技術(shù)編號(hào):7265714
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種具有供高壓側(cè)操作用的隔離結(jié)構(gòu)的超高壓半導(dǎo)體及其制造方法。該半導(dǎo)體裝置,特別是超高壓金屬氧化物半導(dǎo)體裝置,是由一漏極區(qū)中的一摻雜梯度結(jié)構(gòu)所界定。譬如,一超高n型金屬氧化物半導(dǎo)體裝置是由漏極區(qū)中的n-摻雜梯度結(jié)構(gòu)所界定。n-摻雜梯度結(jié)構(gòu)具有一高壓n阱、一漏極側(cè)高壓n型深阱及一配置于漏極區(qū)中的漏極側(cè)n型阱的至少之一。一漏極側(cè)n+阱另外配置于高壓n阱、漏極側(cè)高壓n型深阱及漏極側(cè)n型阱的至少之一中。一種具有漏極區(qū)的摻雜梯度結(jié)構(gòu)的超高金屬氧化物n型半導(dǎo)...
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