技術(shù)編號(hào):8262152
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法,具體地,涉及。技術(shù)背景隨著半導(dǎo)體器件的尺寸按比例縮小,出現(xiàn)了閾值電壓隨溝道長(zhǎng)度減小而下降的問(wèn)題,也即,在半導(dǎo)體器件中產(chǎn)生了短溝道效應(yīng)。為了應(yīng)對(duì)來(lái)自半導(dǎo)體涉及和制造方面的挑戰(zhàn),導(dǎo)致了鰭片場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即FinFET的發(fā)展。在FinFET結(jié)構(gòu)中,為了增強(qiáng)柵對(duì)溝道的控制能力,更好的抑制短溝道效應(yīng),希望Fin溝道部分越窄越好。然而,在溝道厚度小于1nm以后,由于載流子遷移率隨著溝道厚度的減小而降低,器件性能會(huì)受到較嚴(yán)重的影...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。