技術(shù)編號(hào)：8076472
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明提供一種晶體生長方法，包括a）提供籽晶原料；b）將所述籽晶原料在第一條件下熔融；得到熔融料；所述第一條件為抽真空或抽真空后再置于保護(hù)氣氛；c）將所述熔融料在第二條件下進(jìn)行長晶；所述第二條件為抽真空或抽真空后再置于保護(hù)氣氛；d）將步驟c）長晶后得到的粗晶進(jìn)行退火并降溫降至室溫，得到晶體。本發(fā)明提供的晶體生長方法制備的晶體質(zhì)量高、一致性好，穩(wěn)定性高。專利說明[0001]技術(shù)領(lǐng)域[0002]本發(fā)明涉及晶體制備領(lǐng)域，更具體地說，涉及。背景技術(shù)[0003]物質(zhì)在一定溫度、壓力、濃度、介質(zhì)、pH等條件下由氣相、液...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。