技術(shù)編號：8944563
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體硅材料在器件制作過程中，由于工藝原因而產(chǎn)生了缺陷或者陷阱，這些硅中的陷阱在半導(dǎo)體硅的禁帶中引入了分立的能級。這一分立的能級具有干擾半導(dǎo)體存儲器件的載流子輸運(yùn)特性，因此一般被視為能對器件性能帶來退化的主要因素。然而正是由于陷阱在禁帶中具有分立能級，因此他們可以作為有效的產(chǎn)生中心，來調(diào)節(jié)導(dǎo)帶和價(jià)帶中的兩種載流子的濃度；而且，陷阱的這種特殊的產(chǎn)生效應(yīng)具有很好的可控性。因此，如何利用陷阱的這一特性具有重要意義。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的首要目的在于提供基于陷阱產(chǎn)生效應(yīng)...
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