技術(shù)編號(hào):8155644
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種坩堝下降法晶體生長(zhǎng)爐的下降裝置,適用于晶體質(zhì)量對(duì)外界振動(dòng)敏感的晶體的生長(zhǎng),屬于晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)采用提拉法或者下降法生長(zhǎng)如Cr3+LiSrAlF6、Ce3+LiCaAlF6等復(fù)合氟化物激光晶體,由于采用提拉法在生長(zhǎng)過(guò)程中固液界面處的溫度梯度過(guò)大,導(dǎo)致晶體內(nèi)部應(yīng)力較大以及缺陷較多,鑒于此,下降法更適合于生長(zhǎng)Cr3+ = LiSrAlF6Xe3+ LiCaAlF6等復(fù)合氟化物激光晶體。以生長(zhǎng)純的LiSrAlFf^as體為例,采用提拉法生長(zhǎng)的晶體雙折射一般為2(Γ30nm/cm,吸收...
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