技術編號：8262271
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在半導體制造工藝中，所形成的淺溝槽隔離(STI)結構的性能對于最后形成的半導體器件的電學性能而言至關重要?，F(xiàn)有的形成如圖1所示的淺溝槽隔離結構101的工藝通常包括下述步驟首先，在半導體襯底100上依次沉積緩沖層和硬掩膜層，緩沖層的材料優(yōu)選氧化物，硬掩膜層的材料優(yōu)選氮化硅；圖案化硬掩膜層，以在硬掩膜層中形成構成淺溝槽隔離結構101的圖案的開口，該過程包括在硬掩膜層上形成具有淺溝槽隔離結構101的圖案的光刻膠層，以所述光刻膠層為掩膜，蝕刻硬掩膜層直至露出緩沖層...
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