專利名稱：混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多晶封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
關(guān)于發(fā)光二極管(LED)與傳統(tǒng)光源的比較,發(fā)光二極管具有體積小、省電、發(fā)光效率佳、壽命長、操作反應速度快、且無熱輻射與水銀等有毒物質(zhì)的污染等優(yōu)點。因此近幾年來，發(fā)光二極管的應用面已極為廣泛。過去由于發(fā)光二極管的亮度還無法取代傳統(tǒng)的照明光源，但隨著技術(shù)領(lǐng)域的不斷提升，目前已研發(fā)出高照明輝度的高功率發(fā)光二極管，其足以取代傳統(tǒng)的照明光源。然而，傳統(tǒng)使用發(fā)光二極管所制成的發(fā)光結(jié)構(gòu)皆有演色性與利用率不足的情況。所以，如何通過結(jié)構(gòu)的設計，來提升LED的演色性與利用率，已成為該技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員所欲解決的重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例在于提供一種混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其可用于增加LED演色性及LED利用率。本發(fā)明其中一實施例所提供的一種混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其包括:一基板單兀、一發(fā)光單元、一封裝單元、及一邊框單元?；鍐卧ㄒ换灞倔w。發(fā)光單元包括多個設置于基板本體上且電性連接于基板本體的第一發(fā)光群組及多個設置于基板本體上且電性連接于基板本體的第二發(fā)光群組，其中所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組串聯(lián)在一起，每一個第一發(fā)光群組包括多個并聯(lián)在一起的第一并聯(lián)單元，每一個第一并聯(lián)單元包括至少一個藍色發(fā)光二極管芯片，每一個第二發(fā)光群組包括至少一紅色發(fā)光二極管芯片。封裝單元包括一設置于基板本體上以同時覆蓋所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組的熒光膠體。邊框單元包括一通過涂布方式而圍繞地成形于基板本體上的圍繞式反光框體，其中圍繞式反光框體同時圍繞所述多個第一發(fā)光群組、所述多個第二發(fā)光群組、及熒光膠體,且熒光膠體接觸圍繞式反光框體。換句話說，本發(fā)明提供一種混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，包括:一基板單元，其包括一基板本體；一發(fā)光單元，其包括多個設置于該基板本體上且電性連接于該基板本體的第一發(fā)光群組及多個設置于該基板本體上且電性連接于該基板本體的第二發(fā)光群組，其中所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組串聯(lián)在一起，每一個第一發(fā)光群組包括多個并聯(lián)在一起的第一并聯(lián)單元，每一個第一并聯(lián)單元包括至少一個藍色發(fā)光二極管芯片，每一個第二發(fā)光群組包括至少一紅色發(fā)光二極管芯片；一封裝單元，其包括一設置于該基板本體上以同時覆蓋所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組的熒光膠體；以及一邊框單元，其包括一通過涂布方式而圍繞地成形于該基板本體上的圍繞式反光框體，其中該圍繞式反光框體同時圍繞所述多個第一發(fā)光群組、所述多個第二發(fā)光群組、及該熒光膠體，且該熒光膠體接觸該圍繞式反光框體。本發(fā)明還提供一種混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，包括:一基板單兀，其包括一基板本體；一發(fā)光單元，其包括多個設置于該基板本體上且電性連接于該基板本體的第一發(fā)光群組及多個設置于該基板本體上且電性連接于該基板本體的第二發(fā)光群組，其中所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組串聯(lián)在一起，每一個第一發(fā)光群組包括至少一藍色發(fā)光二極管芯片，每一個第二發(fā)光群組包括多個并聯(lián)在一起的第二并聯(lián)單元，每一個第二并聯(lián)單元包括至少一個紅色發(fā)光二極管芯片；一封裝單元，其包括一設置于該基板本體上以同時覆蓋所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組的熒光膠體；以及一邊框單元，其包括一通過涂布方式而圍繞地成形于該基板本體上的圍繞式反光框體，其中該圍繞式反光框體同時圍繞所述多個第一發(fā)光群組、所述多個第二發(fā)光群組、及該熒光膠體，且該熒光膠體接觸該圍繞式反光框體。本發(fā)明再提供一種混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，包括:一基板單元，其包括一基板本體；一發(fā)光單元，其包括多個設置于該基板本體上且電性連接于該基板本體的第一發(fā)光群組及多個設置于該基板本體上且電性連接于該基板本體的第二發(fā)光群組，其中所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組串聯(lián)在一起，每一個第一發(fā)光群組包括多個并聯(lián)在一起的第一并聯(lián)單元，每一個第一并聯(lián)單元包括至少一個藍色發(fā)光二極管芯片，每一個第二發(fā)光群組包括多個并聯(lián)在一起的第二并聯(lián)單元，每一個第二并聯(lián)單元包括至少一個紅色發(fā)光二極管芯片；一封裝單元，其包括一設置于該基板本體上以同時覆蓋所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組的熒光膠體；以及一邊框單元，其包括一通過涂布方式而圍繞地成形于該基板本體上的圍繞式反光框體，其中該圍繞式反光框體同時圍繞所述多個第一發(fā)光群組、所述多個第二發(fā)光群組、及該熒光膠體，且該熒光膠體接觸該圍繞式反光框體。綜上所述，本發(fā)明實施例所提供的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其可通過“所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組串聯(lián)在一起，每一個第一發(fā)光群組包括多個并聯(lián)在一起的第一并聯(lián)單元，且每一個第二發(fā)光群組包括多個并聯(lián)在一起的第二并聯(lián)單元”的設計，以使得本發(fā)明的多晶封裝結(jié)構(gòu)可用于增加LED演色性及LED利用率。為使能更進一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而所附附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖1A為本發(fā)明第一實施例的立體示意圖；圖1B為本發(fā)明第一實施例的側(cè)視剖面示意圖；圖1C為本發(fā)明第一實施例的上視示意圖；圖1D為本發(fā)明第一實施例的功能方塊圖；圖1E為本發(fā)明第一實施例的電路示意圖；圖2為本發(fā)明第二實施例的電路示意圖；圖3為本發(fā)明第三實施例的電路示意圖；圖4A為本發(fā)明第四實施例的上視示意圖；圖4B為本發(fā)明第四實施例的側(cè)視剖面示意圖；圖5A為本發(fā)明第五實施例的上視示意圖；圖5B為本發(fā)明第五實施例的功能方塊圖；圖5C為本發(fā)明第五實施例的電路示意圖6為本發(fā)明第六實施例的電路示意圖；圖7為本發(fā)明第七實施例的電路示意圖；圖8為本發(fā)明第八實施例的上視示意圖；圖9為本發(fā)明第九實施例的發(fā)光單元的電路示意圖；圖10為本發(fā)明使用多個備用焊墊的局部上視示意圖。主要元件附圖標記說明
定電壓電源供應器SI 交流電源S2
多晶封裝結(jié)構(gòu) Z
基板單元1 基板本體10
電路基板100
散熱層101
導電焊墊102
正極焊墊P
權(quán)利要求
1.一種混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一基板單元，其包括一基板本體； 一發(fā)光單元，其包括多個設置于該基板本體上且電性連接于該基板本體的第一發(fā)光群組及多個設置于該基板本體上且電性連接于該基板本體的第二發(fā)光群組，其中所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組串聯(lián)在一起，每一個第一發(fā)光群組包括多個并聯(lián)在一起的第一并聯(lián)單元，每一個第一并聯(lián)單元包括至少一個藍色發(fā)光二極管芯片，每一個第二發(fā)光群組包括至少一紅色發(fā)光二極管芯片； 一封裝單元，其包括一設置于該基板本體上以同時覆蓋所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組的熒光膠體；以及 一邊框單元，其包括一通過涂布方式而圍繞地成形于該基板本體上的圍繞式反光框體，其中該圍繞式反光框體同時圍繞所述多個第一發(fā)光群組、所述多個第二發(fā)光群組、及該熒光膠體，且該熒光膠體接觸該圍繞式反光框體。
2.如權(quán)利要求1所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組交替地串聯(lián)在一起，每一個第一并聯(lián)單元所使用的藍色發(fā)光二極管芯片的數(shù)量皆相同，且每一個第一發(fā)光群組的工作電流與每一個第二發(fā)光群組的工作電流相近。
3.如權(quán)利要求1所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圍繞式反光框體具有一因所述涂布方式所形成的接合凸部，該圍繞式反光框體的上表面為一圓弧形，該圍繞式反光框體相對于該基板本體上表面的圓弧切線的角度介于40至50度之間，該圍繞式反光框體的頂面相對于該基板本體上表面的高度介于0.3至0.7mm之間，該圍繞式反光框體底部的寬度介于1.5至3_之間，該圍繞式反光框體的觸變指數(shù)介于4至6之間，且該圍繞式反光框體為一內(nèi)部混有多個無機添加顆粒的白色熱硬化反光框體。
4.如權(quán)利要求1所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板單元包括多個設置于該基板本體上表面的正 極焊墊及多個設置于該基板本體上表面的負極焊墊，其中每一個藍色發(fā)光二極管芯片具有一正極及一負極，每一個藍色發(fā)光二極管芯片的正極對應于所述多個正極焊墊中的至少兩個，每一個藍色發(fā)光二極管芯片的負極對應于所述多個負極焊墊中的至少兩個，其中每一個紅色發(fā)光二極管芯片具有一正極及一負極，每一個紅色發(fā)光二極管芯片的正極對應于所述多個正極焊墊中的至少兩個，每一個紅色發(fā)光二極管芯片的負極對應于所述多個負極焊墊中的至少兩個。
5.如權(quán)利要求4所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更進一步包括:一導線單元，其包括多條第一導線及多條第二導線，其中每兩條第一導線分別電性連接于每一個相對應的藍色發(fā)光二極管芯片的正極與所述至少兩個所對應的正極焊墊中的其中一個之間及電性連接于每一個相對應的藍色發(fā)光二極管芯片的負極與所述至少兩個所對應的負極焊墊中的其中一個之間，其中每兩條第二導線分別電性連接于每一個相對應的紅色發(fā)光二極管芯片的正極與所述至少兩個所對應的正極焊墊中的其中一個之間及電性連接于每一個相對應的紅色發(fā)光二極管芯片的負極與所述至少兩個所對應的負極焊墊中的其中一個之間。
6.如權(quán)利要求1所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更進一步包括:一限流單元，其包括至少一設置于該基板本體上且電性連接于該發(fā)光單元與一定電壓電源之間的限流芯片，其中所述至少一限流芯片被一不透光封裝膠體所覆蓋，且所述至少一限流芯片與該圍繞式不透光框體皆被一圍繞式不透光框體所圍繞。
7.如權(quán)利要求1所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更進一步包括:一限流單元及一橋式整流單元，其中該限流單元包括至少一設置于該基板本體上的限流芯片，該橋式整流單元包括至少一設置于該基板本體上的橋式整流器，所述至少一限流芯片電性連接于該發(fā)光單元與所述至少一橋式整流器之間，所述至少一橋式整流器電性連接于所述至少一限流芯片與一交流電源之間，所述至少一限流芯片被一不透光封裝膠體所覆蓋，且所述至少一限流芯片與該圍繞式不透光框體皆被一圍繞式不透光框體所圍繞。
8.—種混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一基板單元，其包括一基板本體； 一發(fā)光單元，其包括多個設置于該基板本體上且電性連接于該基板本體的第一發(fā)光群組及多個設置于該基板本體上且電性連接于該基板本體的第二發(fā)光群組，其中所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組串聯(lián)在一起，每一個第一發(fā)光群組包括至少一藍色發(fā)光二極管芯片，每一個第二發(fā)光群組包括多個并聯(lián)在一起的第二并聯(lián)單元，每一個第二并聯(lián)單元包括至少一個紅色發(fā)光二極管芯片； 一封裝單元，其包括一設置于該基板本體上以同時覆蓋所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組的熒光膠體；以及 一邊框單元，其包括一通過涂布方式而圍繞地成形于該基板本體上的圍繞式反光框體，其中該圍繞式反光框體同時圍繞所述多個第一發(fā)光群組、所述多個第二發(fā)光群組、及該熒光膠體，且該熒光膠體接觸該圍繞式反光框體。
9.如權(quán)利要求8所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組交替地串聯(lián)在一起，每一個第二并聯(lián)單元所使用的紅色發(fā)光二極管芯片的數(shù)量皆相同，且每一個第一發(fā)光群組的工作電流與每一個第二發(fā)光群組的工作電流相近。
10.如權(quán)利要求8所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圍繞式反光框體具有一因所述涂布方式所形成的接合凸部，該圍繞式反光框體的上表面為一圓弧形，該圍繞式反光框體相對于該基板本體上表面的圓弧切線的角度介于40至50度之間，該圍繞式反光框體的頂面相對于該基板本體上表面的高度介于0.3至0.7mm之間，該圍繞式反光框體底部的寬度介于1.5至3_之間，該圍繞式反光框體的觸變指數(shù)介于4至6之間，且該圍繞式反光框體為一內(nèi)部混有多個無機添加顆粒的白色熱硬化反光框體。
11.如權(quán)利要求8所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板單元包括多個設置于該基板本體上表面的正極焊墊及多個設置于該基板本體上表面的負極焊墊，其中每一個藍色發(fā)光二極管芯片具有一正極及一負極，每一個藍色發(fā)光二極管芯片的正極對應于所述多個正極焊墊中的至少兩個，每一個藍色發(fā)光二極管芯片的負極對應于所述多個負極焊墊中的至少兩個，其中每一個紅色發(fā)光二極管芯片具有一正極及一負極，每一個紅色發(fā)光二極管芯片的正極對應于所述多個正極焊墊中的至少兩個，每一個紅色發(fā)光二極管芯片的負極對應于所述多個負極焊墊中的至少兩個。
12.如權(quán)利要求11所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更進一步包括:一導線單元，其包括多條第一導線及多條第二導線，其中每兩條第一導線分別電性連接于每一個相對應的藍色發(fā)光二極管芯片的正極與所述至少兩個所對應的正極焊墊中的其中一個之間及電性連接于每一個相對應的藍色發(fā)光二極管芯片的負極與所述至少兩個所對應的負極焊墊中的其中一個之間，其中每兩條第二導線分別電性連接于每一個相對應的紅色發(fā)光二極管芯片的正極與所述至少兩個所對應的正極焊墊中的其中一個之間及電性連接于每一個相對應的紅色發(fā)光二極管芯片的負極與所述至少兩個所對應的負極焊墊中的其中一個之間。
13.如權(quán)利要求8所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更進一步包括:一限流單元，其包括至少一設置于該基板本體上且電性連接于該發(fā)光單元與一定電壓電源之間的限流芯片，其中所述至少一限流芯片被一不透光封裝膠體所覆蓋，且所述至少一限流芯片與該圍繞式不透光框體皆被一圍繞式不透光框體所圍繞。
14.如權(quán)利要求8所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更進一步包括:一限流單元及一橋式整流單元，其中該限流單元包括至少一設置于該基板本體上的限流芯片，該橋式整流單元包括至少一設置于該基板本體上的橋式整流器，所述至少一限流芯片電性連接于該發(fā)光單元與所述至少一橋式整流器之間，所述至少一橋式整流器電性連接于所述至少一限流芯片與一交流電源之間，所述至少一限流芯片被一不透光封裝膠體所覆蓋，且所述至少一限流芯片與該圍繞式不透光框體皆被一圍繞式不透光框體所圍繞。
15.—種混光式多晶封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括: 一基板單元，其包括一基板本體； 一發(fā)光單元，其包括多個設置于該基板本體上且電性連接于該基板本體的第一發(fā)光群組及多個設置于該基板本體上且電性連接于該基板本體的第二發(fā)光群組，其中所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組串聯(lián)在一起，每一個第一發(fā)光群組包括多個并聯(lián)在一起的第一并聯(lián)單元，每一個第一并聯(lián)單元包括至少一個藍色發(fā)光二極管芯片，每一個第二發(fā)光群組包括多個并聯(lián)在一起的第二并聯(lián)單元，每一個第二并聯(lián)單元包括至少一個紅色發(fā)光二極管芯片； 一封裝單元，其包括一設置于該基板本體上以同時覆蓋所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組的熒光膠體；以及 一邊框單元，其包括一通過涂布方式而圍繞地成形于該基板本體上的圍繞式反光框體，其中該圍繞式反光框體同時圍繞所述多個第一發(fā)光群組、所述多個第二發(fā)光群組、及該熒光膠體，且該熒光膠體接觸該圍繞式反光框體。
16.如權(quán)利要求15所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組交替地串聯(lián)在一起，每一個第一并聯(lián)單元所使用的藍色發(fā)光二極管芯片的數(shù)量皆相同，且每一個第一發(fā)光群組的工作電流與每一個第二發(fā)光群組的工作電流相近。
17.如權(quán)利要求15所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圍繞式反光框體具有一因所述涂布方式所形成的接合凸部，該圍繞式反光框體的上表面為一圓弧形，該圍繞式反光框體相對于該基板本體 上表面的圓弧切線的角度介于40至50度之間，該圍繞式反光框體的頂面相對于該基板本體上表面的高度介于0.3至0.7mm之間，該圍繞式反光框體底部的寬度介于1.5至3_之間，該圍繞式反光框體的觸變指數(shù)介于4至6之間，且該圍繞式反光框體為一內(nèi)部混有多個無機添加顆粒的白色熱硬化反光框體。
18.如權(quán)利要求15所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板單元包括多個設置于該基板本體上表面的正極焊墊及多個設置于該基板本體上表面的負極焊墊，其中每一個藍色發(fā)光二極管芯片具有一正極及一負極，每一個藍色發(fā)光二極管芯片的正極對應于所述多個正極焊墊中的至少兩個，每一個藍色發(fā)光二極管芯片的負極對應于所述多個負極焊墊中的至少兩個，其中每一個紅色發(fā)光二極管芯片具有一正極及一負極，每一個紅色發(fā)光二極管芯片的正極對應于所述多個正極焊墊中的至少兩個，每一個紅色發(fā)光二極管芯片的負極對應于所述多個負極焊墊中的至少兩個。
19.如權(quán)利要求18所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更進一步包括:一導線單元，其包括多條第一導線及多條第二導線，其中每兩條第一導線分別電性連接于每一個相對應的藍色發(fā)光二極管芯片的正極與所述至少兩個所對應的正極焊墊中的其中一個之間及電性連接于每一個相對應的藍色發(fā)光二極管芯片的負極與所述至少兩個所對應的負極焊墊中的其中一個之間，其中每兩條第二導線分別電性連接于每一個相對應的紅色發(fā)光二極管芯片的正極與所述至少兩個所對應的正極焊墊中的其中一個之間及電性連接于每一個相對應的紅色發(fā)光二極管芯片的負極與所述至少兩個所對應的負極焊墊中的其中一個之間。
20.如權(quán)利要求15所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更進一步包括:一限流單元，其包括至少一設置于該基板本體上且電性連接于該發(fā)光單元與一定電壓電源之間的限流芯片，其中所述至少一限流芯片被一不透光封裝膠體所覆蓋，且所述至少一限流芯片與該圍繞式不透光框體皆被一圍繞式不透光框體所圍繞。
21.如權(quán)利要求15所述的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更進一步包括:一限流單元及一橋式整流單元，其中該限流單元包括至少一設置于該基板本體上的限流芯片，該橋式整流單元包括至少一設置于該基板本體上的橋式整流器，所述至少一限流芯片電性連接于該發(fā)光單元與所述至少一橋 式整流器之間，所述至少一橋式整流器電性連接于所述至少一限流芯片與一交流電源之間，所述至少一限流芯片被一不透光封裝膠體所覆蓋，且所述至少一限流芯片與該圍繞式不透光框體皆被一圍繞式不透光框體所圍繞。
全文摘要
一種混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一發(fā)光單元、一封裝單元、及一邊框單元；發(fā)光單元包括多個第一發(fā)光群組及多個第二發(fā)光群組，且所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組串聯(lián)在一起；每一個第一發(fā)光群組包括多個并聯(lián)在一起的第一并聯(lián)單元，且每一個第一并聯(lián)單元包括至少一個藍色發(fā)光二極管芯片；每一個第二發(fā)光群組包括至少一紅色發(fā)光二極管芯片；封裝單元包括一同時覆蓋所述多個第一發(fā)光群組與所述多個第二發(fā)光群組的熒光膠體；邊框單元包括一同時圍繞所述多個第一發(fā)光群組、所述多個第二發(fā)光群組、及熒光膠體的圍繞式反光框體。本發(fā)明提供的混光式多晶封裝結(jié)構(gòu)，可用于增加LED演色性及LED利用率。
文檔編號H01L33/52GK103165589SQ20111040675
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月8日
發(fā)明者鐘嘉珽, 戴世能 申請人:東莞柏澤光電科技有限公司