技術(shù)編號(hào):7236849
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路及其制造,尤其涉及一種M0S晶體管體 區(qū)的摻雜方法。背景技術(shù)集成電路尤其超大規(guī)模集成電路中的主要器件是金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng) 效應(yīng)晶體管(metal oxide semiconductor field effect transistor,簡(jiǎn)稱MOSFET)。集 成電路自發(fā)明以來(lái),其在性能和功能上的進(jìn)步是突飛猛進(jìn)的。而這進(jìn)步的取得則 是簡(jiǎn)單地通過(guò)不斷縮小器件的尺寸和增大芯片面積來(lái)實(shí)現(xiàn)的。器件尺寸的不斷縮 小,導(dǎo)致了電路性能的不斷改善以...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。