技術(shù)編號(hào)：8016277
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明一般涉及改善直拉法(丘克拉斯基法)在坩堝中生長(zhǎng)的無(wú)位錯(cuò)單晶硅的成品率和產(chǎn)量的方法，尤其涉及制備有一個(gè)或多個(gè)經(jīng)過反玻璃化促進(jìn)劑處理的表面的熔凝石英坩堝的方法。單晶硅是多數(shù)制造半導(dǎo)體電子元件工藝的原料，通常由被稱作直拉法的工藝制備。在這種工藝中，將多晶硅裝填進(jìn)坩堝，并熔化，再將籽晶投入熔化了的硅中，通過慢萃取生長(zhǎng)單晶硅錠。直拉法工藝所用坩堝一般叫做熔凝石英坩堝，或簡(jiǎn)稱作石英坩堝，它由非晶石英即眾所周知的透明石英構(gòu)成。然而使用透明坩堝有一個(gè)缺點(diǎn)，即在多晶硅熔化和生長(zhǎng)單晶硅錠時(shí)，坩堝內(nèi)表面上的沾污能成核，并能...
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