技術(shù)編號(hào):9221903
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利說明N阱切換電路相關(guān)申請的交叉引用本申請要求于2013年I月16日提交的美國非臨時(shí)申請N0.13/742,964的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過援引納入于此。本申請涉及集成電路,并且更具體地涉及用于針對(duì)高密度應(yīng)用防止鎖存的η阱偏置方案。背景技術(shù)PMOS晶體管包括在η型主體中形成的P型漏極和源極??昭ㄓ纱耸荘MOS溝道中的多數(shù)載流子。在互補(bǔ)MOS(CMOS)技術(shù)中,塊狀基板為P型,以使得PMOS晶體管的η型主體作為η型阱(η阱)存在于P型基板中。因?yàn)榭昭ㄊ荘MO...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。