技術(shù)編號:7516327
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明大體上涉及數(shù)字集成電路,且更具體地,涉及將諸如存儲電路的數(shù)字集成 電路從背柵偏置待命模式轉(zhuǎn)變到活動模式。背景技術(shù)當(dāng)將輸入電壓施加至柵極電壓時,互補金屬氧化物硅(CM0Q集成電路中所形成 的諸如η溝道場效應(yīng)晶體管(NFET)及ρ溝道場效應(yīng)晶體管(PFET)的晶體管操作。此柵極 電壓建立與在晶體管的源極與漏極之間的溝道垂直的電場。該溝道的電導(dǎo)由該電場控制。 若不施加?xùn)艠O電壓,則源極與漏極之間的路徑形成為兩個背靠背ρ-η結(jié),且漏極電流是可 忽略的。當(dāng)將正電...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。