技術(shù)編號：7157968
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種。背景技術(shù)隨機存儲器，例如DRAM與SRAM在使用過程中存在掉電后存儲數(shù)據(jù)丟失的問題。為了克服這個問題，人們已經(jīng)設(shè)計并開發(fā)了多種非易失性存儲器。最近，基于浮柵概念的閃存由于其具有小的單元尺寸和良好的工作性能已成為最通用的非易失性存儲器。非易失性存儲器主要包括兩種基本結(jié)構(gòu)堆疊柵極(stack gate)結(jié)構(gòu)和分離柵極式(split gate)結(jié) 構(gòu)。堆疊柵極式存儲器包括依序形成于襯底上的遂穿氧化物層、存儲電子的浮置柵極多晶娃層、...
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