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技術(shù)編號(hào)：7205052

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本發(fā)明一般來說涉及用于避免硅錐形缺陷的損壞作用的方法及集成電路結(jié)構(gòu)。 背景技術(shù)參照?qǐng)D1，已知集成電路結(jié)構(gòu)1包括經(jīng)摻雜多晶硅(polycrystalline silicon) (多晶硅(poly))/氮化鈦(TiN)板電容器，在本文中稱作多晶硅/金屬板電容器。集成電路 結(jié)構(gòu)1使用淺溝槽隔離(STI)工藝形成。集成電路結(jié)構(gòu)1包括底部氧化物層3，其形成于單 晶硅晶片襯底8的底部表面上且夾于氧化物層3與支撐晶片9之間。N型外延硅(印i)層 2(其濃度可以是大約3x...
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