技術(shù)編號(hào)：1365055
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種表面積不大且形狀規(guī)則的硅體的清洗方法，尤其涉及一種單晶硅邊皮的清洗方 法。背景技術(shù)光伏領(lǐng)域中，高純的晶體硅是太陽能電池的主要基材，其只溶解于硝酸和氫氟酸的混合溶液中，原生的高純硅體往往會(huì)因?yàn)殚L(zhǎng)時(shí)間暴露在空氣中，在硅料表面產(chǎn)生一層細(xì)致的膜狀氧化層，厚度往往在微米、納米級(jí)，目前常用的做法是通過強(qiáng)力的氧化、溶解能力的硝酸和氫氟酸混合溶液剝離一層，露出嶄新的硅體。根據(jù)硅體的表面積大小和形狀是否規(guī)則，分為以下三種情況1、硅體表面積不大，其外觀呈珊瑚狀，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。