技術(shù)編號(hào)：9377730
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。已知，光學(xué)光刻制作工藝是利用曝光及顯影等步驟將光掩模上的電路圖案微縮轉(zhuǎn)印至晶片上的技術(shù)，而隨著半導(dǎo)體制作工藝的微縮，目前的光學(xué)光刻制作工藝已面臨到技術(shù)瓶頸。以現(xiàn)今主流的193納米(nm)波長(zhǎng)的氟化氬(ArF)激光光源為例，其可達(dá)到的最小晶體管半間距(half-pitch)約為65納米,若再搭配業(yè)界現(xiàn)有的浸潤(rùn)式光刻(Immers1nLithography)技術(shù)，晶體管半間距僅能推進(jìn)至45納米。為了使用現(xiàn)有的設(shè)備來達(dá)成超越曝光極限的微細(xì)線路制作，業(yè)界于是發(fā)展出...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。