技術(shù)編號(hào)：7211797
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種包括由多晶硅制成的電阻器的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體集成電路中，使用擴(kuò)散電阻器或多晶硅電阻器。擴(kuò)散電阻器由單晶硅半導(dǎo)體襯底制成，其中注入與該半導(dǎo)體襯底的導(dǎo)電類型相反的導(dǎo)電類型的雜質(zhì)。多晶硅電阻器由其中注入雜質(zhì)的多晶硅制成。具體而言，多晶硅電阻器的優(yōu)勢(shì)例如由包圍電阻器的絕緣膜引起的小泄漏電流和晶粒邊界存在的缺陷得到的高電阻率，使得其在半導(dǎo)體集成電路中廣泛應(yīng)用。圖2A和2B分別是傳統(tǒng)多晶硅電阻器電路的平面示意圖和截面示意圖。多晶硅電阻器是通過(guò)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。