技術(shù)編號(hào):7115216
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體系統(tǒng)和制造工藝的領(lǐng)域。更具體地說,本發(fā)明涉及具有肖特基壁壘金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的半導(dǎo)體集成電路(IC)及其制造工藝,該肖特基壁壘金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)包括肖特基壁壘P型MOSFET(PMOS),肖特基壁壘N型MOSFET(NMOS)和肖特基壁壘互補(bǔ)MOSFET(CMOS)。背景技術(shù) 自從1940年晶體管發(fā)明以來,在半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域表現(xiàn)出巨大的優(yōu)越性。今天,取得支配地位的半導(dǎo)體技術(shù)是CMOS...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。