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減少晶圓電弧放電的方法、晶圓結(jié)構(gòu)和集成電路制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:7101508

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本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域,更具體地說,本發(fā)明涉及一種減少晶圓電弧放電的方法、晶圓結(jié)構(gòu)以及采用了該減少晶圓電弧放電的方法的集成電路制造方法。背景技術(shù)晶圓電弧放電(Wafer Arcing)放電是在集成電路制造過程中出現(xiàn)的ー種不期望出現(xiàn)的現(xiàn)象。電介質(zhì)刻蝕引起的晶圓電弧放電的根本原因是等離子體不穩(wěn)定所引起的晶圓上的水平直流電壓降。晶圓電弧放電會對晶圓造成很多缺陷。例如,圖I示意性地示出了晶圓電弧放電,其中標號I標示了晶圓電弧放電的區(qū)域。由于晶圓電弧放電所導致的一...
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