技術編號：7256910
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種，包括在襯底上形成多個鰭片以及鰭片之間的多個溝槽；在溝槽中填充絕緣介質；采用包含碳氟基氣體的刻蝕氣體，等離子體干法刻蝕絕緣介質至預定厚度，以露出鰭片的部分側壁。依照本發(fā)明的，通過合理選用刻蝕氣體以及配比組分，有效抑制了刻蝕氣體對于鰭片側壁的損傷，提高了小尺寸器件加工的精度以及可靠性。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及半導體集成電路制造領域，更具體地，涉及一種三維立體器件FinFET中鰭片(Fin)的薄膜填充物的等離子體回刻技術。 背景...
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