技術(shù)編號:7165839
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及碳化硅半導(dǎo)體裝置,特別涉及包括JTE (Junction Termination Extension 結(jié)終端擴(kuò)展)或者FLR (Field Limiting Ring 場限環(huán))的半導(dǎo)體元件的終端結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)作為能夠?qū)崿F(xiàn)高耐壓、低損失以及高耐熱性的下一代的開關(guān)元件,使用碳化硅(SiC)形成的半導(dǎo)體元件(MOSFET (Metal oxide semiconductor field effect transistor)或 IGBT (Insulat...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。