專利名稱：晶片清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶片清洗方法。
背景技術(shù)：
隨著超大規(guī)模集成電路的迅速發(fā)展，芯片的集成度越來越高，元器 件的尺寸越來越小，因器件的高密度、小尺寸引發(fā)的各種效應(yīng)對各步工 藝制作結(jié)果的影響日益突出，對各步工藝的要求也隨之越來越嚴(yán)格，如 對生產(chǎn)中晶片的清洗要求就越來越高。
以光刻顯影后的清洗為例，在半導(dǎo)體制造過程中，光刻工藝處于中 心的地位，是當(dāng)前集成電路生產(chǎn)中最重要的工藝步驟。所謂光刻是一個 利用光刻掩膜版將設(shè)計的結(jié)構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移到晶片上的工藝過程，其具體可 以包括涂布光刻膠、曝光、顯影、烘干等多個步驟。其中，曝光后，受 到曝光光線照射的區(qū)域的光刻膠會發(fā)生變化，在顯影時應(yīng)被清洗去除， 以在襯底上形成與光刻掩膜版對應(yīng)的光刻膠圖形。
然而，實際生產(chǎn)中，尤其器件尺寸較小時，常發(fā)現(xiàn)清洗后應(yīng)去除的 曝光區(qū)域的光刻膠仍會有部分殘留，使得在襯底上形成的光刻圖形與掩
膜版上的圖形出現(xiàn)不一致，導(dǎo)致生產(chǎn)成品率的下降。尤其在進(jìn)入90nm工 藝以后，需采用193nm的光刻膠，其的特點是顯影快，但溶水性差，這就 使得顯影后在已曝光區(qū)域殘留部分光刻膠的問題更為突出。
圖l為現(xiàn)有的顯影后進(jìn)行晶片清洗的示意圖，如圖1所示，現(xiàn)有的在 曝光顯影后采用的清洗方法是利用一個噴嘴110從晶片101中心上方向下 噴灑去離子水102，同時，令晶片沿一定方向旋轉(zhuǎn)，以清洗去除晶片IOI 上已曝光區(qū)域的光刻膠的方法。其中，針對上述顯影后已曝光區(qū)域殘留 部分光刻膠難以清洗去除的問題，現(xiàn)有方法中，主要采用的是延長顯影 后對晶片的清洗時間的方法，但其一方面沒有明顯的改進(jìn)效果，另一方 面也延長了工藝時間。
圖2為顯影后利用現(xiàn)有的晶片清洗方法清洗后的器件剖面圖，如圖2
所示，顯影后，在襯底201上形成了光刻膠圖形202,但是，由于清洗效 果不佳或光刻膠溶水性較差，在清洗后的曝光區(qū)域內(nèi)仍有部分應(yīng)被去除 的光刻膠203未被清洗去除，仍會殘留在襯底表面，其會導(dǎo)致襯底上形成 的光刻膠圖形與掩膜版上的不一致，影響后續(xù)工藝的正常進(jìn)行，進(jìn)而導(dǎo) 致生產(chǎn)的成品率下降。
圖3為顯影后利用現(xiàn)有的清洗方法清洗后的晶片表面示意圖，如圖3 所示，清洗后，在對襯底301進(jìn)行的檢測中發(fā)現(xiàn)，在晶片的表面存在大量 缺陷302，進(jìn)一步檢測發(fā)現(xiàn)，這些缺陷是因曝光區(qū)域內(nèi)仍殘留有部分光刻 膠未被清洗去除而導(dǎo)致的。
為此，于2006年6月28日授權(quán)的公告號為CN1261826C的中國專利提 出了一種新的清洗劑組合物，其由多種有機(jī)溶劑組成，可以有效改善上 述顯影后的清洗方法中易殘留部分已曝光、應(yīng)被去除的光刻膠的問題， 但是，由于該專利采用的化學(xué)清洗劑成本較高，該方法并不利于推廣應(yīng) 用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種晶片清洗方法，其可以提高清洗效率，并改善現(xiàn)有 的晶片清洗方法清洗效果不佳的現(xiàn)象，如可以改善在顯影后的晶片清洗 中易在曝光區(qū)域內(nèi)殘留部分光刻膠的問題。
本發(fā)明提供的一種晶片清洗方法，包括步驟
令晶片進(jìn)行第一旋轉(zhuǎn)；
從所述晶片中心上方及位于所述晶片中段上方的第一位置組向所 述晶片噴灑去離子水； 停止所述第一旋轉(zhuǎn)； 令所述晶片進(jìn)行第二旋轉(zhuǎn)；
從位于所述晶片中段上方及所述晶片邊緣內(nèi)側(cè)上方的第二位置組
向所述晶片噴灑去離子水； 停止去離子水的噴灑； 停止所述第二旋轉(zhuǎn)。
其中，所述第二旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速可以低于所述第一旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速。 其中，令所述晶片停止第一旋轉(zhuǎn)前，還可以包括步驟 停止去離子水的噴灑。
可選地，所述第一旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速在1500rmp至2000rmp之間，所述第 二旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速在1000至1500rmp之間。
可選地，從第一位置組向晶片噴灑去離子水時，從所述晶片中心上 方噴灑的去離子水的流量等于從位于所述晶片中段上方噴灑的去離子 水的流量。
可選地，從第一位置組向晶片噴灑去離子水時所述去離子水的總流 量在1500至2500ml/min之間。
可選地，從第二位置組向晶片噴灑去離子水時，從位于所述晶片中 段上方噴灑的去離子水的流量與從所述晶片邊緣內(nèi)側(cè)上方噴灑的去離 子水的流量間的比值在2: 1至4: 1之間。
可選地，從第二位置組向晶片噴灑去離子水時所述去離子水的總流 量在1500至2500ml/min之間。
可選地，所述從第二位置組向晶片噴灑去離子水的持續(xù)時間在10 秒至30秒之間。
其中，在停止所述第二旋轉(zhuǎn)之后，還可以進(jìn)行第三旋轉(zhuǎn)，且所述第 三旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速高于所述第二旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速。
其中，在令晶片進(jìn)行第一旋轉(zhuǎn)之前，還可以包括步驟 對所述晶片進(jìn)行顯影操作。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點
本發(fā)明的晶片清洗方法，不4叉采用了兩步清洗的方法，而且在每一 步的清洗中還利用兩個噴嘴分別從兩個不同的位置對晶片進(jìn)行清洗第 一步清洗中，分別由晶片中心上方及晶片中段上方向晶片噴灑去離子 水；第二步清洗中，分別由晶片中段上方及所述晶片邊緣內(nèi)側(cè)上方向晶
片噴灑去離子水。采用本發(fā)明的清洗方法，不僅可以擴(kuò)大去離子水直接 沖洗的覆蓋面，提高清洗的力度，而且也改善了晶片清洗的均勻性。對 于顯影后的晶片清洗而言，更可以有效避免現(xiàn)有清洗方法中易在曝光區(qū) 域內(nèi)殘留部分光刻膠的問題。


圖1為現(xiàn)有的顯影后清洗晶片的示意圖2為顯影后利用現(xiàn)有的清洗方法清洗后的器件剖面圖3為顯影后利用現(xiàn)有的清洗方法清洗后的晶片表面示意圖4為本發(fā)明具體實施例的晶片清洗方法的流程圖5為說明本發(fā)明具體實施例中清洗晶片的第一位置組的示意圖6為說明本發(fā)明具體實施例中清洗晶片的第二位置組的示意圖7為顯影后利用本發(fā)明的晶片清洗方法清洗后的器件剖面圖8為顯影后利用本發(fā)明的晶片清洗方法清洗后的晶片表面示意圖。
具體實施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合 附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。
本發(fā)明的處理方法可以被廣泛地應(yīng)用于各個領(lǐng)域中，并且可利用許 多適當(dāng)?shù)牟牧现谱?，下面是通過具體的實施例來加以說明，當(dāng)然本發(fā)明 并不局限于該具體實施例，本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的一般的替
換無疑地涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實施例時， 為了便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，不 應(yīng)以此作為對本發(fā)明的限定，此外，在實際的制作中，應(yīng)包含長度、寬 度及深度的三維空間尺寸。
隨著集成電路的發(fā)展，器件尺寸的縮小， 一方面對工藝要求越來越 高，另一方面在工藝制作的過程中還會產(chǎn)生一些新的問題需要克服。如， 顯影后的清洗過程中應(yīng)將晶片曝光區(qū)域內(nèi)的光刻膠清洗去除，但隨著器 件集成度的增大、尺寸的縮小，常會出現(xiàn)清洗后在曝光區(qū)域內(nèi)仍殘留部 分光刻膠的問題。為解決這一問題，本發(fā)明提出了一種新的晶片清洗方 法，改善了晶片清洗的效果。
圖4為本發(fā)明具體實施例的晶片清洗方法的流程圖，下面結(jié)合圖4 對本發(fā)明的具體實施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
首先，令晶片進(jìn)行第一旋轉(zhuǎn)(S401)。本實施例中，所述晶片為顯 影后的晶片，此時通常是利用顯影設(shè)備同時對晶片進(jìn)行清洗，即，利用 該顯影設(shè)備在晶片表面噴灑顯影液后，再利用該設(shè)備的樣品臺帶動其上 吸附的晶片進(jìn)行第一旋轉(zhuǎn)，將其上的顯影液甩出晶片。該第一旋轉(zhuǎn)為高 速旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速可以在1500rmp至2000rmp之間，如為1700rmp。
接著，從晶片中心上方及位于所述晶片中段上方的第一位置組向所 述晶片噴灑去離子水(S402)。在本發(fā)明的其它實施例中，也可以針對 其它晶片進(jìn)行清洗，此時，不再需要利用第一旋轉(zhuǎn)將顯影液甩出，該第 一旋轉(zhuǎn)僅是作為在該第一位置組的正式清洗前的準(zhǔn)備工作，此時，S401 步驟與本步噴灑去離子水之間的時間間隔可以設(shè)置得較短，甚至也可以 令該S401及S402步驟同時進(jìn)行，即在晶片開始第一旋轉(zhuǎn)的同時開始對 晶片噴灑去離子水。
圖5為說明本發(fā)明具體實施例中清洗晶片的第一位置組的示意圖，
如圖5所示，與傳統(tǒng)的清洗方法不同，本步清洗中，是從晶片501上方
兩個不同的位置--晶片中心上方及位于晶片中段上方(第 一位置組
510)對晶片進(jìn)行去離子水502的噴灑的，本實施例中，位于晶片中心 上方是指位于距所述晶片圓心的投影距離在晶片半徑的1/4區(qū)域范圍 內(nèi)，位于晶片中段上方是指位于距晶片邊緣(或晶片圓心)的投影距離 為晶片半徑的1/4至3/4區(qū)域內(nèi)，如為距晶片邊緣的投影距離為晶片半 徑的l/2的位置處。本實施例中，采用兩個噴嘴從兩個位置對晶片同時 進(jìn)行去離水的噴灑，可以擴(kuò)大去離子水直接沖洗的覆蓋面，提高清洗的 效率及力度。
本實施例中，兩個噴嘴A/v第一位置組向晶片噴灑去離子水的總流量 在1500至2500ml/min之間，如為2000ml/min,且可以將從所述晶片中 心上方噴灑的去離子水的流量設(shè)置得與從位于所述晶片中段上方噴灑 的去離子水的流量相同。在本發(fā)明的其它實施例中，也可以將兩個位置 噴灑的去離子水的流量設(shè)置得不相同，但其需要在至少一個噴嘴上設(shè)置 一個可調(diào)節(jié)流量的流量調(diào)節(jié)閥。
再接著，可以停止該第一位置組的去離子水的噴灑(S403)，然后， 停止所述第一旋轉(zhuǎn)(S404)，再令所述晶片進(jìn)行第二旋轉(zhuǎn)(S405 ),并從 位于所述晶片中段上方及所述晶片邊緣內(nèi)側(cè)上方的第二位置組向所述 晶片噴灑去離子水(S406)。
圖6為說明本發(fā)明具體實施例中清洗晶片的第二位置組的示意圖， 如圖6所示，本步清洗中，將用于噴灑去離子水的噴嘴向晶片邊緣的方 向進(jìn)行了移動，改為由第二位置組520向晶片501噴灑去離子水，如圖 6所示，分別由位于晶片501中段上方及晶片501邊緣內(nèi)側(cè)上方兩個位 置對晶片進(jìn)行去離子水502的噴灑，本實施例中，位于晶片中段上方的 位置是指位于距晶片邊緣投影距離為晶片半徑的1/4至3/4區(qū)域間的某 一位置，如為距晶片邊緣投影距離為半徑的1/2的位置處。位于晶片501
邊緣內(nèi)側(cè)的上方的位置是指位于距晶片邊緣的投影距離為晶片半徑的
1/4至1/8區(qū)域間的某一位置，如距晶片邊緣投影距離為晶片半徑的1/6
的位置處。
本發(fā)明中利用了兩個噴嘴同時對晶片進(jìn)行去離子水的噴灑，該兩個 噴嘴間的距離既可以為固定的，也可以為可調(diào)整的。如可以將二者間的
距離固定設(shè)置為晶片半徑的1/4，這樣，位于第一位置組時， 一個噴嘴 位于晶片圓心上方時(屬于晶片中心上方)，另一噴嘴就位于距離晶片 中心為晶片半徑1/4的位置上方(屬于晶片中段上方)；在第二位置組 時，可以將兩個噴嘴同時向晶片外緣移動，令一個噴嘴位于距離晶片邊 緣為晶片半徑1/2的位置上方(屬于晶片中段上方)，另一噴嘴則會位 于距離晶片邊緣為半徑1/4的位置上方(屬于晶片邊緣內(nèi)側(cè)上方)。
另外，具體的噴嘴的位置設(shè)置還可以根據(jù)制作不同類型的器件時， 晶片上圖形的不同而不同，如可以將兩噴嘴中的至少一個噴嘴在至少一 次清洗中設(shè)置為對準(zhǔn)難以清洗去除光刻膠的區(qū)域，以重點加大對該區(qū)域 的清洗力度。
采用本發(fā)明的兩個噴嘴從兩個位置組對晶片分別進(jìn)行去離水噴灑 的晶片清洗方法，不僅可以擴(kuò)大去離子水直接沖洗的覆蓋面，提高清洗 的力度，還可以改善晶片清洗的均勻性。對于顯影后的晶片的清洗而言， 其還可以有效避免現(xiàn)有清洗方法中易在曝光區(qū)域內(nèi)殘留部分光刻膠的 問題。
注意到，由于在進(jìn)行第二旋轉(zhuǎn)時，噴灑去離子水的位置移動到了更 接近于晶片外圈的第二位置組，這樣，在相同轉(zhuǎn)速下的線速度會增大， 為了防止在線速度過大的情況下噴灑的去離子水損壞晶片上的圖形，本 實施例中將第二旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速設(shè)置得低于第 一旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速，具體地可以設(shè) 置在1000至1500rmp之間，如1300rmp。
當(dāng)然，也可以采取將去離子水的流量降^f氐的方式來防止晶片上圖形
的損壞，如在從第二位置組向晶片噴灑去離子水時，可以將從位于所述 晶片中段上方噴灑的去離子水的流量與從所述晶片邊緣內(nèi)側(cè)上方噴灑
的去離子水的流量間的比值設(shè)置在2: l至4: l之間，如為7: 3。至于 在第二位置組時去離子水的總流量，則既可以設(shè)置得比第一位置組時的 小，也可以保持基本不變，如仍可以設(shè)置在1500至2500ml/min之間， 如1800ml/min。
本實施例中，從第二位置組對晶片進(jìn)行清洗的過程可以設(shè)置在10 至30秒之間，如為15秒、20秒等。
另外，在本發(fā)明的其它實施例中，也可以在完成第一位置組的晶片 清洗步驟后，先停止去離子水的噴灑，再降低晶片的轉(zhuǎn)速，令其直接由 第 一旋轉(zhuǎn)狀態(tài)直接轉(zhuǎn)換為第二旋轉(zhuǎn)狀態(tài)。
在本發(fā)明的其它實施例中，還可以在完成第一位置組的晶片清洗步 驟后，不停止去離子水的噴灑，而令晶片停止第一旋轉(zhuǎn)，直接將兩個噴 嘴由第一位置組移至第二位置組，再令晶片進(jìn)行第二旋轉(zhuǎn)，開始下一階 段的晶片清洗。
當(dāng)在第二位置組的清洗結(jié)束后，可以先停止去離子水的噴灑 (S407),再停止第二旋轉(zhuǎn)(S408),這樣，可以在停止噴灑去離子水后， 停止第二旋轉(zhuǎn)之前，利用第二旋轉(zhuǎn)將晶片上殘留的去離子水甩干。
另外，也可以在停止噴灑去離子水后，直接對第二旋轉(zhuǎn)進(jìn)行提速， 令晶片以更高轉(zhuǎn)速的第三旋轉(zhuǎn)狀態(tài)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)(或者先停止第二旋轉(zhuǎn)，再 進(jìn)行更高轉(zhuǎn)速的第三旋轉(zhuǎn))，以提高晶片上殘留去離子水的甩干程度。 該第三旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速可以與第 一旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速相同。
圖7為顯影后利用本發(fā)明的晶片清洗方法清洗后的器件剖面圖，如圖 7所示，雖然襯底701上形成的光刻圖形702的大小各不相同，但在顯影并 采用了本發(fā)明的清洗方法對晶片進(jìn)行清洗后，各光刻膠圖形702的曝光區(qū) 域內(nèi)，應(yīng)被去除的光刻膠已被去除干凈。
圖8為顯影后利用本發(fā)明的晶片清洗方法清洗后的晶片表面示意圖，
如圖8所示，清洗后，在對襯底801進(jìn)行的檢測中發(fā)現(xiàn)，與傳統(tǒng)的晶片清
洗方法相比，因晶片表面曝光區(qū)域內(nèi)應(yīng)被去除的光刻膠未被清洗去除而
導(dǎo)致的缺陷已明顯減少。根據(jù)圖7和圖8可知，采用本發(fā)明的晶片清洗方 法后，確保了在襯底701上形成的光刻膠圖形702與掩膜版上的一致，提 高了生產(chǎn)的成品率。
本發(fā)明中對顯影后的清洗噴嘴進(jìn)行了改進(jìn)，由傳統(tǒng)的一個清洗噴嘴 改為了兩個，該兩個噴嘴間的距離既可以為固定的，也可以為可調(diào)整的。 如可以將二者間的距離設(shè)置為晶片半徑的1/4。另外，為了避免對晶片
的邊緣部位進(jìn)行去離子水噴灑時，因其線速度較大而導(dǎo)致晶片上圖形的 損壞，還可以在兩個噴嘴上設(shè)置流量調(diào)節(jié)闊(或者僅在其中一個噴嘴上 設(shè)置流量調(diào)節(jié)閥)，以實現(xiàn)兩個噴嘴的去離子水噴灑流量的不同。
另外，注意到兩個噴嘴的停止位置除了傳統(tǒng)的晶片中心位置及離開 晶片的位置外，還多了一個中間位置，因此，在設(shè)計時對噴嘴的移動模 式也要進(jìn)行相應(yīng)的修改，需要增加一個噴嘴停止位。
本發(fā)明的上述實施例是針對顯影后的晶片進(jìn)行的清洗，在本發(fā)明的 其它實施例中，也可將本發(fā)明的方法應(yīng)用于其它的清洗工藝中，其具體 實施步驟與思路均和本發(fā)明的上述實施例相似，在本發(fā)明實施例的啟示 下，這一應(yīng)用的延伸對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是易于理解和實現(xiàn) 的，在此不再贅述。
本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明， 任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能 的變動和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的 范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種晶片清洗方法，其特征在于，包括步驟令晶片進(jìn)行第一旋轉(zhuǎn)；從所述晶片中心上方及位于所述晶片中段上方的第一位置組向所述晶片噴灑去離子水；停止所述第一旋轉(zhuǎn)；令所述晶片進(jìn)行第二旋轉(zhuǎn)；從位于所述晶片中段上方及所述晶片邊緣內(nèi)側(cè)上方的第二位置組向所述晶片噴灑去離子水；停止去離子水的噴灑；停止所述第二旋轉(zhuǎn)。
2、 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于所述第二旋轉(zhuǎn)的 轉(zhuǎn)速低于所述第 一旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速。
3、 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，令所述晶片停止 第一旋轉(zhuǎn)前，還包括步驟停止去離子水的噴灑。
4、 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于所述第一旋轉(zhuǎn)的 轉(zhuǎn)速在1500rmp至2000rmp之間。
5、 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于所述第二旋轉(zhuǎn)的 轉(zhuǎn)速在1000至1500rmp之間。
6、 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于從第一位置組向 晶片噴灑去離子水時，從所述晶片中心上方噴灑的去離子水的流量等于 從位于所述晶片中段上方噴灑的去離子水的流量。
7、 如權(quán)利要求1或6所述的清洗方法，其特征在于從第一位置 組向晶片噴灑去離子水時所述去離子水的總流量在1500至2500ml/min之間。
8、 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于從第二位置組向 晶片噴灑去離子水時，從位于所述晶片中段上方噴灑的去離子水的流量 與從所述晶片邊緣內(nèi)側(cè)上方噴灑的去離子水的流量間的比值在2: 1至 4: 1之間。
9、 如權(quán)利要求1或8所述的清洗方法，其特征在于從第二位置 組向晶片噴灑去離子水時所述去離子水的總流量在1500至2500ml/min之間。
10、 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于所述從第二位置 組向晶片噴灑去離子水的持續(xù)時間在10秒至30秒之間。
11、 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于在停止所述第二 旋轉(zhuǎn)之后，還進(jìn)行了第三旋轉(zhuǎn)，且所述第三旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速高于所述第二旋 轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速。
12、 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于在令晶片進(jìn)行第 一旋轉(zhuǎn)之前，還包括步驟對所述晶片進(jìn)行顯影操作。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶片清洗方法，包括步驟令晶片進(jìn)行第一旋轉(zhuǎn)；從所述晶片中心上方及位于所述晶片中段上方的第一位置組向所述晶片噴灑去離子水；停止所述第一旋轉(zhuǎn)；令所述晶片進(jìn)行第二旋轉(zhuǎn)；從位于所述晶片中段上方及所述晶片邊緣內(nèi)側(cè)上方的第二位置組向所述晶片噴灑去離子水；停止去離子水的噴灑；停止所述第二旋轉(zhuǎn)。采用本發(fā)明的清洗方法，擴(kuò)大了去離子水對晶片進(jìn)行直接沖洗的覆蓋面，提高了清洗的力度，同時，也改善了晶片清洗的均勻性。
文檔編號B08B3/10GK101391254SQ20071004621
公開日2009年3月25日 申請日期2007年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月17日
發(fā)明者劉志成, 王向東, 峰 高, 高俊濤 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司