技術(shù)編號：7360772
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種級聯(lián)電路結(jié)構(gòu)具有安裝在襯底(例如，陶瓷襯底)上的低壓MOSFET和耗盡型功率器件，該級聯(lián)電路結(jié)構(gòu)于是可以設(shè)于半導(dǎo)體封裝中。這使得能夠降低電感，且如果需要則能夠使用三端子封裝。專利說明級聯(lián)電路[0001]本發(fā)明涉及級聯(lián)半導(dǎo)體器件。具體地，本發(fā)明涉及耗盡型晶體管，例如，高電子遷移率晶體管或結(jié)型柵場效應(yīng)晶體管。示例是氮化鎵(GaN)晶體管(例如，GaN高電子遷移率晶體管(HEMT))或碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管。背景技術(shù)[0002]本發(fā)明尤其關(guān)注于GaN功...
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