技術(shù)編號：87374
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域大體而言，本發(fā)明涉及非易失性半導(dǎo)體存儲器件，且更具體的涉及包括三維單元陣列以減小芯片尺寸的半導(dǎo)體存儲器件。 背景技術(shù)非易失性鐵電存儲器，例如，作為下一代存儲器件之候選的鐵電隨機存取存儲器(Ferroelectric Random Access Memory，F(xiàn)eRAM)器件，已經(jīng)吸引相當(dāng)多的注意，因為它具有和動態(tài)隨機存取存儲器(DynamicRandom Access Memory，DRAM)一樣快的數(shù)據(jù)處理速度，并且即使在電源關(guān)斷后也能保存數(shù)據(jù)。 具有和DRAM類似結(jié)構(gòu)的FeRAM包括由鐵電材料制成的電...
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