技術編號：8411625
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 隨著其縮放發(fā)展到愈來愈小的部件尺寸，集成電路（IC)可靠性在IC制造技術中 的關注日益增加。痕跡互連失效機制對器件性能和可靠性的影響使得對集成方案、互連材 料和工藝的要求要高得多。為了形成雙鑲嵌互連圖案制造過程，需要最佳的低k電介質材 料和與其相關的沉積、圖案光刻、蝕刻和清潔。晶片制造的互連圖案形成的硬掩模方案途徑 能夠將圖案以最緊密的最佳尺寸控制轉印到底層中。 隨著技術節(jié)點進步到納米技術，金屬硬掩模材料例如TiN用于在圖案蝕刻過程期 間對低k材料獲得更...
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