技術(shù)編號(hào)：7205329
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體基板上形成薄膜并將該薄膜用于特定的功能后進(jìn)行除去的 工序中使用的薄膜，以及使用該薄膜的半導(dǎo)體制造方法。背景技術(shù)集成電路可以通過進(jìn)行微細(xì)化而實(shí)現(xiàn)高集成化和高性能化。然而，圖案尺寸已進(jìn) 入納米領(lǐng)域的現(xiàn)今已變成即使再進(jìn)行微細(xì)化也難以提高晶體管性能。作為解決該問題、實(shí)現(xiàn)晶體管性能的提高的方法之一，在研究使載流子遷移率提 高的技術(shù)。作為使載流子遷移率提高的方法之一，有在晶體管正上方堆積具有拉伸應(yīng)力 (nMOS晶體管時(shí))、或壓縮應(yīng)力(pMOS晶體管時(shí)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。