為助燒劑使用，沒有任和的MgO,圖4的x500的放大倍率的電子顯微圖片顯示了多孔，例如其中的右下側(cè)的兩個孔。此外，圖3的x100的放大倍率的電子顯微圖片顯示了大孔，例如距離其中心的稍微下邊的多個孔。這些孔降低了透光度。然而，參看圖5和圖6，顯示了該樣品的斷裂面的電子顯微圖片，其中0.1wt。/。的MgO和0.08wt。/。的Y203和0.02wt。/o的BN—起被添加，幾乎觀察不到孔并且透光度非常高。氮氧化鋁陶瓷樣品使用與實施例1相同的方法被制作，但是不同的是將助燒劑70.2wt。/。的MgO、0.08wto/。的Y203和0.02wt。/。的BN以下面的不同方式添加到每個樣品中(1)5殳有添力口；(2)添力口MgO泮口Y203;(3)添力口MgO禾口BN;(4)添力口Y203禾口BN;和(5)添力口MgO、Y203和BN。圖7是為了比較這樣制作的氮氧化鋁陶瓷樣品的透光度拍攝的照片。在從左到右的圖片中可以看到(1)該樣品中沒有添加助燒劑，(2)該樣品中添加有MgO和Y203,(3)該樣品中添加有MgO和BN,(4)該樣品中添加有丫203和BN,和(5)該樣品中添加有MgO、Y203和BN。在沒有添加MgO的情況下，該透光度非常低。在添加有MgO和丫203或添加有MgO、Y203和BN的情況下，透光度非常高。在該助燒劑中，MgO對透光度有極大的作用。圖8是顯示這些樣品的線性透光率的圖表，其根據(jù)波長被測定。表2顯示了每個樣品的成分和平均線性透光率。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>圖9和圖10是添加有MgO和Y203的樣品的斷裂面的電子顯微圖片?？梢钥吹?，在圖9和圖10的電子顯孩i圖片中的該樣品中的所有孔幾乎^皮消除，并且當與實施例1的圖3和圖4中顯示的添加有Y203和BN的樣品的斷裂面的電子顯樣￡圖片相比，該透光度變得很高。氮氧化鋁陶瓷樣品使用與實施例1相同的方法被制作，但是不同的是這些樣品在200(TC燒結(jié)5小時而沒有經(jīng)過預燒結(jié)。分別以0、0.05、0.1、0.2和0.3wt。/。的添加量將MgO添加到每個樣品中。圖11是為了比較這樣制作的氮氧化鋁陶瓷樣品的透光度拍攝的照片。圖ll中，從左到右分別是以0、0.05、0.1、0.2和0.3wt。/。的量添加MgO的樣品。圖12是顯示每種樣品的線性透光率的測定值的圖表，其才艮據(jù)波長被測定。表3顯示了MgO的重量比和這些樣品的平均線性透光率。<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>與實施例l類似，添加0.1wt。/。的MgO的情況下，該透光率最高。然而，當與實施例1的添加有0.1wt。/。的MgO的樣品相比，該透光率下降了大約20%,其中實施例1中進行了預燒結(jié)。在這個實施例中沒有進行預燒結(jié)，在添加Owt%、0.05wt。/?；?.3wt。/o的MgO的情況下，該透光率幾乎消失。此外，是否進行預燒結(jié)對添加0.2wt。/。的MgO的例子中比添加0.1wt。/。的MgO的例子中對該透光率的影響更大。在這個實施例中，由于該影響是由多孔造成的，從而降低了透光率。此外，預燒結(jié)對于存在或不存在MgO的燒結(jié)樣品的透光率具有很大的影響。在A1203和AIN粉末中沒有添加任和助燒劑的樣品、僅僅添加了作為助燒劑的0.08wt。/。的丫203和0.02wt。/。的BN的樣品和分別添加有0.05wt%、0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt。/。和0.5wt。/。的MgO和0.08wt。/。的丫203和0.02wt。/。的BN的氮氧化鋁陶乾樣品使用與實施例1中的相同的方法被制作，不同的是該樣品僅僅在1675。C預燒結(jié)10小時。圖13中從上到下依次顯示了所述八個樣品的X射線衍射(XRD)分析結(jié)果的圖表。參看圖13的圖表，在沒有添加任何MgO的樣品中，還沒有起反應的A1203和AIN出現(xiàn)了相對高的峰，而氮氧化鋁(ALON)出現(xiàn)了相對低的峰。相反，隨著越來越多的MgO被添加，A1203和AIN的峰變得低了而氮氧化鋁的峰變得高了。分別添加有0.4wt%和0.5wt°/"々MgO的樣品僅僅顯示了氮氧化鋁的峰。因此，可以看出這些樣品中的A1203和AIN完全反應生成了氮氧化鋁。當MgO作為助燒劑與Y203和BN—起使用時，A1203和AIN生成氮氧化鋁的反應被促進了。如上面所描述的，燒結(jié)更適合在Al203和AIN反應生成氮氧化鋁的相中進行而不是它們的混合相中進行。與MgO添加到氧化鋁的例子中或多或少有些類似的是，少量的MgO可以促進氮氧化鋁的致密程度。從而，它的優(yōu)點是殘余孔隙變得非常小因此可以通過高溫燒結(jié)一段時間被完全消除。然而，根據(jù)本發(fā)明人進行的實驗，僅僅添加MgO而沒有添加丫203和BN會極大地減低該燒結(jié)密度。換句話說，當考慮僅僅添加MgO和Y203和BN對消除9多孔起很大作用時，確信的是氮氧化鋁中的MgO起到了不同于純氧化鋁中的MgO所起的燒結(jié)強化劑的作用。A1203和AIN粉末中沒有添加任和助燒劑的樣品、僅僅添加有作為助燒劑的0.08wt%的丫203和0.02wt。/。的BN的樣品和分別添加有0.05wt%、0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt。/。和0.5wt。/o的MgO和0.08wt。/。的Y203和0.02wt。/。的BN(所有樣品僅僅預燒結(jié)10小時)的氮氧化鋁陶瓷樣品被表面研磨并且由磷酸被蝕刻。隨后，通過電子顯微鏡拍攝到它們的圖片。圖14至圖21順序顯示了這些圖片。使用能量散射光譜儀(EDS)進行的氧和氮的元素分析顯示的突出的和相對亮的結(jié)晶相是還沒有反應的A1203,并且那些蝕刻的和相對暗的相是AIN和ALON相。樣品中的A1203、AIN和ALON相的量與XRD分析結(jié)果精確地一致。當添加了0.1wt。/o或0.2wt。/o的MgO時(圖17和圖18),孔的尺寸明顯小了并且它們的數(shù)量也非常少。然而，當添加超過0.3wt。/。的MgO時(圖19至圖21),可以確定的是孔的尺寸和數(shù)量都明顯地增多了。A1203和AIN粉末中沒有添加任和助燒劑的樣品，僅僅添加了作為助燒劑的0.08wt%的丫203和0.02wt。/。的BN的樣品和分別添加有0.05wt%、0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt。/。和0.5wt。/。的MgO和0.08wt。/。的Y203和0.02wt。/。的BN的氮氧化鋁陶乾樣品使用與實施例4中的相同的方法被制作。在表面研磨所述樣品后通過電子顯微鏡拍攝的圖片依次顯示在圖22至27。每個樣品的孔的尺寸和數(shù)量可以通過與對照圖22至27相互進行比較。當添加了0.1wt。/。或0.2wt。/。的MgO時(圖24和圖25),孔的尺寸明顯小了并且它們的數(shù)量也非常少。然而，當添加超過0.3wt。/。的MgO時(圖26和圖27),可以確定的是孔的尺寸和數(shù)量都明顯地增多了。八1203和AIN4分末中沒有添加任和助燒劑的樣品和分別添加有0.1wt%、0.4wt。/。和0.5wt。/。的MgO和0.08wt。/。的丫203和0.02wt。/。的BN的氮氧化鋁陶瓷樣品使用與實施例4中的相同的方法被制作。圖28至31是所述樣品的斷裂面的電子顯微圖片。參看圖30至31,添加有0.4wt。/。和0.5wt。/。的MgO的樣品中顯示了具有0.5pm大小的二次相。這些被認為是Mg-尖晶石相，當添加的MgO的量超過氮氧化鋁的固溶性濃度時產(chǎn)生Mg-尖晶石相。這些二次相在燒結(jié)中可能妨礙致密化(即多孔的消除)。根據(jù)上面描述的實施例4至6的結(jié)果，添加適量的MgO會促進A1203和AIN反應生成氮氧化鋁并且從而使得燒結(jié)反應在相對低溫下進行，從而使得多孔被有效地消除。但是，過量添加MgO會產(chǎn)生二次相并且阻礙燒結(jié)，從而使得難于消除該多孔。就是說，添加低于0.5wt。/o的適量的MgO會最大程度地幫助消除氮氧化鋁內(nèi)部的多孑L,從而極大地提高氮氧化鋁的透光度。工業(yè)適用性如上面描述的，根據(jù)本發(fā)明，提供丁一種立方相的多晶氮氧化鋁陶瓷,其中的多孔幾乎被消除并且它的實際透光率變成95%或更高。特別地，由于這種透明的立方相的多晶氮氧化鋁陶瓷具有高強度和硬度以及抗磨損性，它可以廣泛地被用于除了透光度之外還需要高強度、硬度和抗磨損性的產(chǎn)品，例如透明的防彈板、紅外傳感器的窗口、雷達天線罩等等。此外，根據(jù)本發(fā)明的助燒劑和燒結(jié)工藝，提高了燒結(jié)性。從而，雖然Ab03和AIN粉末被混合并燒結(jié)，仍然可以制作透明的氮氧化鋁陶瓷，從而簡化了制作工藝并減少了力口工成本。權(quán)利要求1.一種制作透明的多晶氮氧化鋁陶瓷的方法，其特征在于，添加到原料粉末中的助燒劑包括低于0.5％(重量)的MgO。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述助燒劑還包括0.5%(重量)或更低的Y203。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所含有的MgO大于0.05%(重量)且小于0.3%(重量)。4.一種制作透明的多晶氮氧化鋁陶覺的方法，所述方法包括在1550。C至1750。C預燒結(jié)其中添加有助燒劑的原料粉末，使得相對密度變成95%或更高；和在1卯0。C或更高溫度再次燒結(jié)所述原料粉末，以得到比預燒結(jié)的相對密度更高的相對密度。5.—種使用添加了根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項所述的助燒劑的原料粉末來制作透明的多晶氮氧^i鋁陶資的方法，所述方法包括在1550"C至1750。C預燒結(jié)所述的原料粉末，使得相對密度變成95%或更高；和在190(TC或更高溫度再次燒結(jié)所述原料粉末，以得到比預燒結(jié)的相對密度更高的相對密度。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述原料粉末是A1203和A1N粉末。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述助燒劑包括0.08%(重量)的Y203、0,02%(重量)的BN和0.1%(重量)至0.2%(重量)的MgO。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述預燒結(jié)在1675。C的氮氣氣氛下進行10小時，并且其中所述再次燒結(jié)在2000。C的氮氣氣氛下進行5小時。全文摘要本發(fā)明涉及一種制作透明的多晶氮氧化鋁的方法。通過現(xiàn)有技術(shù)的方法所制作的氮氧化鋁具有很多的孔并因此具有較低的透光度。本發(fā)明涉及解決這一問題。在本發(fā)明的制作氮氧化鋁的方法中，添加到原料粉末中的助燒劑包括低于0.5wt％的MgO。隨后，該原料粉末在1550℃至1750℃下被預燒結(jié)，使得相對密度變成95％或更高，并且隨后在1900℃或更高溫度下再次燒結(jié)，以得到比預燒結(jié)的相對密度更高的相對密度。根據(jù)本發(fā)明，獲得了立方相的多晶氮氧化鋁陶瓷，其中的多孔幾乎被消除并且它的實際透光度變成95％或更高。文檔編號C04B35/115GK101528631SQ200680056132公開日2009年9月9日申請日期2006年10月16日優(yōu)先權(quán)日2006年10月16日發(fā)明者具教憲,具本慶,李國林,李在衡申請人:嶺南大學校產(chǎn)學協(xié)力團