一種提升紅光外延AlGaInP亮度的結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型一種提升紅光外延AlGalnP亮度的結(jié)構(gòu)，屬于紅光L邸技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002] L邸都是在GaAs基板上生長(zhǎng)PN結(jié)，在GaAs基板上生長(zhǎng)P系列材料，發(fā)光層通常為 不同組分的AlGalnP結(jié)構(gòu)組成，通過(guò)改變發(fā)光層的結(jié)構(gòu)W及組分可W產(chǎn)生不同波段不同亮 度的外延片。目前業(yè)內(nèi)最大的難題是，在相同晶粒尺寸的前提下提升巧片亮度，也就是最大 程度的提升內(nèi)量子效率。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003] 本實(shí)用新型克服了現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供了一種提升紅光外延AlGalnP亮度 的結(jié)構(gòu)，采用多重量子阱發(fā)光層AlGalnP結(jié)構(gòu)，可W有效提升內(nèi)量子效率，亮度可W在原來(lái) 量子阱的基礎(chǔ)上提升10%。
[0004] 為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為；一種提升紅光外延 AlGalnP亮度的結(jié)構(gòu)，包括窗口層和GaAs基板層，所述窗口層位于GaAs基板層上部，所述 窗口層和GaAs基板層之間從上到下依次設(shè)置有P-clading生長(zhǎng)層、MQW生長(zhǎng)層、N-clading 生長(zhǎng)層、DBR生長(zhǎng)層和buffer生長(zhǎng)層，所述窗口層的生長(zhǎng)材料為GaP，所述P-clading生長(zhǎng) 層的生長(zhǎng)材料為AllnP，所述MQW生長(zhǎng)層為多重量子阱發(fā)光層，其生長(zhǎng)材料為AlGalnP,所述 N-clading生長(zhǎng)層的生長(zhǎng)材料為AllnP，所述DBR生長(zhǎng)層的生長(zhǎng)材料為AlAs和AlGaAs，所述 buffer生長(zhǎng)層的生長(zhǎng)材料為GaAs。
[0005]優(yōu)選地，所述窗口層和P-clading生長(zhǎng)層中均滲雜有Mg，所述N-clading生長(zhǎng)層和 buffer生長(zhǎng)層中均滲雜有Te。
[0006] 本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的有益效果是；本實(shí)用新型主要是在原有的紅光 外延正極性結(jié)構(gòu)程序A的基礎(chǔ)上，改變量子阱結(jié)構(gòu)，即用程序B來(lái)提升外延亮度。分別為程 序A和程序B的多重量子阱能階圖。程序B的多重量子阱能階與程序A的相比，中間多出 兩層較厚的高能階層。該兩層較厚的高能階層主要目的是：用來(lái)阻擋速度較快的電子穿越 多重量子阱，起不到與電洞復(fù)合發(fā)光的作用，通過(guò)改變發(fā)光層結(jié)構(gòu)，提升LED內(nèi)量子效率， 提升外延磊晶的亮度。
【附圖說(shuō)明】
[0007] 下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0008] 圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009] 圖2為本實(shí)用新型中設(shè)及的程序A的能階圖。
[0010] 圖3為本實(shí)用新型中設(shè)及的程序B的能階圖。
[0011] 圖中；1為窗口層、2為GaAs基板層、3為P-clading生長(zhǎng)層、4為MQW生長(zhǎng)層、5為 N-clading生長(zhǎng)層、6為DBR生長(zhǎng)層、7為buffer生長(zhǎng)層。
【具體實(shí)施方式】
[001引如圖1、圖2和圖3所示，本實(shí)用新型一種提升紅光外延AlGalnP亮度的結(jié)構(gòu)，包括 窗口層1和GaAs基板層2,所述窗口層1位于GaAs基板層2上部，所述窗口層1和GaAs基 板層2之間從上到下依次設(shè)置有P-clading生長(zhǎng)層3、MQW生長(zhǎng)層4、N-clading生長(zhǎng)層5、 DBR生長(zhǎng)層6和buffer生長(zhǎng)層7,所述窗口層1的生長(zhǎng)材料為GaP，所述P-clading生長(zhǎng)層3 的生長(zhǎng)材料為AllnP，所述MQW生長(zhǎng)層4為多重量子阱發(fā)光層，其生長(zhǎng)材料為AlGalnP，所述 N-clading生長(zhǎng)層5的生長(zhǎng)材料為AllnP，所述DBR生長(zhǎng)層6的生長(zhǎng)材料為AlAs和AlGaAs， 所述buffer生長(zhǎng)層7的生長(zhǎng)材料為GaAs。
[0013] 所述窗口層1和P-clading生長(zhǎng)層3中均滲雜有Mg，所述N-clading生長(zhǎng)層5和 buffer生長(zhǎng)層7中均滲雜有Te。
[0014] 本實(shí)用新型主要是在原有的紅光外延正極性結(jié)構(gòu)程序A的基礎(chǔ)上，改變量子阱結(jié) 構(gòu)，即用程序B來(lái)提升外延亮度。圖2和圖3分別為程序A和程序B的多重量子阱能階圖。 由圖2和圖3可W看出，程序B的多重量子阱能階與程序A的相比，中間多出兩層較厚的高 能階層。該兩層較厚的高能階層主要目的是；用來(lái)阻擋速度較快的電子穿越多重量子阱，起 不到與電洞復(fù)合發(fā)光的作用。
[0015] 本實(shí)用新型主要通過(guò)改變外延發(fā)光層結(jié)構(gòu)來(lái)提升L邸亮度。程序B的巧片亮度比 程序A的至少提升10%。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)詳見(jiàn)下表，
[0016]
[0017] 上面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例作了詳細(xì)說(shuō)明，但是本實(shí)用新型并不限于上 述實(shí)施例，在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，還可W在不脫離本實(shí)用新型宗旨 的前提下作出各種變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種提升紅光外延AlGaInP亮度的結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括窗口層（1)和GaAs基板 層（2)，所述窗口層（1)位于GaAs基板層（2)上部，所述窗口層（1)和GaAs基板層（2)之間 從上到下依次設(shè)置有P-clading生長(zhǎng)層（3)、MQW生長(zhǎng)層（4)、N-clading生長(zhǎng)層（5)、DBR生 長(zhǎng)層（6)和buffer生長(zhǎng)層（7)，所述窗口層（1)的生長(zhǎng)材料為GaP，所述P-clading生長(zhǎng)層 (3 )的生長(zhǎng)材料為AlInP，所述MQW生長(zhǎng)層（4)為多重量子阱發(fā)光層，其生長(zhǎng)材料為AlGalnP， 所述N-clading生長(zhǎng)層（5)的生長(zhǎng)材料為AllnP，所述DBR生長(zhǎng)層（6)的生長(zhǎng)材料為AlAs 和AlGaAs，所述buffer生長(zhǎng)層（7)的生長(zhǎng)材料為GaAs。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升紅光外延AlGaInP亮度的結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述 窗口層（1)和P-clading生長(zhǎng)層（3)中均摻雜有Mg，所述N-clading生長(zhǎng)層（5)和buffer 生長(zhǎng)層（7)中均摻雜有Te。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種提升紅光外延AlGaInP亮度的結(jié)構(gòu)，可以有效提升內(nèi)量子效率；采用的技術(shù)方案為：窗口層位于GaAs基板層上部，窗口層和GaAs基板層之間從上到下依次設(shè)置有P-clading生長(zhǎng)層、MQW生長(zhǎng)層、N-clading生長(zhǎng)層、DBR生長(zhǎng)層和buffer生長(zhǎng)層，窗口層的生長(zhǎng)材料為GaP，P-clading生長(zhǎng)層的生長(zhǎng)材料為AlInP，MQW生長(zhǎng)層為多重量子阱發(fā)光層，其生長(zhǎng)材料為AlGaInP，N-clading生長(zhǎng)層的生長(zhǎng)材料為AlInP，DBR生長(zhǎng)層的生長(zhǎng)材料為AlAs和AlGaAs，buffer生長(zhǎng)層的生長(zhǎng)材料為GaAs；本實(shí)用新型可廣泛應(yīng)用于紅光LED領(lǐng)域。
【IPC分類】H01L33/06, H01L33/02
【公開(kāi)號(hào)】CN204632792
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520187848
【發(fā)明人】郭艷
【申請(qǐng)人】山西南燁立碁光電有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月9日
【申請(qǐng)日】2015年3月31日