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技術(shù)編號：7107769

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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體功率器件，涉及MOS型半導(dǎo)體功率器件結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)在半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計中，器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計至關(guān)重要。合理的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計可以有效的彌補(bǔ)材料缺陷、寄生效應(yīng)等對器件性能的影響，避免局部熱電和_■次擊穿的出現(xiàn)，從而防止器件失效、延長使用壽命、提高器件的可靠性。相反，不合理的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計將嚴(yán)重制約著器件的可靠性。隨著集成度的增加和工藝線寬的減小，熱電效應(yīng)對功率器件造成的失效越加凸顯。對于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)型功率器件，寄生晶體管開啟導(dǎo)致二次...
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