專利名稱：單晶硅邊皮的清洗方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種表面積不大且形狀規(guī)則的硅體的清洗方法，尤其涉及一種單晶硅邊皮的清洗方 法。
背景技術：
光伏領域中，高純的晶體硅是太陽能電池的主要基材，其只溶解于硝酸和氫氟酸的混合溶液中，原生的高純硅體往往會因為長時間暴露在空氣中，在硅料表面產(chǎn)生一層細致的膜狀氧化層，厚度往往在微米、納米級，目前常用的做法是通過強力的氧化、溶解能力的硝酸和氫氟酸混合溶液剝離一層，露出嶄新的硅體。根據(jù)硅體的表面積大小和形狀是否規(guī)則，分為以下三種情況1、硅體表面積不大，其外觀呈珊瑚狀，這樣的形狀結構往往會存在很多盲區(qū)，有些細小的縫隙連清洗液體都很難在短時間內克服表面張力進入，或者是進入后出不來，成為了新的污染；2、硅體表面積很大，特別是粉料，顆粒細小、相互疊加，造成很多難以接觸到清洗溶液的盲區(qū)，即使翻轉很快也不可避免，同時也存在很大的損耗；3、硅體表面積不大且形狀規(guī)則的，如單晶硅邊皮，由于在加工過程中表面沒有附著特殊的異物， 同時短時間內硅體表面沒有緩慢氧化產(chǎn)生氧化薄膜。如果上述三種情況均采用硝酸和氫氟酸混合溶液清洗的慣常做法，就容易造成浪費，即清洗溶液的損耗，同時會出現(xiàn)相應的廢酸廢氣；硅體也容易出現(xiàn)損耗。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于解決上述問題，提供一種單晶硅邊皮的清洗方法，其可以避免大量使用酸性溶液，減少大量廢酸廢氣的產(chǎn)生，并同時減少硅體自身的損耗。本發(fā)明的目的是通過以下技術方案來實現(xiàn)一種單晶硅邊皮的清洗方法，包括如下步驟1)使用有機溶劑相似相溶擦拭硅體表面的油性成分，2)進行超聲清洗前，在清洗溶液中添加普通洗滌劑，用以去除顆粒粉塵， 并進一步去除油性成分，3)進行多槽超聲清洗，并通過電導率測試儀檢測使用后的水溶液的電導率來判斷是否洗凈，要求電導率小于100μ S/cm。所述步驟1)中使用的有機溶劑可以為酒精、丙酮。所述步驟1)中的油性成分為硅體編號等油性筆字跡和徒手接觸硅體產(chǎn)生的油脂成分。所述步驟2)中使用的普通洗滌劑為普通家用洗滌劑。本發(fā)明的有益效果為針對表面積不大且形狀規(guī)則的硅體，特別是單晶硅邊皮，所提出該清洗方法，克服了傳統(tǒng)清洗方法的浪費，避免了大量使用酸性溶液，減少了大量廢酸廢氣的產(chǎn)生，并同時減少了硅體自身的損耗，通過該方法清洗的產(chǎn)品，經(jīng)拉晶試驗后效果與傳統(tǒng)酸洗效果相當。
具體實施方式
于本實施例中，本發(fā)明所述的單晶硅邊皮的清洗方法，包括如下步驟1)使用酒精等有機溶劑相似相溶擦拭硅體表面的硅體編號等油性筆字跡和徒手接觸硅體產(chǎn)生的油脂成分，2)進 液的電導率來判斷是否洗凈，要求電導率小于100μ S/cm。
權利要求
1.一種單晶硅邊皮的清洗方法，其特征在于，包括如下步驟1)使用有機溶劑相似相溶擦拭硅體表面的油性成分，2)進行超聲清洗前，在清洗溶液中添加普通洗滌劑，用以去除顆粒粉塵，并進一步去除油性成分，3)進行多槽超聲清洗，并通過電導率測試儀檢測使用后的水溶液的電導率來判斷是否洗凈，要求電導率小于ΙΟΟμ S/cm。
2.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅邊皮的清洗方法，其特征在于所述步驟1)中使用的有機溶劑可以為酒精、丙酮。
3.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅邊皮的清洗方法，其特征在于所述步驟1)中的油性成分為硅體編號等油性筆字跡和徒手接觸硅體產(chǎn)生的油脂成分。
4.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅邊皮的清洗方法，其特征在于所述步驟2)中使用的普通洗滌劑為普通家用洗滌劑。
全文摘要
本發(fā)明公開一種單晶硅邊皮的清洗方法，包括如下步驟1)使用有機溶劑相似相溶擦拭硅體表面的油性成分，2)進行超聲清洗前，在清洗溶液中添加普通洗滌劑，用以去除顆粒粉塵，并進一步去除油性成分，3)進行多槽超聲清洗，并通過電導率測試儀檢測使用后的水溶液的電導率來判斷是否洗凈，要求電導率小于100μS/cm。針對表面積不大且形狀規(guī)則的硅體，特別是單晶硅邊皮，所提出該清洗方法，克服了傳統(tǒng)清洗方法的浪費，避免了大量使用酸性溶液，減少了大量廢酸廢氣的產(chǎn)生，并同時減少了硅體自身的損耗，通過該方法清洗的產(chǎn)品，經(jīng)拉晶試驗后效果與傳統(tǒng)酸洗效果相當。
文檔編號B08B3/12GK102380490SQ201110320960
公開日2012年3月21日 申請日期2011年10月20日 優(yōu)先權日2011年10月20日
發(fā)明者俞振明, 楊樂, 王欣 申請人:高佳太陽能股份有限公司