技術(shù)編號：7256223
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種超級結(jié)器件，P型半導(dǎo)體薄層分成兩層，底層由P型離子注入?yún)^(qū)組成、頂層由填充于深溝槽中的P型硅組成，整個P型薄層的深度由底層的底部表面和頂層的頂部表面之間的縱向距離決定，消除了深溝槽的深度變化對P型薄層的深度的影響，能使P型薄層的深度得到精確控制并提高其深度的均一性，能提高器件的擊穿電壓；能使深溝槽的深度變化范圍由底層的P型離子注入?yún)^(qū)的深度決定，能大大擴大深溝槽的工藝窗口，降低了工藝的復(fù)雜度和工藝成本，能滿足P型和N型半導(dǎo)體薄層的載流子濃度不斷...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。