技術(shù)編號：7260655
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種，其中晶體管的形成方法包括提供半導體襯底；在所述半導體襯底表面依次形成柵介質(zhì)層、位于柵介質(zhì)層表面的第一阻擋層和位于第一阻擋層表面的犧牲層；在所述半導體襯底表面形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層表面與所述犧牲層頂部平齊；去除所述犧牲層，形成凹槽；在所述凹槽內(nèi)形成覆蓋第一阻擋層的第二阻擋層，所述第二阻擋層的形貌與去除所述犧牲層后的第一阻擋層形貌互補；在所述第二阻擋層表面形成填充滿凹槽的金屬層，所述金屬層表面與層間介質(zhì)層頂部平齊。本發(fā)明降低了晶體管中柵極的漏電流...
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