技術(shù)編號(hào)：8094349
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明公開了，工藝組成材料--切割--倒角--粗磨--退火--DMP--CMP--清洗--鍍膜--絲印--成品檢驗(yàn)，所述工藝組成1.切割對(duì)晶體塊狀進(jìn)行切割成片料方便后道加工；2.倒角將晶片邊緣修整成圓弧狀，改善薄片邊緣的機(jī)械強(qiáng)度，避免應(yīng)力集中造成缺陷；3.粗磨去除切片時(shí)造成的晶片切割損傷層及改善晶片的平坦度；4.退火改善因機(jī)械加工造成的應(yīng)力集中BOW偏大；5.DMP改善因粗磨造成的破壞層降低晶片表面粗糙度；6.CMP改善晶片粗糙度，使其表面達(dá)到納米級(jí)的精度；7.鍍膜對(duì)晶片進(jìn)行防指紋鍍膜處理；8.絲印對(duì)晶片單...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。