技術(shù)編號(hào)：9376641
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的容量變得更大，開發(fā)了對(duì)半導(dǎo)體裸片進(jìn)行層疊。此外，通過使每個(gè)層疊的裸片獨(dú)立地操作來提高響應(yīng)速度。然而，因?yàn)橛糜跍y(cè)試層疊之后的每個(gè)半導(dǎo)體裸片的引腳數(shù)目與用于測(cè)試單獨(dú)的半導(dǎo)體裸片的引腳數(shù)目相比，存在更多的限制，所以難以測(cè)試這樣的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。因此，諸如當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在正常條件下操作時(shí)，難以對(duì)包括在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的每個(gè)層疊的半導(dǎo)體裸片執(zhí)行不同的測(cè)試。發(fā)明內(nèi)容在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施中，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括多個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)和第一內(nèi)部電路，所述...
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