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技術(shù)編號：7169689

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造，尤其涉及。背景技術(shù)專業(yè)術(shù)語說明N阱在襯底上擴散N型區(qū)屮阱在襯底上擴散P型區(qū)；N+N型重摻雜區(qū)；P+P型重摻雜區(qū)；Fox場氧化層；PbodyP型摻雜體區(qū)。MOS管是構(gòu)成半導(dǎo)體集成電路的基本單元，MOS管由阱、源、漏和柵組成，多晶硅在半導(dǎo)體集成電路中常作為MOS管的柵極，即多晶硅柵。在某些類型的集成電路中，比如某些B⑶集成電路(雙極-互補型MOS-功率雙擴散MOS集成電路)，包含有兩層多晶硅并且都作為MOS管的柵極，分別稱之為第一...
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