技術編號：8097063
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。專利摘要本發(fā)明涉及一種控制低溫PVT體單晶生長包裹物缺陷的方法，步驟如下采用PVT單晶爐，在單晶生長初期的2~6小時采用相對較高的腔體內氣壓80(Tl000mbar，并保持籽晶處較大的溫度梯度15~30°C，以將單晶的生長速率控制在0.05~0.15mm/小時以內，當生長初期2~6小時結束后，逐漸降低氣壓lOOlOOmbar，并降低籽晶處單晶的溫度梯度2~10°C，以增加高質量晶體的生長速率至0.2~0.5mm/小時，生長結束后迅速增加壓強90(Tll00mbar，進一步降低籽晶處溫度梯度0~2°C，技術效果是將包...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。