技術(shù)編號(hào):7246036
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種。其中該半導(dǎo)體裝置被一層狀結(jié)構(gòu)所定義,該層狀結(jié)構(gòu)包含一第一介電層;一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存層,設(shè)置于該第一介電層之上;以及一第二介電層,設(shè)置于該數(shù)據(jù)儲(chǔ)存層之上,該層狀結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上形成該半導(dǎo)體裝置的一外層,舉例來(lái)說(shuō),該半導(dǎo)體裝置可為一SONOS結(jié)構(gòu),該SONOS結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上由一氧化物-氮化物-氧化物(ONO)薄膜所圍繞。本發(fā)明同時(shí)還提供了制造該半導(dǎo)體裝置的方法。專利說(shuō)明[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置,特別是涉及于一種記憶體裝置及此裝置的一種制造方法。背...
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