技術(shù)編號：7256908
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種，包括在襯底上的第一層間介質(zhì)層中刻蝕形成多個第一開口；在多個第一開口中以及第一層間介質(zhì)層上形成開口修飾層，開口修飾層部分填充多個第一開口形成多個第二開口；在多個第二開口中以及開口修飾層上形成第二層間介質(zhì)層；平坦化第二層間介質(zhì)層，停止在第一層間介質(zhì)層上，露出開口修飾層；刻蝕開口修飾層，直至暴露襯底，形成多個第三開口，其中第三開口的深寬比大于第一開口的深寬比。依照本發(fā)明的，基于傳統(tǒng)光刻工藝的條件下制備出較大的氧化硅深孔，然后沉積氮化硅薄膜以及再...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。