專利名稱：含果糖的非水性微電子清潔組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于清潔微電子襯底的方法和非水性清潔組合物，具體地，涉及可用于敷銅(copper metallization)微電子襯底且與敷銅微電子襯底具有改進的相容性的這些清潔組合物。本發(fā)明還涉及該清潔組合物用于剝離光致抗蝕劑及清潔在等離子體法中由有機化合物、有機金屬化合物和無機化合物產(chǎn)生的殘留物的用途。
背景技術(shù)：
許多光致抗蝕劑剝離劑和殘留物去除劑已提出用于微電子領(lǐng)域作為生產(chǎn)線的下游或后端的(back end)清潔劑。在生產(chǎn)過程中，光致抗蝕劑薄膜沉積在晶片襯底，然后在該薄膜上作電路設(shè)計圖案。烘焙之后，用光致抗蝕劑顯影劑除去未聚合的抗蝕劑。然后將所得的圖案通過反應(yīng)性等離子體蝕刻氣體或化學(xué)蝕刻劑溶液轉(zhuǎn)印至底材，該底材通常為電介質(zhì)或金屬。蝕刻氣體或化學(xué)蝕刻劑溶液選擇性地侵蝕襯底未被光致抗蝕劑保護的區(qū)域。
另外，在蝕刻步驟中止后，必須將抗蝕劑掩膜從晶片保護區(qū)除去，從而可以進行最后的精加工(finishing)操作。這可以使用合適的等離子體灰化氣體或濕化學(xué)剝離劑在等離子體灰化步驟中完成。尋找合適的清潔組合物用來除去該抗蝕劑掩膜材料而對金屬電路無不良影響(例如，腐蝕、溶解或鈍化)已證明存在問題。
隨著微電子制造集成水平的增加，圖案化微電子器件的尺寸已降低至原子尺寸，電流通過電路時形成的熱變成了嚴重的問題。由于銅在減少熱形成中更加有利，因此現(xiàn)有技術(shù)采用敷銅而不是敷鋁作為導(dǎo)電材料變得日益普遍。這些含銅微電子材料對尋找可接受的清潔劑組合物提出了額外的挑戰(zhàn)。許多以前開發(fā)的用于包含Al/SiO2或Al(Cu)/SiO2結(jié)構(gòu)的“傳統(tǒng)”或“常規(guī)”半導(dǎo)體器件的處理工藝組合物不能用于敷銅結(jié)構(gòu)。例如，羥基胺類剝離劑或殘留物去除劑組合物成功地用于清潔包含敷Al的器件，但實踐上不適合用于那些包含敷銅的器件。同樣，許多敷銅器件用的組合物不適合敷Al器件，除非組合物進行重大調(diào)整。
在等離子體蝕刻和/或灰化工藝之后這些蝕刻和/或灰分殘留物的去除對于這些敷銅和敷鋁微電子結(jié)構(gòu)已證明存在問題，尤其是對用敷銅的襯底。不能完全除去或抑制這些殘留物會導(dǎo)致濕氣的吸附和形成不希望的物質(zhì)，這可引起金屬結(jié)構(gòu)的腐蝕。電路材料被不希望的物質(zhì)腐蝕并導(dǎo)致電路線的中斷及電阻不合要求的增加。
至今為止，光致抗蝕劑剝離劑常常包含胺，因為它們在侵蝕硬化的光致抗蝕劑中表現(xiàn)出出色的清潔性能，以及將硬化的光致抗蝕劑從微電子襯底表面剝離的能力。然而，銅也通常被胺強烈侵蝕，如果使用這些未進行改性的常規(guī)光致抗蝕劑剝離劑，則會發(fā)生嚴重的金屬腐蝕。因此，非常希望提供適合銅的光致抗蝕劑剝離劑或清潔劑，用于微電子產(chǎn)業(yè)，特別是用于敷銅材料。還非常希望提供適合銅的光致抗蝕劑剝離劑或清潔劑，用于微電子產(chǎn)業(yè)，特別是用于敷銅材料，該光致抗蝕劑剝離劑或清潔劑還適用于敷鋁材料。由于在平板顯示器的開發(fā)中可以看到從敷鋁至敷銅同樣的技術(shù)轉(zhuǎn)變，因此，還希望提供可以用于制造這類平板顯示器的剝離劑/清潔劑。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的后端光致抗蝕劑剝離劑和清潔組合物由非水性組合物提供，該組合物對銅和鋁基本上無腐蝕性，且包含極性有機溶劑、羥化胺和作為防腐劑的果糖。本發(fā)明的組合物還可以包含若干其他任選組分。本發(fā)明的清潔組合物可以在寬范圍的pH和溫度的處理/操作條件下使用，及可以用來有效地除去光致抗蝕劑、后等離子體蝕刻劑/灰化殘留物(post plasmaetch/ash residues)、犧牲性光吸收材料和抗反射涂層(ARC)。另外，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)用本發(fā)明的清潔組合物可以容易地清洗非常難清潔的樣品，例如高度交聯(lián)或硬化的光致抗蝕劑和含有鈦(例如，鈦、氧化鈦和氮化鈦)或鉭(例如，鉭、氧化鉭和氮化鉭)的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的非水性、基本上無腐蝕性的微電子剝離劑/清潔劑組合物通常包含約70％至約95％的有機極性溶劑，約1％至約15％的有機羥化胺，抗腐蝕量的果糖防腐劑，通常約0.1％至約15％的果糖。本說明書中提供的重量百分數(shù)是基于清潔組合物總重量計的。
本發(fā)明的非水性、基本上無腐蝕性的剝離劑/清潔劑組合物還可以任選包含其他相容的組分，包括但不限于如下組分例如螯合劑，含羥基有機共溶劑，穩(wěn)定劑和金屬螯合劑或配位劑，其他金屬防腐劑和表面活性劑。
本發(fā)明詳述和優(yōu)選實施方案本發(fā)明的后端光致抗蝕劑剝離劑和清潔組合物由非水性組合物提供，該組合物對銅和鋁基本上無腐蝕性，且包含極性有機溶劑、有機羥化胺和作為防腐劑的果糖。本發(fā)明的組合物還可以包含若干其他任選的組分。
本發(fā)明的組合物可用在很寬的pH和溫度的處理/操作條件下，且可以用于有效地除去光致抗蝕劑、后等離子體蝕刻/灰化殘留物、犧牲性光吸收材料和抗發(fā)射涂層(ARC)。此外，還發(fā)現(xiàn)用本發(fā)明的清潔組合物可以容易地清洗非常難清潔的樣品，例如高度交聯(lián)或硬化的光致抗蝕劑和含有鈦(例如，鈦、氧化鈦和氮化鈦)或鉭(例如，鉭、氧化鉭和氮化鉭)的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的非水性、基本上無腐蝕性的微電子剝離劑/清潔劑組合物通常包含約70％至約95％，優(yōu)選約75％至約90％，更優(yōu)選約80％至約85％的有機極性溶劑；約1％至約15％，優(yōu)選約3％至約12％，更優(yōu)選約5％至約10％的有機羥化胺，抗腐蝕量的果糖防腐劑，通常為約0.1％至約15％，優(yōu)選約1％至約12％，更優(yōu)選約3％至約10％的果糖。本說明書中提供的重量百分數(shù)是基于清潔組合物總重量計的。
本發(fā)明的組合物可含有一種或多種任意合適的有機極性溶劑，優(yōu)選包括酰胺、砜、亞砜、飽和醇等的有機極性溶劑。該有機極性溶劑包括但不限于有機極性溶劑，例如環(huán)丁砜(四氫噻吩-1，1-二氧化物)、3-甲基環(huán)丁砜、二正丙基砜(n-propyl sulfone)、二甲基亞砜(DMSO)、二甲基砜(methylsulfone)、二正丁基砜(n-butyl sulfone)、3-甲基環(huán)丁砜；酰胺，例如1-(2-羥乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)、二甲基哌啶酮(DMPD)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAc)和二甲基甲酰胺(DMF)，以及它們的混合物。特別優(yōu)選的有機極性溶劑是N-甲基吡咯烷酮和環(huán)丁砜，以及這兩種溶劑的混合物。
有機羥化胺組分可以是一種或多種任意合適的羥化胺，優(yōu)選羥胺或烷醇胺，優(yōu)選烷醇胺?？捎糜诒景l(fā)明組合物的合適的有機羥化胺包括但不限于羥胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺，特別是2-氨基乙醇、1-氨基-2-丙醇、1-氨基-3-丙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、二乙醇胺、2-(2-氨基乙氨基)乙醇、2-(2-氨基乙氨基)乙胺等，以及它們的混合物。最優(yōu)選的有機羥化胺組分是一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、1-氨基-2-丙醇，以及它們的混合物。
本發(fā)明的組合物還可任選包含一種或多種任意合適的含羥基有機共溶劑。任意合適的含羥基有機共溶劑可以用于本發(fā)明的組合物中。該合適的含羥基有機共溶劑的實例包括但不限于乙二醇、丙二醇、丙三醇、二甘醇的一烷基醚和二烷基醚，稱為卡必醇(2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇)和卡必醇衍生物，和飽和醇，例如乙醇、丙醇、丁醇、己醇和六氟異丙醇，以及它們的混合物。特別優(yōu)選的共溶劑是(2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇(卡必醇)。在本發(fā)明組合物中存在的共溶劑的量基于組合物的總重量為0至約30wt％，優(yōu)選約0.1至約25wt％，最優(yōu)選約0.5至約20wt％。
本發(fā)明的組合物還可以包含一種或多種任意合適的其他防腐蝕劑，優(yōu)選含有兩個或多個與芳環(huán)直接結(jié)合的OH、OR6和/或SO2R6R7基團的的芳基化合物，其中R6、R7和R8各自獨立地為烷基，優(yōu)選1-6個碳原子的烷基，或芳基，優(yōu)選6-14個碳原子的芳基。這里可提及的優(yōu)選的防腐劑實例為兒茶酚、焦酚、五倍子酸、間苯二酚等。該其他的防腐劑可存在的量為0至約15wt％，優(yōu)選約0.1至約10wt％，最優(yōu)選約0.5至約5wt％。
有機或無機螯合劑或金屬配位劑不是必需的，但可提供實質(zhì)的益處，例如提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性。在本發(fā)明的組合物中可以使用一種或多種這些無機螯合劑或金屬配位劑。合適的螯合劑或配位劑的實例包括但不限于反式-1，2-環(huán)己烷二胺四乙酸(CyDTA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、錫酸鹽(酯stannate)、焦磷酸鹽(酯pyrophosphate)、亞烷基-二膦酸衍生物(例如乙烷-1-羥基-1，1-二膦酸酯)、含乙二胺、二亞乙基三胺或三亞乙基四胺官能部分的膦酸鹽(酯phosphonates)[例如，乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMP)，、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)和三亞乙基四胺六(亞甲基膦酸)，以及它們的混合物。在組合物中存在的螯合劑的量為0至約5wt％，優(yōu)選約0.1至約2wt％。各種膦酸鹽(酯)的金屬螯合劑或配位劑，例如乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMP)，為本發(fā)明含有氧化劑的清潔組合物在酸性或堿性條件下提供了更高的穩(wěn)定性，因此通常是優(yōu)選的。
任選的其他金屬防腐劑例如苯并三唑可以使用的量為0至約5wt％，優(yōu)選約0.1至2wt％。
清潔組合物任選還可以包括一種或多種合適的表面活性劑，例如，二甲基已炔醇(Surfynol-61)、乙氧化四甲基癸炔二醇(ethoxylated tetramethyldecynediol Surfynol-465)、聚四氟乙烯十六烷氧基丙基甜菜堿(polytetrafluoroethylene cetoxypropylbetaine)(Zonyl FSK)、Zonyl FSH等。表面活性劑存在的量通常為0至約5wt％，優(yōu)選0.1至約3wt％。
本發(fā)明的清潔組合物的實例包括但不限于下列表1、2和3中列出的清潔組合物。在表1、2和3和下面的表中，使用的縮寫如下所示NMP＝N-甲基吡咯烷酮SFL＝環(huán)丁砜DMSO＝二甲基亞砜DMAC＝二甲基乙酰胺DMF＝二甲基甲酰胺EG＝乙二醇CAR＝卡必醇TEA＝三乙醇胺MEA＝一乙醇胺AMP＝1-氨基-2-丙醇FRT＝果糖表1組合物/重量份

表2組合物/重量份

表3組合物/重量份

用本發(fā)明的含果糖的清潔組合物獲得的防腐蝕結(jié)果由下列本發(fā)明的含果糖的清潔組合物的結(jié)果和含其他糖類的對比測試結(jié)果給出。
準(zhǔn)備一片鍍銅的硅晶片(大約20×20mm)用于實驗。在緩沖氧化物蝕刻液(含35w/w％NH4F和6w/w％HF)中清洗該晶片1分鐘，接著在去離子水中沖洗1分鐘，在氮氣噴霧中干燥。然后，將該晶片浸入含有100g測試溶液的150mL燒杯中，在60℃下加熱該溶液，在200rpm下用磁力攪拌器攪拌，60分鐘之后，將晶片從測試溶液中移出，用去離子水沖洗1分鐘，并用氮氣噴霧干燥。用ResMap(Creative Design Engineering，Sunnyvale，CA制造)4-點探針體系測定(實驗前后)銅層的厚度。
對于光致抗蝕劑剝離實驗，在相同的溫度(60℃)、相同的攪拌速率(200rpm)下使用相同的測試溶液。將含有正光致抗蝕劑層(約1000埃)的玻璃片浸入測試溶液中，并測量將抗蝕劑全部剝?nèi)ニ枰臅r間。
測試溶液(清潔組合物)為表2的本發(fā)明組合物6，比較例中，用5.00份蔗糖(比較例A)、5.00份葡萄糖(比較例B)、5.00份半乳糖(比較例C)代替組合物6的5.00份果糖。在表4中列出了組合物的這些蝕刻速率和光致抗蝕劑剝離實驗的結(jié)果。
表4

盡管本發(fā)明已參考其特定實施方案具體加以描述，但顯然，在不背離本文所公開的本發(fā)明的實質(zhì)和范圍下，可以進行改變、修正和變化。因此，其意指本發(fā)明包括所有這些落入所附權(quán)利要求書的實質(zhì)和范圍內(nèi)的改變、修正和變化。
權(quán)利要求
1.用于從微電子襯底清洗光致抗蝕劑和殘留物的非水性清潔組合物，所述清潔組合物包括約70％至約95％的有機極性溶劑，約1％至約15％的有機羥化胺，抗腐蝕量的果糖防腐劑，和任選一種或多種以下組分含羥基有機共溶劑；螯合劑或金屬配位劑；其他金屬防腐劑；和表面活性劑；其中重量百分數(shù)是基于清潔組合物總重量計的。
2.權(quán)利要求1的清潔組合物，其中在組合物中存在的果糖量基于組合物總重量為約0.1wt％至約15wt％果糖。
3.權(quán)利要求1的清潔組合物，其中極性有機溶劑選自環(huán)丁砜、3-甲基環(huán)丁砜、二正丙基砜、二甲基亞砜、二甲基砜、二正丁基砜、環(huán)丁烯砜、3-甲基環(huán)丁砜、1-(2-羥乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)、二甲基哌啶酮、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基乙酰胺和二甲基甲酰胺。
4.權(quán)利要求1的清潔組合物，其中羥化胺選自羥胺和烷醇胺。
5.權(quán)利要求4的清潔組合物，其中羥化胺選自羥胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、2-氨基乙醇、1-氨基-2-丙醇、1-氨基-3-丙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-(2-氨基乙氨基)乙醇和2-(2-氨基乙氨基)乙胺，以及它們的混合物。
6.權(quán)利要求5的清潔組合物，其中羥化胺選自一乙醇胺、三乙醇胺和1-氨基-2-丙醇，以及它們的混合物。
7.權(quán)利要求1的清潔組合物，其中存在含羥基有機共溶劑且選自乙二醇、丙二醇、丙三醇、二甘醇的一烷基醚和二烷基醚，以及飽和醇。
8.權(quán)利要求7的清潔組合物，其中含羥基有機共溶劑為2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇。
9.權(quán)利要求7的清潔組合物，其中含羥基有機共溶劑為飽和醇，其選自乙醇、丙醇、丁醇、己醇和六氟異丙醇。
10.權(quán)利要求17的清潔組合物，其中螯合劑或金屬配位劑存在于組合物中且選自反式-1，2-環(huán)己烷二胺四乙酸、乙二胺四乙酸、錫酸鹽(酯)、焦磷酸鹽(酯)、亞烷基-二膦酸衍生物、乙二胺四(亞甲基膦酸)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)和三亞乙基四胺六(亞甲基膦酸)。
11.權(quán)利要求1的清潔組合物，其中存在所述其他金屬防腐劑且為含有與芳環(huán)直接結(jié)合的選自O(shè)H、OR6和/或SO2R6R7部分的兩個或多個部分的芳基化合物，其中R6、R7和R8各自獨立地為選自1-6個碳原子的烷基或6-14個碳原子的芳基。
12.權(quán)利要求11的清潔組合物，其中所述其他金屬防腐劑選自兒茶酚、焦酚、五倍子酸和間苯二酚。
13.權(quán)利要求1的清潔組合物，其中有機極性溶劑選自N-甲基吡咯烷酮、環(huán)丁砜，以及它們的混合物；羥化胺選自一乙醇胺、三乙醇胺和氨基丙醇，以及它們的混合物。
14.權(quán)利要求13的清潔組合物，其還包括作為含羥基有機共溶劑的2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇。
15.權(quán)利要求1的清潔組合物，其包括N-甲基吡咯烷酮、環(huán)丁砜、一乙醇胺和果糖。
16.權(quán)利要求15的清潔組合物，其還包括2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇。
17.權(quán)利要求15的清潔組合物，其還包括三乙醇胺和氨基丙醇中的一種或多種。
18.權(quán)利要求17的清潔組合物，其還包括2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇。
19.權(quán)利要求1的清潔組合物，其包括N-甲基吡咯烷酮、環(huán)丁砜、氨基丙醇和果糖。
20.權(quán)利要求19的清潔組合物，其還包括2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇。
21.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求1的組合物。
22.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求2的組合物。
23.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求3的組合物。
24.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求4的組合物。
25.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求5的組合物。
26.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求6的組合物。
27.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求7的組合物。
28.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求8的組合物。
29.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求9的組合物。
30.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求10的組合物。
31.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求11的組合物。
32.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求12的組合物。
33.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求13的組合物。
34.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求14的組合物。
35.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求15的組合物。
36.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求16的組合物。
37.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求17的組合物。
38.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求18的組合物。
39.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求19的組合物。
40.從微電子襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的方法，該方法包括使襯底和清潔組合物接觸一段足以從襯底清洗光致抗蝕劑或殘留物的時間，其中該清潔組合物包含權(quán)利要求20的組合物。
41.權(quán)利要求21的方法，其中待清潔的微電子襯底的特征在于存在敷銅。
42.權(quán)利要求36的方法，其中待清潔的微電子襯底的特征在于存在敷銅。
43.權(quán)利要求38的方法，其中待清潔的微電子襯底的特征在于存在敷銅。
44.權(quán)利要求40的方法，其中待清潔的微電子襯底的特征在于存在敷銅。
全文摘要
本發(fā)明提供了后端光致抗蝕劑剝離劑和殘留物組合物，其為對銅和鋁基本上無腐蝕性的非水性組合物，且包含極性有機溶劑、羥化胺和作為防腐劑的果糖。
文檔編號C11D11/00GK1985217SQ200580023742
公開日2007年6月20日 申請日期2005年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月15日
發(fā)明者稻岡誠二 申請人:馬林克羅特貝克公司