技術(shù)編號(hào)：92288
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及MOS集成電路領(lǐng)域，尤其涉及在一塊硅襯底上形成隔離硅區(qū)的有關(guān)問(wèn)題。 在金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)集成電路制造過(guò)程中，常常要采取步驟把一個(gè)器件同另一個(gè)器件從電氣上隔離開(kāi)，這樣以消除或減小器件之間的寄生通路。例如，若把場(chǎng)效應(yīng)晶體管不加隔離的制造在一塊硅襯底上，這樣，兩個(gè)不同晶體管的源區(qū)或漏區(qū)就可能成為不需要的第三只晶體管。復(fù)蓋在表面的相互連接，象安排在一個(gè)晶體管的源和另一晶體管的漏之間的鋁線，起了柵極的作用而可能引起傳導(dǎo)寄生。 在互補(bǔ)MOS(CMOS)集成電路中，寄生通路的問(wèn)題甚至更大。這里...
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