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技術(shù)編號：7161946

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本發(fā)明涉及一種無電容DRAM的結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種基于埋層N型阱的異質(zhì)結(jié)IT-DRAM結(jié)構(gòu)以及形成該結(jié)構(gòu)的方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體集成電路器件特征尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)1T/1C嵌入式DRAM單元為了獲得足夠的存儲電容量(一般要求30fF/celI)，其電容制備工藝(堆疊電容或者深溝槽式電容)將越來越復(fù)雜，并且與邏輯器件工藝兼容性越來越差。因此，與邏輯器件兼容性良好的無電容DRAM (Capacitorless DRAM)將在VLSI中高性能的嵌入式DRAM領(lǐng)...
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