專利名稱：用于微電子基底的清潔組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于清潔微電子基底的方法和清潔組合物，以及具體涉及對(duì)以二氧化硅、敏感的低κ或高κ電介質(zhì)和銅金屬化(copper metallization)為特征的微電子基底以及Al或Al(Cu)金屬化的基底有用并具有改進(jìn)相容性的清潔組合物。本發(fā)明也涉及該清潔組合物用于剝離光致抗蝕劑(photoresist)、清潔來(lái)自等離子過(guò)程生成的有機(jī)化合物、有機(jī)金屬化合物和無(wú)機(jī)化合物的殘留物、清潔從如化學(xué)機(jī)械拋光的平整過(guò)程(planarizationprocess)中產(chǎn)生的殘留物，以及在平整漿料殘留物中用作添加劑的用途。
背景技術(shù)：
在微電子領(lǐng)域中，已經(jīng)建議使用許多光致抗蝕劑剝離劑和殘留物去除劑作為生產(chǎn)線下游或后端(back end)的清潔劑。在制造過(guò)程中光致抗蝕劑薄膜沉積在晶片基底上，然后在薄膜上成像電路圖案。烘焙后，未聚合的抗蝕劑用光致抗蝕劑展開劑(developer)除去。然后通過(guò)反應(yīng)性等離子體蝕刻氣體或化學(xué)蝕刻劑溶液將所得到的圖像轉(zhuǎn)印至底層材料，該材料通常是電介質(zhì)或金屬。蝕刻氣體或化學(xué)蝕刻劑溶液選擇性蝕刻基底上未被光致抗蝕劑保護(hù)的區(qū)域。等離子體蝕刻過(guò)程的結(jié)果使得光致抗蝕劑、蝕刻氣體和被蝕刻的材料副產(chǎn)物作為殘留物沉積在基底上的蝕刻開口的側(cè)壁或周圍。
另外，在蝕刻步驟終止后，抗蝕劑掩膜(mask)必須從晶片的保護(hù)區(qū)除去，從而可以進(jìn)行最終的拋光操作。這可以在等離子體灰化步驟中通過(guò)采用合適的等離子體灰化(ashing)氣體或濕法化學(xué)剝離劑完成。然而，尋找用于除去該抗蝕劑掩膜材料而對(duì)金屬電路沒(méi)有如腐蝕、溶解或鈍化等負(fù)面影響的合適清潔組合物，已證實(shí)是有問(wèn)題的。
隨著微電子制造集成水平的提高以及圖案化微電子器件尺寸的減小，在本領(lǐng)域中使用銅金屬化、低κ和高κ電介質(zhì)變得越來(lái)越普遍。這些材料對(duì)尋找可接受的清潔劑組合物提出了另外的挑戰(zhàn)。先前開發(fā)的用于“傳統(tǒng)”或“常規(guī)”半導(dǎo)體器件(含有Al/SiO2或Al(Cu)SiO2結(jié)構(gòu))的許多工藝技術(shù)組合物不能用于銅金屬化的低κ或高κ電介質(zhì)結(jié)構(gòu)。例如，羥胺類剝離劑或殘留物除去劑組合物成功地用于清潔由鋁金屬化的器件，但對(duì)那些由銅金屬化的器件實(shí)際上不合適。同樣，如果不在組合物中作出重大調(diào)整，許多銅金屬化的/低κ剝離劑不適合鋁金屬化的器件。
已經(jīng)證實(shí)在等離子蝕刻和/或灰化過(guò)程后這些蝕刻和/或灰化殘留物的去除是有問(wèn)題的。無(wú)法完全除去或抵消這些殘留物會(huì)導(dǎo)致濕氣的吸收和對(duì)金屬結(jié)構(gòu)引起腐蝕的不希望物質(zhì)的形成。電路材料被這些不希望的物質(zhì)腐蝕，并在電路線路(circuitry wiring)中產(chǎn)生不連續(xù)性以及不希望地增加電阻。
目前的后端清潔劑顯示對(duì)某些敏感電介質(zhì)和金屬化大范圍的相容性，從完全不能接受到勉強(qiáng)滿意?，F(xiàn)有剝離劑和殘留物清潔劑中大多數(shù)不適用于高級(jí)互連材料(advanced interconnect materials)，例如多孔和低κ電介質(zhì)和銅金屬化。另外，所使用的典型的堿性清潔溶液對(duì)多孔和低κ和高κ電介質(zhì)和/或銅金屬化過(guò)度侵蝕。而且，這些堿性清潔組合物中大多數(shù)包含有機(jī)溶劑，該有機(jī)溶劑顯示出差的產(chǎn)品穩(wěn)定性，特別是在較高的pH范圍內(nèi)和較高的處理溫度下。
迄今為止，氧化劑使用在主要為水溶液形式的清潔組合物中。已知氧化劑如普通使用的過(guò)氧化氫和過(guò)酸容易發(fā)生反應(yīng)或易于分解，特別是在有機(jī)溶劑基質(zhì)(其通常使用在剝離劑組合物中)中。在這些例子中，氧化劑被消耗掉，對(duì)所期望的應(yīng)用變得無(wú)法得到。另外，含有氧化劑的微電子清潔組合物經(jīng)常顯示出差的產(chǎn)品穩(wěn)定性，特別在存在大量的(10重量％或更多的)有機(jī)溶劑，以及在較高的pH范圍內(nèi)和高的處理溫度下。而且，在許多組合物中，穩(wěn)定劑和溶劑的使用經(jīng)常會(huì)妨礙氧化劑，導(dǎo)致在清潔過(guò)程中進(jìn)行有效氧化/還原反應(yīng)的能力降低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，需要有機(jī)溶劑基的微電子清潔組合物，其在pH＞9的強(qiáng)堿性條件下，在60℃或更高的高溫下，以及在強(qiáng)氧化劑如過(guò)氧化氫等存在下是穩(wěn)定的，并且其適合后端清潔操作，其中該組合物是有效的清潔劑，且可適用于剝離光致抗蝕劑和清潔來(lái)自等離子過(guò)程生成的有機(jī)化合物、有機(jī)金屬化合物和無(wú)機(jī)化合物的殘留物，清潔如CMP的平整過(guò)程產(chǎn)生的殘留物，和在平整漿料/液中用作添加劑，以及該組合物可用于采用銅金屬化和多孔或無(wú)孔低κ(即κ值為3或更小)或高κ(即κ值為20或更大)的電介質(zhì)的高級(jí)互連材料，以及適用于清潔常規(guī)器件，例如那些含有二氧化硅、低κ或高κ電介質(zhì)的由鋁或鋁(銅)金屬化的器件。本發(fā)明也涉及能與氧化劑結(jié)合的清潔組合物，以提供用于清潔所有這些器件的有效清潔劑。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)含有強(qiáng)堿和某些極性有機(jī)溶劑的不含硅酸鹽的配制劑能提供普遍可接受的清潔組合物，所述極性有機(jī)溶劑與氧化劑發(fā)生最小程度的反應(yīng)或不發(fā)生反應(yīng)，以及特別是有助于穩(wěn)定該氧化劑的那些溶劑。還已發(fā)現(xiàn)具有良好氫鍵鍵合能力的溶劑可提供這樣的配制劑。本發(fā)明的清潔組合物通常具有大約0.1-30重量％的強(qiáng)堿和大約1-99.9重量％具有良好氫鍵鍵合能力的極性有機(jī)溶劑。本發(fā)明的清潔組合物也可任選包含水和/或相容的酸或堿(alkaline base)、螯合劑、共溶劑、氧化劑穩(wěn)定劑、金屬腐蝕抑制劑(metalcorrosion inhibitor)、表面活性劑和氟化物。在本說(shuō)明書中提供的重量百分?jǐn)?shù)基于清潔組合物的總重量。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的新型后端清潔組合物包含一種或多種任意的強(qiáng)堿和某些極性有機(jī)溶劑。該清潔組合物可配制為高含水性、半含水性或有機(jī)溶劑基的配制劑。清潔組合物可以只和其它溶劑單獨(dú)使用，或與酸和堿結(jié)合使用。本發(fā)明的清潔組合物可用于大范圍的pH和溫度的加工/操作條件，及可用于有效除去光致抗蝕劑、后等離子體(post plasma)蝕刻/灰化殘留物、犧牲(sacrificial)光吸收材料和防反射涂層(ARC)。另外，發(fā)現(xiàn)用本發(fā)明的清潔組合物容易清潔難以清潔的樣品，例如高度交聯(lián)或硬化的光致抗蝕劑和含有含鈦物質(zhì)(如鈦、氧化鈦和氮化鈦)或含鉭物質(zhì)(如鉭、氧化鉭和氮化鉭)的結(jié)構(gòu)。
堿存在的量可以為0.1至大約30重量％，優(yōu)選為大約0.1-10重量％，最優(yōu)選為大約0.1-5重量％。在清潔組合物中可以使用任何合適的堿。該堿優(yōu)選為氫氧化銨或氨或非氨衍生堿(non-ammonia derived base)。正如下文公開的，當(dāng)組合物是打算用來(lái)清潔銅金屬化結(jié)構(gòu)時(shí)，堿優(yōu)選為非氨衍生堿，而當(dāng)組合物是打算用來(lái)清潔含鋁結(jié)構(gòu)時(shí)，該堿優(yōu)選為氫氧化銨、氨或與腐蝕抑制共溶劑(corrosion-inhibiting co-solvent)和/或腐蝕抑制劑(corrosion-inhibiting agent)結(jié)合的非氨衍生堿。作為合適的非氨衍生堿的例子，可提及氫氧化四烷基銨，例如分子式為R4N+OH-的那些，其中每個(gè)R獨(dú)立為取代的或未取代的烷基，該烷基優(yōu)選具有1-22個(gè)碳原子，且更優(yōu)選具有1-4個(gè)碳原子。在適用于組合物的非氨衍生堿中，可提及例如，氫氧化四甲基銨、氫氧化四丁基銨、膽堿氫氧化物(choline hydroxide)等。無(wú)機(jī)堿如氫氧化鉀、氫氧化鈉等也可以用作所述堿。
所述有機(jī)溶劑是具有氫鍵鍵合能力以及與氧化劑發(fā)生最小程度的反應(yīng)或不發(fā)生反應(yīng)的極性有機(jī)溶劑。此類有機(jī)溶劑包括酰胺、砜、環(huán)丁烯砜(sulfolene)、硒代砜(selenone)和飽和醇。在優(yōu)選的溶劑中，可提及環(huán)丁砜(四氫噻吩-1，1-二氧化物)、3-甲基環(huán)丁砜、正丙基砜、正丁基砜；環(huán)丁烯砜(2，5-二氫噻吩-1，1-二氧化物)、3-甲基環(huán)丁烯砜；酰胺如1-(2-羥乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)、二甲基哌啶酮(DMPD)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAc)、二甲基甲酰胺(DMF)；和飽和醇如乙醇、丙醇、丁醇、己醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇和六氟異丙醇。有機(jī)溶劑組分可以包括一種或多種該溶劑，并且在組合物中存在的量通常為大約1-99.9重量％，優(yōu)選為大約10-90重量％，最優(yōu)選為大約30-80重量％。這些溶劑對(duì)酸性和堿性條件具有抵抗力并且不會(huì)和氧化劑結(jié)合得太牢固。另外，當(dāng)本發(fā)明的配制劑和氧化劑結(jié)合時(shí)，它們能夠通過(guò)相互作用如氫鍵鍵合形成穩(wěn)定的絡(luò)合物來(lái)穩(wěn)定氧化劑，如過(guò)氧化氫。
水可存在于清潔組合物中，并且當(dāng)水存在時(shí)，存在的量為大約0.1-98重量％，優(yōu)選為大約10-60重量％，最優(yōu)選為大約15-50重量％。水可作為其它組分的水性部分和/或作為另外添加的水而存在。
如前面提到的，本發(fā)明的清潔組合物也可以在酸性pH條件下使用，并且可以使用必需量的任何合適的酸組分(例如HCI或HF)以足夠給予組合物酸性pH。
清潔組合物也可以任選包括一種或多種腐蝕抑制共溶劑。在本發(fā)明的組合物中使用的優(yōu)選腐蝕抑制共溶劑具有下述通式W-[CR1R2]n-Y其中R1和R2各自獨(dú)立選自H、烷基，優(yōu)選具有1-6個(gè)碳原子的烷基、芳基，優(yōu)選具有3-14個(gè)碳原子的芳基、OR3和SO2R4；n為2-6的數(shù)，優(yōu)選2或3；W和Y各自獨(dú)立選自O(shè)R3和SO2R4；及R3和R4各自獨(dú)立選自H、烷基，優(yōu)選具有1-6個(gè)碳原子的烷基、芳基，優(yōu)選具有3-14個(gè)碳原子的芳基。作為該腐蝕抑制共溶劑的例子，可提及例如，乙二醇、丙二醇和丙三醇等。如果清潔組合物所要求的極性有機(jī)溶劑不是上述通式內(nèi)的飽和醇，則此飽和醇可作為共溶劑存在。組合物中存在的共溶劑的量為0至大約80重量％，優(yōu)選為大約1-50重量％，最優(yōu)選為大約1-30重量％。
本發(fā)明的組合物也可以包含其它腐蝕抑制劑，優(yōu)選為包含與芳香環(huán)直接鍵合的兩個(gè)或多個(gè)OH、OR5和/或SO2R6基團(tuán)的芳基化合物，其中R5和R6各自獨(dú)立為烷基，優(yōu)選具有1-6個(gè)碳原子的烷基，或芳基，優(yōu)選具有6-14個(gè)碳原子的芳基。這些優(yōu)選的腐蝕抑制劑的例子，可提及鄰苯二酚、焦酚、沒(méi)食子酸、間苯二酚等。其它腐蝕抑制劑存在的量為0至大約15重量％，優(yōu)選為大約0.1-10重量％，最優(yōu)選為大約0.5-5重量％。
有機(jī)或無(wú)機(jī)螯合劑或者金屬絡(luò)合劑不是必需的，但它們能提供實(shí)質(zhì)的益處，例如提高的產(chǎn)品穩(wěn)定性。合適的螯合劑或絡(luò)合劑的例子包括但不限于反-1，2-環(huán)己烷二胺四乙酸(CyDTA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、錫酸鹽、焦膦酸鹽、亞烷基-二膦酸衍生物(如乙烷-1-羥基-1，1-二膦酸鹽)、包含乙二胺、二亞乙基三胺或三亞乙基四胺官能部分的膦酸鹽[如乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMP)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)、三亞乙基四胺六(亞甲基膦酸)]。組合物中螯合劑的量為0至大約5重量％，優(yōu)選為大約0.1-2重量％。各種膦酸鹽的金屬螯合劑或絡(luò)合劑如乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMP)當(dāng)在酸性和堿性條件下與氧化劑結(jié)合時(shí)給本發(fā)明的清潔組合物提供了更加改進(jìn)的穩(wěn)定性，因而通常是優(yōu)選的。
任選使用其它金屬腐蝕抑制劑，如苯并三唑，其含量為0至大約5重量％，優(yōu)選為大約0.1-2重量％。
清潔組合物也可以任選包含表面活性劑，例如二甲基己炔醇(Surfynol-61)、乙氧化四甲基癸炔二醇(Surfynol-465)、聚四氟亞乙基十六烷氧基丙基甜菜堿(Zonyl FSK)，Zonyl FSH等。表面活性劑存在的量通常為0至大約5重量％，優(yōu)選大約0.1-3重量％。
清潔組合物也可以在清潔組合物中任選包含氟化物，例如，氟化四甲基銨、氟化四丁基銨和氟化銨。其它合適的氟化物包括，例如氟硼酸鹽、氟硼酸四丁基銨、六氟化鋁、氟化銻等。氟化物組分存在的量為0至大約10重量％，優(yōu)選為大約0.1-5重量％。
正如前面提到的，本發(fā)明的組合物可以與氧化劑結(jié)合使用(如下文討論的)以形成另外的清潔和剝離組合物。該組合物可以含有適合用于微電子清潔組合物的任何氧化劑。這些氧化劑的例子，可提及例如，過(guò)氧化物，特別是過(guò)氧化氫，來(lái)自過(guò)氧化氫和含氧酸、乙酸氧鋯和偶氮化合物的過(guò)氧水合物(peroxyhydrates)的分子加合物，例如過(guò)碳酸鈉、高硼酸鈉，以及高碘酸鹽(IO4-)、高硼酸鹽、高錳酸鹽(MnO4-)、過(guò)硫酸氫鹽(hydrogen persulfates)、過(guò)硫酸鹽和烷氧基鹵化物如t-BuOCl。也可以采用從H2O2和有機(jī)分子的取代反應(yīng)得到的其它過(guò)氧化合物，但較不優(yōu)選。實(shí)例包括烷基過(guò)氧化物、過(guò)氧酸、二?；^(guò)氧化物和酮過(guò)氧化物。也可以采用H2O2和無(wú)機(jī)分子的相似取代產(chǎn)物如過(guò)氧硫酸。當(dāng)本發(fā)明的清潔組合物與氧化劑結(jié)合時(shí)，在所得的清潔組合物中的氧化劑的量為大約0.1-30重量％，優(yōu)選為大約0.1-5重量％，最優(yōu)選為大約0.5-5重量％。優(yōu)選的氧化劑是過(guò)氧化氫(H2O2)，優(yōu)選采用3-30％的水溶液。
在下表1-4中列出了本發(fā)明的清潔組合物的例子。
在下表中所用的縮寫詞如下。
TMAH＝25％的氫氧化四甲基銨HEP＝1-(2-羥乙基)-2-吡咯烷酮CyDTA＝反-1，2-環(huán)己烷二胺四乙酸DMPD＝二甲基哌啶酮SFL＝環(huán)丁砜EG＝乙二醇CAT＝鄰苯二酚EDTMP＝乙二胺四(亞甲基膦酸)NH4OH＝氫氧化銨CH＝膽堿氫氧化物水＝來(lái)自組分水溶液的水之外加入的水表1組合物/重量份數(shù)

表2組合物/重量份數(shù)

表3組合物/重量份數(shù)

表4組合物/重量份數(shù)

通過(guò)下表5中的蝕刻速率數(shù)據(jù)說(shuō)明本發(fā)明清潔組合物對(duì)銅和鋁的蝕刻速率。使用下述測(cè)試程序確定表1的組合物A、B(改性的)和E的蝕刻速率。
采用大約13×50mm的銅箔薄片。測(cè)量箔片的重量。在用2-丙醇、蒸餾水和丙酮清潔箔片后，將箔片放入干燥箱干燥。然后將清潔和干燥過(guò)的箔片放入蓋子松開的瓶中，瓶中有預(yù)熱過(guò)的本發(fā)明清潔組合物，并將其置于指定溫度的真空箱中2到24個(gè)小時(shí)。在進(jìn)行處理和從箱和瓶中取出后，用大量的蒸餾水沖洗清潔過(guò)的箔片，并放入干燥箱中干燥大約1小時(shí)，然后使其冷卻至室溫，再根據(jù)重量損失或重量變化來(lái)確定蝕刻速率。
表5

通過(guò)下面的測(cè)試程序評(píng)估本發(fā)明的組合物A和B(表1)對(duì)各種電介質(zhì)的層間電介質(zhì)(ILD)蝕刻速率。
采用Rudolph干涉儀測(cè)量晶片的膜厚度。在指定溫度下將晶片(硅晶片上沉積有ILD材料)浸入指定的清潔組合物中30分鐘，接著用去離子水沖洗并在氮?dú)饬鲃?dòng)/氣流下干燥。然后在處理之后再次測(cè)量厚度，并根據(jù)膜厚的變化計(jì)算指定處理方法產(chǎn)生的蝕刻速率。
組合物A的IDL蝕刻速率列于表6中，組合物B的IDL蝕刻速率列于表7中。
表6

表7

本發(fā)明的組合物的清潔能力也可以通過(guò)下面的測(cè)試進(jìn)行說(shuō)明，其中將包含下列結(jié)構(gòu)的晶片，即光致抗蝕劑的后槽蝕刻樣品/防反射涂層(ARC)/多孔摻雜碳的氧化物的晶片的微電子結(jié)構(gòu)在50℃放入表1的組合物A的清潔溶液中浸泡20分鐘，然后用水沖洗、干燥，并通過(guò)SEM檢查測(cè)定清潔度。結(jié)果為該組合物清潔掉大部分ARC而對(duì)多孔摻雜碳的氧化物只有少量侵蝕。
盡管已經(jīng)參考本發(fā)明的具體實(shí)施方式
描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解在不偏離在此公開的創(chuàng)造性概念的實(shí)質(zhì)和范圍內(nèi)，可以進(jìn)行變化、修改和變更。因此，旨在包含落入所附權(quán)利要求書的范圍和實(shí)質(zhì)內(nèi)的所有變化、修改和變更。
權(quán)利要求
1.一種用于從微電子基底清潔光致抗蝕劑和殘留物的不含硅酸鹽的清潔組合物，所述清潔組合物包含選自酰胺、砜、硒代砜和飽和醇的極性有機(jī)溶劑；和強(qiáng)堿；和任選的一種或多種以下組分酸、腐蝕抑制共溶劑、螯合劑或金屬絡(luò)合劑、氧化劑穩(wěn)定劑、腐蝕抑制劑、金屬腐蝕抑制劑、氟化物、表面活性劑和水。
2.權(quán)利要求1所述的清潔組合物，其中所述極性有機(jī)溶劑選自1-(2-羥乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)、二甲基哌啶酮(DMPD)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAc)、二甲基甲酰胺(DMF)、環(huán)丁砜、3-甲基環(huán)丁砜、正丙基砜、正丁基砜、甲基砜、環(huán)丁烯砜、3-甲基環(huán)丁烯砜、乙二醇、丙二醇、丙三醇和六氟異丙醇。
3.權(quán)利要求1所述的清潔組合物，其中所述堿選自氫氧化銨、氫氧化四烷基銨和膽堿氫氧化物。
4.權(quán)利要求2所述的清潔組合物，其中所述堿選自氫氧化銨和氫氧化四烷基銨。
5.權(quán)利要求1所述的清潔組合物，其中所述極性有機(jī)溶劑是環(huán)丁砜。
6.權(quán)利要求2所述的清潔組合物，其中所述極性有機(jī)溶劑是環(huán)丁砜。
7.權(quán)利要求3所述的清潔組合物，其中所述極性有機(jī)溶劑是環(huán)丁砜。
8.權(quán)利要求4所述的清潔組合物，其中所述極性有機(jī)溶劑是環(huán)丁砜。
9.權(quán)利要求4所述的清潔組合物，其中所述極性有機(jī)溶劑是乙二醇。
10.權(quán)利要求4所述的清潔組合物，其中所述極性有機(jī)溶劑是二甲基哌啶酮。
11.權(quán)利要求8所述的清潔組合物，其中該組合物也包含存在于組合物中的作為金屬螯合劑的反-1，2-環(huán)己烷二胺四乙酸。
12.權(quán)利要求8所述的清潔組合物，其中該組合物也包含存在于組合物中的乙二胺四(亞甲基膦酸)。
13.權(quán)利要求1所述的清潔組合物，其包含環(huán)丁砜、氫氧化四甲基銨、反-1，2-環(huán)己烷二胺四乙酸和水。
14.權(quán)利要求1所述的清潔組合物，其包含環(huán)丁砜、氫氧化四甲基銨、乙二胺四(亞甲基膦酸)、乙二醇和水。
15.權(quán)利要求1所述的清潔組合物，其包含環(huán)丁砜、氫氧化四甲基銨、反-1，2-環(huán)己烷二胺四乙酸、乙二醇、鄰苯二酚和水。
16.權(quán)利要求1所述的清潔組合物，其包含二甲基哌啶酮、反-1，2-環(huán)己烷二胺四乙酸、氫氧化四甲基銨和水。
17.權(quán)利要求1所述的清潔組合物，其包含氫氧化四甲基銨、反-1，2-環(huán)己烷二胺四乙酸和乙二醇。
18.一種用于從微電子基底清潔光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包含將基底與清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以從基底清潔光致抗蝕劑和殘留物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求1的組合物。
19.一種用于從微電子基底清潔光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包含將基底與清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以從基底清潔光致抗蝕劑和殘留物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求2的組合物。
20.一種用于從微電子基底清潔光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包含將基底與清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以從基底清潔光致抗蝕劑和殘留物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求3的組合物。
21.一種用于從微電子基底清潔光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包含將基底與清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以從基底清潔光致抗蝕劑和殘留物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求4的組合物。
22.一種用于從微電子基底清潔光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包含將基底與清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以從基底清潔光致抗蝕劑和殘留物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求5的組合物。
23.一種用于從微電子基底清潔光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包含將基底與清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以從基底清潔光致抗蝕劑和殘留物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求6的組合物。
24.一種用于從微電子基底清潔光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包含將基底與清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以從基底清潔光致抗蝕劑和殘留物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求7的組合物。
25.一種用于從微電子基底清潔光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包含將基底與清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以從基底清潔光致抗蝕劑和殘留物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求8的組合物。
26.一種用于從微電子基底清潔光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包含將基底與清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以從基底清潔光致抗蝕劑和殘留物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求9的組合物。
27.一種用于從微電子基底清潔光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包含將基底與清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以從基底清潔光致抗蝕劑和殘留物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求10的組合物。
28.一種用于從微電子基底清潔光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包含將基底與清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以從基底清潔光致抗蝕劑和殘留物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求11的組合物。
29.一種用于從微電子基底清潔光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包含將基底與清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以從基底清潔光致抗蝕劑和殘留物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求12的組合物。
30.一種用于從微電子基底清潔光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包含將基底與清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以從基底清潔光致抗蝕劑和殘留物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求13的組合物。
31.一種用于從微電子基底清潔光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包含將基底與清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以從基底清潔光致抗蝕劑和殘留物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求14的組合物。
全文摘要
適用于清潔具有二氧化硅、低κ或高κ電介質(zhì)和銅或鋁金屬化的微電子結(jié)構(gòu)的清潔組合物包含強(qiáng)堿和選自酰胺、砜、環(huán)丁烯砜、硒代砜和飽和醇的極性有機(jī)溶劑。
文檔編號(hào)C11D1/00GK1659480SQ03813026
公開日2005年8月24日 申請(qǐng)日期2003年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月7日
發(fā)明者許建斌 申請(qǐng)人:馬林克羅特貝克公司