單片硅片清洗機(jī)臺(tái)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種手動(dòng)單片硅片清洗裝置。本實(shí)用新型一種單片硅片清洗機(jī)臺(tái)，用于硅片的清洗，包括基座和多個(gè)限位柱，所述基座上開設(shè)有進(jìn)水口，多個(gè)限位柱圍繞進(jìn)水口裝設(shè)在基座上，進(jìn)水口進(jìn)水使放置在進(jìn)水口的硅片浮起。硅片正面受到不斷流出的水的保護(hù)，從而不與酸液進(jìn)行接觸。本實(shí)用新型單片硅片清洗機(jī)臺(tái)利用水壓頂起硅片，硅片浮起在清洗機(jī)臺(tái)上，硅片背面在酸洗過程中，硅片正面一直處于水中，從而保護(hù)硅片正面不與酸液接觸，這樣硅片正面的金屬層不被腐蝕，從而提高了硅片的生產(chǎn)合格率。本實(shí)用新型單片硅片清洗機(jī)臺(tái)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，基座上裝設(shè)限位柱，限制硅片在限位柱內(nèi)漂浮，從而防止硅片隨水流漂出。
【專利說明】單片娃片清洗機(jī)臺(tái)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種涉及半導(dǎo)體集成電路制作工藝方面的加工設(shè)備，尤其涉及一種手動(dòng)單片硅片清洗裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體集成電路制作加工過程中，硅片背面工序加工前經(jīng)常需要進(jìn)行酸洗。普通半導(dǎo)體集成電路工藝背面腐蝕是將整個(gè)硅片花籃放入酸液中進(jìn)行腐蝕，但是因?yàn)檎嬗袖X層的存在，背面工序做整片清洗時(shí)容易腐蝕鋁產(chǎn)生產(chǎn)品異常。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:為了解決硅片背面酸洗時(shí)保護(hù)硅片正面不受到酸液的腐蝕的問題，本實(shí)用新型提供一種單片硅片清洗機(jī)臺(tái)來解決上述問題。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種單片硅片清洗機(jī)臺(tái)，用于硅片的清洗，包括基座和多個(gè)限位柱，所述基座上開設(shè)有進(jìn)水口，多個(gè)限位柱圍繞進(jìn)水口裝設(shè)在基座上。進(jìn)水口進(jìn)水使放置在進(jìn)水口的硅片浮起。硅片正面受到不斷流出的水的保護(hù)，從而不與酸液進(jìn)行接觸。
[0005]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述基座呈圓片形，進(jìn)水口開設(shè)在基座端面中心。該結(jié)構(gòu)能節(jié)約基座材料，保證清洗機(jī)臺(tái)的穩(wěn)定性。
[0006]進(jìn)一步優(yōu)選的，進(jìn)水口呈圓形，進(jìn)水口小于硅片的正面大小保證硅片。該結(jié)構(gòu)能夠使浮起的硅片受到的水壓各處相同，浮起平穩(wěn)。
[0007]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述限位柱為圓柱體形，數(shù)量為八個(gè)，圍繞進(jìn)水口周向均布在基座上，娃片位于限位柱圍成的空間內(nèi)。由于限位柱的聞度聞?dòng)谛酒∑饡r(shí)的聞度，使娃片不因水壓頂起而從從限位柱內(nèi)漂出。而且水能夠從限位柱之間的間隙流出，使水不會(huì)堵塞在基座上，保證水流能及時(shí)流出。
[0008]進(jìn)一步優(yōu)選的，限位柱高度為10mm-20mm。能夠保證娃片浮起而不被水流沖走。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果是，本實(shí)用新型單片硅片清洗機(jī)臺(tái)利用水壓頂起硅片，硅片浮起在清洗機(jī)臺(tái)上，硅片背面在酸洗過程中，硅片正面一直處于水中，從而保護(hù)硅片正面不與酸液接觸，這樣硅片正面的金屬層不被腐蝕，從而提高了硅片的生產(chǎn)合格率。本實(shí)用新型單片硅片清洗機(jī)臺(tái)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，基座上裝設(shè)限位柱，限制硅片在限位柱內(nèi)漂浮，從而防止硅片隨水流漂出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0011]圖1是本實(shí)用新型單片硅片清洗機(jī)臺(tái)優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意俯視圖。
[0012]圖2是本實(shí)用新型單片硅片清洗機(jī)臺(tái)優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意主視圖。
[0013]圖3是本實(shí)用新型單片硅片清洗機(jī)臺(tái)優(yōu)選實(shí)施例的立體示意圖。
[0014]圖中1、基座；2、限位柱；11、進(jìn)水口。

【具體實(shí)施方式】
[0015]現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。
[0016]如圖1-3所示，本實(shí)用新型一種單片硅片清洗機(jī)臺(tái)的優(yōu)選實(shí)施例，該單片硅片清洗機(jī)臺(tái)用于硅片的清洗，包括基座I和限位柱2。所述基座I呈圓片形，基座I的端面中心上開設(shè)有進(jìn)水口 11，進(jìn)水口 11呈圓形，且進(jìn)水口 11小于硅片的正面大小。所述進(jìn)水口 11連接有水管(圖未示)，所述水管的另一端連接有水源(圖未示)，所述水管上裝設(shè)有調(diào)壓閥(圖未示)。調(diào)節(jié)調(diào)壓閥，控制進(jìn)水口 11的進(jìn)水量，使放置在進(jìn)水口的硅片浮起。所述限位柱2為圓柱體形，數(shù)量為八個(gè)，圍繞進(jìn)水口 11周向均布在基座I上，芯片位于限位柱2圍成的空間內(nèi)，限位柱2高度為10mm-20mm，限位柱2高于芯片浮起時(shí)的高度，水能夠從限位柱2之間的間隙流出。
[0017]將硅片正面向下放置在基座I的進(jìn)水口 11上方，限位柱2以內(nèi)。對(duì)硅片背面酸洗的過程中，水管進(jìn)水，調(diào)節(jié)調(diào)壓閥，水壓使硅片輕輕浮起，進(jìn)水從硅片的四周較為均勻的流出。因有限位柱2的保護(hù)，硅片不會(huì)被水沖開。此時(shí)，硅片正面受到不斷流出的水的保護(hù)。
[0018]用噴霧器在硅片背面噴上一層酸，根據(jù)工藝要求靜置一定時(shí)間。然后用水槍將酸沖去。以上整個(gè)工藝時(shí)間中，硅片正面都受到了不斷流出的水的保護(hù)，從而不與噴出的酸霧進(jìn)行接觸，起到了保護(hù)硅片正面的情況下腐蝕背面的工藝過程。
[0019]以上述依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí)用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種單片硅片清洗機(jī)臺(tái)，用于硅片的清洗，其特征是:包括基座(1)和多個(gè)限位柱(2)，所述基座⑴上開設(shè)有進(jìn)水口(11)，多個(gè)限位柱⑵圍繞進(jìn)水口(11)裝設(shè)在基座(1)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片硅片清洗機(jī)臺(tái)，其特征是:所述基座(1)呈圓片形，進(jìn)水口(11)開設(shè)在基座(1)的端面中心。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片硅片清洗機(jī)臺(tái)，其特征是:進(jìn)水口(11)呈圓形，進(jìn)水口(11)小于娃片的正面大小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片硅片清洗機(jī)臺(tái)，其特征是:所述限位柱(2)為圓柱體形，數(shù)量為八個(gè)，圍繞進(jìn)水口(11)周向均布在基座⑴上，硅片位于限位柱(2)圍成的空間內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片硅片清洗機(jī)臺(tái)，其特征是:限位柱(2)高度為10mm-20mmo
【文檔編號(hào)】B08B3/02GK204204813SQ201420648827
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月3日
【發(fā)明者】吳耀輝, 周炳 申請(qǐng)人:蘇州同冠微電子有限公司