技術(shù)編號(hào)：8981459
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 L邸都是在GaAs基板上生長(zhǎng)PN結(jié)，在GaAs基板上生長(zhǎng)P系列材料，發(fā)光層通常為 不同組分的AlGalnP結(jié)構(gòu)組成，通過(guò)改變發(fā)光層的結(jié)構(gòu)W及組分可W產(chǎn)生不同波段不同亮 度的外延片。目前業(yè)內(nèi)最大的難題是，在相同晶粒尺寸的前提下提升巧片亮度，也就是最大 程度的提升內(nèi)量子效率。 實(shí)用新型內(nèi)容 本實(shí)用新型克服了現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供了一種提升紅光外延AlGalnP亮度 的結(jié)構(gòu)，采用多重量子阱發(fā)光層AlGalnP結(jié)構(gòu)，可W有效提升內(nèi)量子效率，亮度可W在原來(lái) 量子...
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