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非圓形截面碳化硅纖維及其制備方法

文檔序號(hào):1757063閱讀:156來源:國知局
專利名稱:非圓形截面碳化硅纖維及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及在航空、航天、軍事等領(lǐng)域應(yīng)用的作為結(jié)構(gòu)吸波材料增強(qiáng)體系的非圓形截面碳化硅纖維及其制備方法。
背景技術(shù)
碳化硅(SiC)系列纖維具有高純度、高模量、低熱膨脹系數(shù)與電阻率可調(diào)節(jié)等特性,還具有耐高溫氧化、直徑細(xì)和易于編織等特點(diǎn),是高性能復(fù)合材料的理想增強(qiáng)劑,在航空、航天、軍事等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用前景,目前已應(yīng)用的碳化硅系列纖維的截面均為圓形,經(jīng)我們研究非圓形截面碳化硅纖維的力學(xué)性能可以得到更進(jìn)一步的提高,但目前非圓形截面碳化硅纖維的研究還未能進(jìn)入實(shí)際的應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于通過改變SiC纖維截面形狀來改變纖維的介電性能,提供一系列具有復(fù)雜非圓形截面,具有較好力學(xué)性能和吸波性能的碳化硅纖維及其制備方法。本發(fā)明的另一目的在于通過對(duì)纖維本身進(jìn)行設(shè)計(jì),得到性能優(yōu)異的結(jié)構(gòu)吸波材料。
本發(fā)明的非圓形截面碳化硅纖維是以分子量為1200-1700的先驅(qū)體聚碳硅烷為原料,采用條形、五葉形或扇形孔噴絲板,經(jīng)熔融紡絲制備而成,其纖維的截面形狀為條形、五葉形或扇形,條形纖維的介電損耗正切值tanδ為0.41~0.49,五葉形纖維的介電損耗正切值tanδ為0.24~0.32,扇形纖維的介電損耗正切值tanδ為0.46~0.59。
其制備方法包括如下步驟(1)以分子量為1200-1700的先驅(qū)體聚碳硅烷為原料,采用非圓形孔噴絲板,將所述聚碳硅烷置于熔融紡絲裝置中,在高純氮?dú)獗Wo(hù)下加熱到300~400℃,進(jìn)行脫泡處理后,控制紡絲溫度274~340℃、紡絲壓力為0.4~1.2MPa,紡絲速度為80-200m/min進(jìn)行熔融紡絲,制得非圓形截面聚碳硅烷原纖維;(2)將上述聚碳硅烷原纖維置于氧化爐中,在空氣氛中按5-15℃/h的升溫速率升溫加熱,并在180~240℃保溫2~8小時(shí),冷至室溫后得到不熔化非圓形聚碳硅烷原纖維;(3)將上述不熔化纖維置于高純氮?dú)獗Wo(hù)下的高溫爐中,按照0.5-2℃/min的升溫速率升溫至1100~1300℃,并在高溫度下保溫1~2小時(shí),得到非圓形截面碳化硅纖維。
本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)非圓形纖維的截面比較復(fù)雜、且異形度較高,在X波段,三種非圓形纖維的磁損耗為零,條形纖維的介電損耗正切值tanδ為0.41~0.49,五葉形纖維的介電損耗正切值tanδ為0.24~0.32,扇形纖維的介電損耗正切值tanδ為0.46~0.59;三種非圓形纖維的介電常數(shù)實(shí)部和虛部值隨頻率的增加而減小,頻響效應(yīng)較好,可以作為性能優(yōu)異的結(jié)構(gòu)吸波材料;纖維可連續(xù)紡絲,可以實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。


圖1是實(shí)施例1條形碳化硅纖維的橫截面示意圖;圖2是實(shí)施例2五葉形碳化硅纖維的橫截面示意圖;圖3是實(shí)施例3扇形碳化硅纖維的橫截面示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
實(shí)施例1.條形碳化硅纖維的制備本實(shí)施例將分子量為1200-1700之間、軟化點(diǎn)204~219℃的先驅(qū)體聚碳硅烷置于熔融紡絲裝置中,采用條形孔噴絲板,在高純氮?dú)獗Wo(hù)下加熱到320℃并進(jìn)行脫泡處理后,在275℃,1.0MPa紡絲壓力,100m/min的紡絲速度下熔融紡絲,得到條形纖維的當(dāng)量直徑為26μm,異形度為0.73。將原絲置于氧化爐中,在空氣氣氛中按10℃/h的升溫速率加熱到200℃,保溫處理4小時(shí)。將不熔化纖維置于管式燒成爐中,在高純氮?dú)獗Wo(hù)下,按照1℃/min的升溫速率,升溫至1250℃,保溫1小時(shí),冷卻至室溫得到如圖1所示的條形截面碳化硅纖維。
經(jīng)測試條形纖維單絲強(qiáng)度為1.7GPa,條形纖維異形度為0.73。在X波段,所述纖維的磁導(dǎo)率的實(shí)部在1左右,虛部約為零,介電損耗正切值在0.41~0.49之間,介電常數(shù)隨頻率的增加而減小,具有較好的頻響特性。可以作為性能優(yōu)異的結(jié)構(gòu)吸波材料。
實(shí)施例2五葉形碳化硅纖維的制備將分子量為1200-1700之間、軟化點(diǎn)219~232℃的先驅(qū)體聚碳硅烷置于熔融紡絲裝置中,采用五葉形孔噴絲板,在高純氮?dú)獗Wo(hù)下加熱到380℃并進(jìn)行脫泡處理后,在280℃,0.7MPa紡絲壓力,80m/min的紡絲速度下熔融紡絲,得到五葉形纖維的當(dāng)量直徑為28μm,異形度為0.53。將原絲置于氧化爐中,在空氣氣氛中按6℃/h的升溫速率加熱到180℃,保溫處理8小時(shí)。將不熔化纖維置于管式燒成爐中,在高純氮?dú)獗Wo(hù)下,按照0.5℃/min的升溫速率,升溫至1150℃,保溫2小時(shí),冷卻至室溫得到如圖2所示的截面為五葉形碳化硅纖維。五葉形纖維單絲強(qiáng)度為1.6GPa,五葉形纖維異形度為0.53。在本實(shí)施例中,在X波段,所述纖維的磁導(dǎo)率的實(shí)部在1左右,虛部約為零,介電損耗正切值在0.24~0.32之間,介電常數(shù)隨頻率的增加而減小,具有較好的頻響特性??梢宰鳛樾阅軆?yōu)異的結(jié)構(gòu)吸波材料。
實(shí)施例3將分子量為1200-1700之間、將軟化點(diǎn)210~223℃的先驅(qū)體聚碳硅烷置于熔融紡絲裝置中,采用扇形孔噴絲板,在高純氮?dú)獗Wo(hù)下加熱到350℃并進(jìn)行脫泡處理后,在275℃,0.5MPa紡絲壓力,180m/min的紡絲速度下熔融紡絲,得到扇形原纖維的當(dāng)量直徑為24μm,異形度為0.51。將原絲置于氧化爐中,在空氣氣氛中按14℃/h的升溫速率加熱到240℃,保溫處理3小時(shí)。將不熔化纖維置于管式燒成爐中,在高純氮?dú)獗Wo(hù)下,按照2℃/min的升溫速率,升溫至1200℃,保溫1.8小時(shí),冷卻至室溫得到如圖3所示的扇形碳化硅纖維。扇形纖維單絲強(qiáng)度為1.6GPa,扇形纖維異形度為0.51。在本實(shí)施例中,在X波段,所述纖維的磁導(dǎo)率的實(shí)部在1左右,虛部約為零,介電損耗正切值在0.41~0.49之間,介電常數(shù)隨頻率的增加而減小,具有較好的頻響特性,可以作為性能優(yōu)異的結(jié)構(gòu)吸波材料。
權(quán)利要求
1.非圓形截面碳化硅纖維,其特征在于,以分子量為1200-1700的先驅(qū)體聚碳硅烷為原料,采用條形、五葉形或扇形孔噴絲板,經(jīng)熔融紡絲制備而成,其纖維的截面形狀為條形、五葉形或扇形,條形纖維的介電損耗正切值tanδ為0.41~0.49,五葉形纖維的介電損耗正切值tanδ為0.24~0.32,扇形纖維的介電損耗正切值tanδ為0.46~0.59。
2.非圓形截面碳化硅纖維及其制備方法,其特征在于包括以下步驟(1)以分子量為1200-1700的先驅(qū)體聚碳硅烷為原料,采用非圓形孔噴絲板,將所述聚碳硅烷置于熔融紡絲裝置中,在高純氮?dú)獗Wo(hù)下加熱到300~400℃,進(jìn)行脫泡處理后,控制紡絲溫度274~340℃、紡絲壓力為0.4~1.2MPa,紡絲速度為80-200m/min)進(jìn)行熔融紡絲,制得非圓形截面聚碳硅烷原纖維;(2)將上述聚碳硅烷原纖維置于氧化爐中,在空氣氛中按5-15℃/h的升溫速率升溫加熱,并在180~240℃保溫2~8小時(shí),冷至室溫后得到不熔化非圓形聚碳硅烷原纖維;(3)將上述不熔化纖維置于高純氮?dú)獗Wo(hù)下的高溫爐中,按照0.5-2℃/min的升溫速率升溫至1100~1300℃,并在高溫度下保溫1~2小時(shí),得到非圓形截面碳化硅纖維。
全文摘要
本發(fā)明公開了非圓形截面碳化硅纖維及其制備方法。非圓形截面碳化硅纖維是以分子量為1200-1700的先驅(qū)體聚碳硅烷為原料,采用條形、五葉形或扇形孔噴絲板,經(jīng)熔融紡絲制備而成,其纖維的截面形狀為條形、五葉形或扇形,在X波段,三種異形纖維的磁損耗為零,條形纖維的介電損耗正切值tanδ為0.41~0.49,五葉形纖維的介電損耗正切值tanδ為0.24~0.32,扇形纖維的介電損耗正切值tanδ為0.46~0.59;三種異形纖維的介電常數(shù)實(shí)部和虛部值隨頻率的增加而減小,頻響效應(yīng)較好,可以作為性能優(yōu)異的結(jié)構(gòu)吸波材料;纖維可連續(xù)紡絲,可以實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。
文檔編號(hào)D01D5/00GK1986922SQ20061013690
公開日2007年6月27日 申請(qǐng)日期2006年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月20日
發(fā)明者王應(yīng)德, 劉旭光, 藍(lán)新艷, 薛金根, 謝征芳, 王浩 申請(qǐng)人:中國人民解放軍國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)
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